SR18D3BL型號是一種18V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設備中。SR18D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電流，能有效保護電路免受靜電放電的影響，低反向漏電流，不會對電路產生過大的影響。SR18D3BL型號適用于需要保護的電路電壓在18V以下的場景，如手機、數(shù)碼相機、MP3等小型電子設備。SR24D3BL型號是一種24V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。星河微ESD靜電保護二極管可以在各種環(huán)境下工作，包括高溫、低...

總電容由二極管結電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結電容。反向偏置時，二極管因pn結（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數(shù)載流子通過。降低半導體區(qū)摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓（V(BR)），但任何一種方式都會導致ESD抗擾度下降。當兩個二極管串聯(lián)時，它們的組合電容減小。此外，二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容（C(t)）ESD保護二極管采用ESD二極管陣列工藝（EAP）制造，多個二極管組合在一起減小電容，不影響ESD抗擾度。ESD二極...

在現(xiàn)代電子設備中，為了進一步提高ESD防護能力，通常會將ESD保護二極管與GCNMOS（Gate-Controlled NMOS）結合使用。這種組合可以形成更加完善的ESD防護網絡，提高電路的抗靜電放電能力。為了滿足高密度安裝需求，ESD保護二極管通常采用SMD（Surface Mount Device，表面貼裝器件）封裝形式。這種封裝形式具有體積小、重量輕、安裝方便等優(yōu)點，是現(xiàn)代電子設備中常用的封裝形式之一。在評估ESD保護二極管的性能時，需要關注其擊穿電壓、鉗位電壓、寄生電容等參數(shù)。此外，還需要進行TLP（Transmission Line Pulse，傳輸線脈沖）測試等實...

保護二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護二極管專門用于保護電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導通。保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導通。當小電流（IZ）從陰極（K）流到陽極（A）時，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（VZ）。可用功率受二極管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護二極管插在信號線與GND之間，保護受保護器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒有ESD浪涌情況），除極少量電流（IR）流過二極管使其反向擊穿電壓（VBR）高于信號線電壓之外，...

應用場景SR15D3BL和SR18D3BL廣泛應用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、汽車電子、工業(yè)控制等領域。它們可以用于保護電路中的各種元器件，如芯片、傳感器、電容器等，有效地保護電路免受ESD事件的影響，提高電路的穩(wěn)定性和可靠性。結論綜上所述，SR15D3BL和SR18D3BL是兩種常見的ESD保護二極管，具有響應速度快、低電容和低電感、良好的ESD保護效果等優(yōu)點，被廣泛應用于各種電子設備中。在實際應用中，可根據(jù)具體的需求選擇合適的型號，以確保電子設備的正常運行和穩(wěn)定性。盡量減少ESD保護二極管和受保護線路以及GND之間的串聯(lián)走線電感。廣州ESD保護二極管SR15D3BL售價 ...

TVS二極管（ESD保護二極管）布局注意事項：ESD保護二極管位置影響ESD保護性能。ESD保護二極管靠近ESD進入點。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護二極管（包括GND）串聯(lián)的走線電感降至比較低。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號走線并行。特別是，避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。TVS二極管（ESD保護二極管）的***比較大額定值，ESD保護二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設計中，為了獲得ESD保護二極管比較好性能并且保持器件目標工作壽命周期的可靠性...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應力超過規(guī)定的額定值，器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此，應注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調整過程中應力可能高于比較大額定值、環(huán)境溫度變化、輸入信號波動等情況。應考慮的主要額定值包括ESD保護二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結溫和存儲溫度。這些參數(shù)相互關聯(lián)，不能單獨考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規(guī)定的環(huán)境溫度（Ta）為25°C，但有些規(guī)定參數(shù)溫度條件不同。低漏電流：即使施加工作峰值反向電壓，也只有小于規(guī)定漏電流的電流流過，確保電路的穩(wěn)定性。深圳定...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應力超過規(guī)定的額定值，器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此，應注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調整過程中應力可能高于比較大額定值、環(huán)境溫度變化、輸入信號波動等情況。應考慮的主要額定值包括ESD保護二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結溫和存儲溫度。這些參數(shù)相互關聯(lián)，不能單獨考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規(guī)定的環(huán)境溫度（Ta）為25°C，但有些規(guī)定參數(shù)溫度條件不同。星河微ESD靜電保護二極管可以在各種環(huán)境下工作，包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。深圳...

TVS二極管（ESD保護二極管）布局注意事項：ESD保護二極管位置影響ESD保護性能。ESD保護二極管靠近ESD進入點。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護二極管（包括GND）串聯(lián)的走線電感降至比較低。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號走線并行。特別是，避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。TVS二極管（ESD保護二極管）的***比較大額定值，ESD保護二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設計中，為了獲得ESD保護二極管比較好性能并且保持器件目標工作壽命周期的可靠性...

ESD保護二極管考慮到要保護的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調制數(shù)字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護二極管可用于高于和低于GND范圍的信號，如下圖所示。（單向和雙向二極管均可用于電壓*為正或*為負的信號。)在發(fā)生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。盡量減少ESD保護二極管和受保護線路以及GND之間的串聯(lián)走線電感。深圳標準ESD保護...

當pn結反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區(qū)價帶與n型區(qū)導帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應，電子從p型區(qū)價帶隧穿到n型區(qū)導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區(qū)導致反向電流突然增加的現(xiàn)象。當pn反向偏置時，少量電子通過pn結。這些電子在耗盡層被電場加速，獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產生電子空穴。這些原子的電子被激發(fā)到導帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產生更多的電子-空穴對，導致電子進一步脫離的過程。這種現(xiàn)象稱為雪崩擊穿。采用多級保護電路，可以有效地提高保護效果。常規(guī)ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格 E...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（E(g)）寬度減小，從而產生齊納效應。此外，隨著溫度升高，半導體晶格振動增加，載流子遷移率相應下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產品系列的二極管，溫度特性也不一樣。星河微ESD靜電保護二極管...

SR18D3BL是一款18V的ESD保護二極管，峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此，SR18D3BL適用于需要高速響應和低電容的應用場景，如USB接口、HDMI接口、以太網接口等。SR24D3BL是一款24V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A。相較于SR18D3BL，SR24D3BL的電壓等級更高，因此適用于需要更高電壓保護的應用場景，如電源線、電池充電器等。SR12D3BL是一款12V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。不要將...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過二極管2，然后反向流過二極管3，因為二極管3的VBR低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護二極管配置如圖3.5（a）所示時，ESD電流不會反向流過二極管1和二極管2。因此，這個電路整體上提高了ESD...

保護二極管:保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導通。穩(wěn)壓二極管:當小電流（I(Z)）從陰極（K）流到陽極（A）時，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（V(Z)）。可用功率受二極管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。TVS二極管（ESD保護二極管）的基本工作原理：ESD保護二極管插在信號線與GND之間，保護受保護器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒有ESD浪涌情況），除極少量電流（I(R)）流過二極管使其反向擊穿電壓（V(BR)）高于信號線電壓之外，幾乎沒有電流流過ESD保護二極管。當高于反向擊穿電壓 （V(BR)）的浪涌電壓進入信號線時，E...

低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規(guī)定ESD波形時，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護二極管的波形效果。這些波形采集于受保護器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護二極管在30ns和60ns處鉗位電壓低于具有高V(C)的ESD保護二極管。ESD波形曲線下的面積越小，受保護器件（DUP）受到的損壞越小。因此，具有低V(C)的ESD保護二極管可提供更好的ESD脈沖保護。此外，一些ESD保護二極管在ESD進入后不會立即響應。因此，如果ESD脈沖***峰值電壓高于ESD保護二極管的V(C)，則可能施加到受保護器件，造成故障或破壞。ESD保護二...

ESD保護二極管在醫(yī)療監(jiān)護儀、手術器械、診斷設備等醫(yī)療設備中有廣泛應用。醫(yī)療設備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設備性能和患者安全造成影響。在這些領域，設備對可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設備在極端環(huán)境下不受靜電放電的干擾。ESD保護二極管適用于任何需要防止靜電放電對電子設備造成損害的場合。隨著電子設備的普及和應用的不斷拓展，ESD保護二極管的應用范圍也將越來越***適用于各種需要防止靜電放電對電子設備造成損害的場合。在PCB布局時，應將ESD保護二極管靠近ESD進入點放置，如靠近連接器。廣州星河微/SReleicsESD保護二極管SR12D3BL型號...

在電子設備中，ESD保護二極管通常被放置在容易受到靜電放電沖擊的部位，如集成電路的接口處。當帶有電荷的物體（如人類）靠近或接觸這些接口時，ESD電流會釋放在PCB上，對電路造成損害。而ESD保護二極管則能將這部分電流引向地面，從而保護系統(tǒng)免受損害。ESD保護二極管分為雙向和單向兩種類型。雙向二極管具有正負對稱的I-V曲線和工作電壓、擊穿電壓，可以支持正負信號。而單向二極管則只能支持正向信號，不過相比雙向而言，單向二極管對于負壓的保護更好。在選擇ESD保護二極管時，需要根據(jù)具體的應用場景和需求來選擇合適的類型。SR15D3BL和SR18D3BL是常見的ESD保護二極管，具有響應速度...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過二極管2，然后反向流過二極管3，因為二極管3的VBR低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護二極管配置如圖3.5（a）所示時，ESD電流不會反向流過二極管1和二極管2。因此，這個電路整體上提高了ESD...

ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理：單向和雙向ESD保護二極管可吸收正負ESD脈沖。TVS二極管（ESD保護二極管）的選型指南，選擇正確的ESD保護二極管，請注意第3節(jié)介紹的主要電氣特性。保持被保護信號的質量 。信號線電壓 根據(jù)被保護信號線的最大電壓，選擇具有相應反向擊穿電壓（V(BR)）或工作峰值反向電壓（V(RWM)）的ESD保護二極管。信號極性：跨GND電平信號（如模擬信號），使用雙向ESD保護二極管。信號速度根據(jù)被保護信號線的比較大頻率，選擇總電容（C(T)）合適的的ESD保護二極管。 ESD靜電保護二極管已應用于多個客戶的電子設備中，如手機...

等效電路及優(yōu)點：正常工作期間ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（I(L)），降低信號質量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質量）。浪涌電壓情況下 當浪涌或外部噪聲通過連接器進入系統(tǒng)時，對后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護二極管。沒有ESD保護二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護二極管，大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護二極管動態(tài)電阻（R(dyn)）表示...

ESD保護二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護齊納二極管具有寬結，以便吸收大量浪涌能量。這類二極管的總電容為100pF至600pF，適用于雷電感應和開關浪涌的保護。表1.2顯示ESD保護二極管和浪涌保護齊納二極管適用于不同類型過壓浪涌脈沖：保護二極管（ESD保護二極管和浪涌保護齊納二極管）與穩(wěn)壓二極管的區(qū)別：保護二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護二極管，還可以用作穩(wěn)壓器。保護二極管專門用于保護電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩(wěn)壓的齊納二極管擊穿模式下保持導通。壽命測試：確保二極管在長期使用中保持穩(wěn)定的性能。新型ESD保護二極管SR24D3...

ESD保護二極管是一種用于抑制靜電感應和瞬時過壓的半導體器件，在電路中起到了關鍵的保護作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應用于計算機系統(tǒng)、通信設備以及工業(yè)控制設備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定等特點，是現(xiàn)代電子設備中不可或缺的一部分。ESD保護二極管的工作原理基于其內部的PN結結構。當外部電壓超過二極管的額定電壓時，PN結會被擊穿，形成導電通道，將靜電放電的能量導入地面，從而保護電路元件免受損壞。在靜電放電結束后，二極管會自動恢復高阻態(tài)，防止電流流過，確保電路的正常運行。在高速信號傳輸線路中，如 USB 接口ESD 保護二極管可以防止靜電...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（Eg）寬度減小，從而產生齊納效應。此外，隨著溫度升高，半導體晶格振動增加，載流子遷移率相應下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產品系列的二極管，溫度特性也不一樣。金屬氧化物半導體場效應管：在...

ESD保護二極管動態(tài)電阻與流入受保護器件的電流： 如何計算ESD保護二極管的動態(tài)電阻（R(DYN)），以及ESD電擊時浪涌電流的流向。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護器件的電流。因此，ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測試用于納秒級寬度短脈沖，根據(jù)隨時間變化的電流-電壓關系可研究二極管的電流-電壓（I-V）特性。下圖中，TLP I和TLP V分別**電流和電壓。電源端口：電源端口是靜電放電的常見入口，ESD保護二極管在這里發(fā)揮著重要作用。深圳新型ES...

選擇保證ESD性能高于系統(tǒng)ESD抗擾度要求的ESD保護二極管。但請注意，ESD保護二極管的ESD性能通常與其總電容成正比。選擇電氣額定值高于峰值脈沖功率和峰值脈沖電流要求的ESD保護二極管。ESD保護二極管靠近ESD進入點。ESD保護二極管靠近ESD進入點。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號走線并行。特別是，避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。ESD保護二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設計中，為了獲得ESD保護二極管比較好性能并且保持器件目標工作壽命周期的可靠性，了解比較大額定值至關重要。為保證ES...

ESD保護二極管適用于各種電子設備，包括半導體工業(yè)、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設備和雷達設備等。半導體工業(yè)與集成電路：在芯片生產、組裝和運輸過程中，ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設備與雷達設備：在天線罩的金屬屏蔽層中使用ESD保護二極管，可以保護設備免受靜電放電的影響。電子儀器儀表：在精密電位差計、高精度的標準信號發(fā)生器等需要精確測量的場合，ESD保護二極管能夠確保測量的準確性。電子設備中的電容器與濾波器：作為電容器元件或抗干擾濾波器，ESD保護二極管能夠抑制共模干擾等不利因素。壽命測試：確保二極管在長期使用中保持穩(wěn)定的性能。星河微/SReleicsE...

TVS二極管（ESD保護二極管）布局注意事項：ESD保護二極管位置影響ESD保護性能。ESD保護二極管靠近ESD進入點。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護二極管（包括GND）串聯(lián)的走線電感降至比較低。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號走線并行。特別是，避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。TVS二極管（ESD保護二極管）的***比較大額定值，ESD保護二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設計中，為了獲得ESD保護二極管比較好性能并且保持器件目標工作壽命周期的可靠性...

在發(fā)生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護二極管數(shù)據(jù)表含有動態(tài)電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向導通模式下V(F)–I(F)曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動態(tài)電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流，減少流入受保護器件的電流，從而降低損壞的可能性。 當靜電電壓達到...

指接觸放電ESD容限，即通過與受保護器件直接接觸放電。ESD容限是根據(jù)國際電工委員會（IEC）IEC 61000-4-2標準規(guī)定的方法和ESD波形測量的。規(guī)定的VESD值是測試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測器件（EUT）與放電槍之間通過空氣層放電。IEC 61000-4-2規(guī)定了試驗方法和ESD波形。PPK是ESD保護二極管本身損壞之前可以分流的比較大浪涌功率。圖6.1顯示使用8／20μs脈沖波形測量的峰值脈沖功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，從100%下降到50%需要20μs。)醫(yī)療設備對靜電敏感，ESD保護二極管用于保護精密的電子元件。定制ESD...