常規ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格

來源: 發布時間:2025-02-12

       當pn結反向偏置時,耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此,由于量子隧穿效應,電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。當pn反向偏置時,少量電子通過pn結。這些電子在耗盡層被電場加速,獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產生電子空穴。這些原子的電子被激發到導帶并脫離,成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞,產生更多的電子-空穴對,導致電子進一步脫離的過程。這種現象稱為雪崩擊穿。采用多級保護電路,可以有效地提高保護效果。常規ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格

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      ESD保護二極管適用于各種電子設備,包括半導體工業、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設備和雷達設備等。半導體工業與集成電路:在芯片生產、組裝和運輸過程中,ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設備與雷達設備:在天線罩的金屬屏蔽層中使用ESD保護二極管,可以保護設備免受靜電放電的影響。電子儀器儀表:在精密電位差計、高精度的標準信號發生器等需要精確測量的場合,ESD保護二極管能夠確保測量的準確性。電子設備中的電容器與濾波器:作為電容器元件或抗干擾濾波器,ESD保護二極管能夠抑制共模干擾等不利因素。新型ESD保護二極管SR15D3BL和SR18D3BL是常見的ESD保護二極管,具有響應速度快低電容和低電感良好的ESD保護效果。

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      高擊穿電壓二極管摻雜濃度低,因此形成寬耗盡層(禁帶)。相反,低擊穿電壓二極管摻雜濃度高,所以它們形成窄耗盡層(禁帶)。二極管耗盡層寬時,不太可能發生電子隧穿(齊納擊穿),主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄,更容易發生齊納擊穿。隨著溫度上升,禁帶(E(g))寬度減小,從而產生齊納效應。此外,隨著溫度升高,半導體晶格振動增加,載流子遷移率相應下降。因此,不太可能發生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小,而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常,大多數情況下,齊納擊穿電壓約為6V以下,雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意,即使同一產品系列的二極管,溫度特性也不一樣。

        ESD保護二極管動態電阻與流入受保護器件的電流: 如何計算ESD保護二極管的動態電阻(R(DYN)),以及ESD電擊時浪涌電流的流向。如果ESD保護二極管阻抗(即動態電阻)低,則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地(GND),從而減少流入受保護器件的電流。因此,ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖(TLP)測試用于納秒級寬度短脈沖,根據隨時間變化的電流-電壓關系可研究二極管的電流-電壓(I-V)特性。下圖中,TLP I和TLP V分別**電流和電壓。高效保護:ESD靜電保護管采用了多種保護措施,可以有效地防止靜電放電對電子元器件造成的損害。

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      低動態電阻(RDYN)低鉗位電壓(VC)和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ,ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓(VBR)時,漏電流增加。電壓接近VBR時,漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流(IR)隨反向電壓(VR)成指數增長。選擇VRWM高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導通。此時,pn結交界面形成耗盡層,耗盡層在電氣上起電容的作用。因此,除非在考慮被保護信號線頻率的基礎上,正確選擇ESD保護二極管,否則信號質量會下降。溫度循環測試:評估二極管在不同溫度下的性能穩定性。廣東標準ESD保護二極管SR12D3BL型號近期價格

PESD12VL1BA:具有低鉗位電壓和快速響應的特點,適用于保護敏感的集成電路。常規ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格

      反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當pn結反向偏置時,耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此,由于量子隧穿效應,電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。齊納擊穿如圖1.3所示。當pn反向偏置時,少量電子通過pn結。這些電子在耗盡層被電場加速,獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產生電子空穴。這些原子的電子被激發到導帶并脫離,成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞,產生更多的電子-空穴對,導致電子進一步脫離的過程。這種現象稱為雪崩擊穿。常規ESD保護二極管SR08D3BL型號近期價格

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