高擊穿電壓二極管摻雜濃度低,因此形成寬耗盡層(禁帶)。相反,低擊穿電壓二極管摻雜濃度高,所以它們形成窄耗盡層(禁帶)。二極管耗盡層寬時,不太可能發生電子隧穿(齊納擊穿),主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄,更容易發生齊納擊穿。隨著溫度上升,禁帶(Eg)寬度減小,從而產生齊納效應。此外,隨著溫度升高,半導體晶格振動增加,載流子遷移率相應下降。因此,不太可能發生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小,而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常,大多數情況下,齊納擊穿電壓約為6V以下,雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意,即使同一產品系列的二極管,溫度特性也不一樣。金屬氧化物半導體場效應管:在靜電放電時能夠迅速導通,提供低阻抗路徑。廣州ESD保護二極管SR15D3BL售價
總電容由二極管結電容和封裝中的寄生電容組成。其中很大一部分是結電容。反向偏置時,二極管因pn結(p:p型半導體,n:n型半導體)形成耗盡層產生電容。與電容相反,耗盡層起阻擋層的作用,只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此,為了減小二極管的電容,有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓(V(BR)),但任何一種方式都會導致ESD抗擾度下降。當兩個二極管串聯時,它們的組合電容減小。此外,二極管反向ESD能量耐受性比正向差。東芝低電容(C(t))ESD保護二極管采用ESD二極管陣列工藝(EAP)制造,多個二極管組合在一起減小電容,不影響ESD抗擾度。深圳ESD保護二極管SR12D3BL怎么樣ESD二極管能在極短時間內響應靜電放電事件,防止過高的電壓進入電路。
SR08D3BL型號和SR12D3BL型號的優勢也有所不同。SR08D3BL型號的優勢在于其響應速度快,可以在納秒級別內響應ESD事件,有效保護電路。此外,SR08D3BL型號的封裝體積小,適合在空間受限的電路中使用。而SR12D3BL型號的優勢在于其電壓容忍度高,可以在更高的電壓下工作,同時其ESD保護效果也非常好。無論是SR08D3BL型號還是SR12D3BL型號,它們都具有以下優點:一是響應速度快,可以在納秒級別內響應ESD事件,保護電路;二是具有低電容和低電感,不會對電路的高頻性能產生影響;三是具有良好的ESD保護效果,可以很好地保護電路免受靜電放電的損害。
由于ESD保護二極管反向連接,正常工作時,其兩端電壓低于反向擊穿電壓(VBR)。因此,ESD保護二極管正常工作時不導通。此時,pn結形成耗盡層,二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時,以下三個注意事項適用于正常工作狀態:ESD保護二極管反向擊穿電壓(VBR)是否充分高于被保護信號線的振幅(最大電壓)ESD保護二極管總電容(CT)相對于受保護信號線的頻率是否足低,信號極性(即信號電壓是否像模擬信號一樣跨GND電位),當靜電放電(ESD)進入系統時,ESD保護二極管要么導通,要么反向擊穿。單向ESD保護二極管通過正ESD電擊時反向擊穿,負ESD電擊時導通吸收ESD能量。ESD保護二極管需要具備極快的響應時間,通常要求在納秒(ns)級別內對靜電事件作出反應。
ESD保護二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護齊納二極管具有寬結,以便吸收大量浪涌能量。這類二極管的總電容為100pF至600pF,適用于雷電感應和開關浪涌的保護。表1.2顯示ESD保護二極管和浪涌保護齊納二極管適用于不同類型過壓浪涌脈沖:保護二極管(ESD保護二極管和浪涌保護齊納二極管)與穩壓二極管的區別:保護二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護二極管,還可以用作穩壓器。保護二極管專門用于保護電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下,用于穩壓的齊納二極管擊穿模式下保持導通。。ESD二極管的應用能夠有效防止靜電放電對設備內部電路的損壞。定制ESD保護二極管SR12D3BL多少錢
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選擇保證ESD性能高于系統ESD抗擾度要求的ESD保護二極管。但請注意,ESD保護二極管的ESD性能通常與其總電容成正比。選擇電氣額定值高于峰值脈沖功率和峰值脈沖電流要求的ESD保護二極管。ESD保護二極管靠近ESD進入點。ESD保護二極管靠近ESD進入點。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號走線并行。特別是,避免ESD抗擾度低的器件電路板走線與可能受ESD事件影響的電路板走線并行。ESD保護二極管比較大額定值指最大允許電流、電壓、功耗和其他電氣特性。電路設計中,為了獲得ESD保護二極管比較好性能并且保持器件目標工作壽命周期的可靠性,了解比較大額定值至關重要。為保證ESD保護二極管使用壽命和可靠性,不得超過比較大額定值。ESD保護二極管根據***比較大額定值機制定義比較大額定值。廣州ESD保護二極管SR15D3BL售價