選擇正確的ESD保護二極管，請注意第3節(jié)介紹的主要電氣特性。根據(jù)被保護信號線的最大電壓，選擇具有相應(yīng)反向擊穿電壓（VBR）或工作峰值反向電壓（VRWM）的ESD保護二極管。跨GND電平信號（如模擬信號），使用雙向ESD保護二極管。根據(jù)被保護信號線的比較大頻率，選擇總電容（CT）合適的的ESD保護二極管。選擇動態(tài)電阻（RDYN）盡可能低的ESD保護二極管。根據(jù)所需VRWM選擇**小鉗位電壓（VC）的ESD保護二極管。務(wù)必選擇VC低于受保護器件耐受電壓的二極管。ESD靜電保護管的安全性是非常高的。它采用了多種保護措施，可以有效防止靜電放電對電子元器件造成的損害。廣州星河微/SRelei...

ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理：單向和雙向ESD保護二極管可吸收正負ESD脈沖。TVS二極管（ESD保護二極管）的選型指南，選擇正確的ESD保護二極管，請注意第3節(jié)介紹的主要電氣特性。保持被保護信號的質(zhì)量 。信號線電壓 根據(jù)被保護信號線的最大電壓，選擇具有相應(yīng)反向擊穿電壓（V(BR)）或工作峰值反向電壓（V(RWM)）的ESD保護二極管。信號極性：跨GND電平信號（如模擬信號），使用雙向ESD保護二極管。信號速度根據(jù)被保護信號線的比較大頻率，選擇總電容（C(T)）合適的的ESD保護二極管。 SR15D3BL和SR18D3BL是常見的ESD保護二極...

SR18D3BL型號是一種18V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設(shè)備中。SR18D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電流，能有效保護電路免受靜電放電的影響，低反向漏電流，不會對電路產(chǎn)生過大的影響。SR18D3BL型號適用于需要保護的電路電壓在18V以下的場景，如手機、數(shù)碼相機、MP3等小型電子設(shè)備。SR24D3BL型號是一種24V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。ESD保護二極管”用于便攜式電子設(shè)備：如智能手機、平板電腦等...

反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規(guī)定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導(dǎo)規(guī)定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數(shù)。VBR定義為ESD保護二極管導(dǎo)通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規(guī)定電壓下反向偏置時，反向流動的漏電流。對于ESD保護二極管，IR按工作峰值反向電壓（VRWM）定義。鉗位電壓是ESD保護二極管指定峰值脈沖電流條件下比較大鉗制電壓。VC通常在多個峰值脈沖電流點測量。如第6節(jié)（圖6.1）所示，峰值脈沖電流使用8／20μs波形。動態(tài)電阻和鉗位電壓**ESD保護二極管的ESD性能。ESD靜電保護管的安全性是非常高的。它采用了多種保護措施，可以...

SR15D3BL和SR18D3BL的區(qū)別在于其額定工作電壓和額定放電電流。SR15D3BL的額定工作電壓為15V，額定放電電流為5A，而SR18D3BL的額定工作電壓為18V，額定放電電流為5A。因此，SR18D3BL的電壓容忍度更高，可以在更高的電壓下工作。SR15D3BL和SR18D3BL在空壓機中的應(yīng)用非常廣。它們可以用于保護空壓機的各種電路，如控制電路、驅(qū)動電路、傳感器電路等。在空壓機的正常運行中，它們可以有效地保護電路免受ESD事件的影響，提高空壓機的穩(wěn)定性和可靠性。綜上所述，SR15D3BL和SR18D3BL是空壓機中的重要元器件，它們具有響應(yīng)速度快、低電容和低電感、良好的ESD保...

TVS二極管（ESD保護二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導(dǎo)通。此時，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態(tài)：正常工作狀態(tài)（無ESD事件）的主要特性。ESD保護二極管反向擊穿電壓（V(BR)）是否充分高于被保護信號線的振幅（最大電壓），ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（V(BR)）時，漏電流增加。電壓接近V(BR)時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（I(R)）...

ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質(zhì)量）。當浪涌或外部噪聲通過連接器進入系統(tǒng)時，對后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護二極管。沒有ESD保護二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護二極管，大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護二極管動態(tài)電阻（Rdyn）表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態(tài)電流ES...

ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質(zhì)量）。當浪涌或外部噪聲通過連接器進入系統(tǒng)時，對后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護二極管。沒有ESD保護二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護二極管，大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護二極管動態(tài)電阻（Rdyn）表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態(tài)電流ES...

ESD保護二極管在醫(yī)療監(jiān)護儀、手術(shù)器械、診斷設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備中有廣泛應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設(shè)備性能和患者安全造成影響。在這些領(lǐng)域，設(shè)備對可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設(shè)備在極端環(huán)境下不受靜電放電的干擾。ESD保護二極管適用于任何需要防止靜電放電對電子設(shè)備造成損害的場合。隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用的不斷拓展，ESD保護二極管的應(yīng)用范圍也將越來越***適用于各種需要防止靜電放電對電子設(shè)備造成損害的場合。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號走線并行，尤其是ESD抗擾度低的走線。廣州新型ESD保護二極管SR15D3BL報價 ...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（E(g)）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外，隨著溫度升高，半導(dǎo)體晶格振動增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。多層二極管：由多個二極管層...

ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩(wěn)態(tài)下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質(zhì)量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質(zhì)量）。當浪涌或外部噪聲通過連接器進入系統(tǒng)時，對后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護二極管。沒有ESD保護二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護二極管，大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護二極管動態(tài)電阻（Rdyn）表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態(tài)電流ES...

低動態(tài)電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時，漏電流增加。電壓接近VBR時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電壓（VR）成指數(shù)增長。選擇VRWM高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時，pn結(jié)交界面形成耗盡層，耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護二極管，否則信號質(zhì)量會下降。星河微ESD靜電保護二極管采用了優(yōu)越的技術(shù)和材料可以快速地吸收和釋放靜電放電，從而保...

低動態(tài)電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時，漏電流增加。電壓接近VBR時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電壓（VR）成指數(shù)增長。選擇VRWM高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導(dǎo)通。此時，pn結(jié)交界面形成耗盡層，耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基礎(chǔ)上，正確選擇ESD保護二極管，否則信號質(zhì)量會下降。采用高壓抑制器件，可以很好地抑制靜電放電的高壓脈沖。深圳ESD保護二極管SR18D3...

由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導(dǎo)通。此時，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態(tài)：ESD保護二極管反向擊穿電壓（VBR）是否充分高于被保護信號線的振幅（最大電壓）ESD保護二極管總電容（CT）相對于受保護信號線的頻率是否足低，信號極性（即信號電壓是否像模擬信號一樣跨GND電位），當靜電放電（ESD）進入系統(tǒng)時，ESD保護二極管要么導(dǎo)通，要么反向擊穿。單向ESD保護二極管通過正ESD電擊時反向擊穿，負ESD電擊時導(dǎo)通吸收ESD能量。ESD 保...

SR18D3BL型號是一種18V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設(shè)備中。SR18D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電流，能有效保護電路免受靜電放電的影響，低反向漏電流，不會對電路產(chǎn)生過大的影響。SR18D3BL型號適用于需要保護的電路電壓在18V以下的場景，如手機、數(shù)碼相機、MP3等小型電子設(shè)備。SR24D3BL型號是一種24V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。不要將任何電路板走線與可能引入ESD脈沖的信號走線并行，尤其...

ESD保護二極管數(shù)據(jù)表含有動態(tài)電阻（RDYN）。RDYN是反向?qū)Ｊ较耉F–IF曲線的斜率。如果發(fā)生ESD沖擊，給定電壓下，低動態(tài)電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯(lián)阻抗。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流，減少流入受保護器件的電流，從而降低損壞的可能性。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護器件的電流。因此，ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測試...

反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規(guī)定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導(dǎo)規(guī)定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數(shù)。VBR定義為ESD保護二極管導(dǎo)通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規(guī)定電壓下反向偏置時，反向流動的漏電流。對于ESD保護二極管，IR按工作峰值反向電壓（VRWM）定義。鉗位電壓是ESD保護二極管指定峰值脈沖電流條件下比較大鉗制電壓。VC通常在多個峰值脈沖電流點測量。如第6節(jié)（圖6.1）所示，峰值脈沖電流使用8／20μs波形。動態(tài)電阻和鉗位電壓**ESD保護二極管的ESD性能。esd保護二極管是一種專門設(shè)計用于保護電子設(shè)備免受靜電放電影響...

ESD保護二極管是一種齊納二極管。當二極管反向偏置時，有很少的電流從陰極流向陽極。然而，當反向偏壓超過某一點（稱為反向擊穿電壓）時，反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加，無論二極管流過的電流大小，二極管都會形成恒定電壓區(qū)域。利用齊納二極管擊穿電壓（齊納電壓）特性可以構(gòu)成恒壓穩(wěn)壓器，抑制浪涌電壓。齊納穩(wěn)壓二極管用于保持恒定電壓，而ESD保護二極管用于吸收ESD能量，保護電路。反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。ESD靜電保護二極管已應(yīng)用于多個客戶的電子設(shè)備中，如手機、電視、電腦、數(shù)碼相機、汽車電子、醫(yī)療設(shè)備等。廣州新型ESD保護二極管 TVS二極管（ESD保護二極管）的...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發(fā)生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發(fā)生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁帶（E(g)）寬度減小，從而產(chǎn)生齊納效應(yīng)。此外，隨著溫度升高，半導(dǎo)體晶格振動增加，載流子遷移率相應(yīng)下降。因此，不太可能發(fā)生雪崩擊穿。齊納擊穿電壓隨溫度升高減小，而雪崩擊穿電壓隨溫度升高增加。通常，大多數(shù)情況下，齊納擊穿電壓約為6V以下，雪崩擊穿電壓約為6V以上。請注意，即使同一產(chǎn)品系列的二極管，溫度特性也不一樣。高可靠性：ESD靜電保護管...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區(qū)別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應(yīng)速度的特點，能夠有效保護電子設(shè)備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護二極管時，需要根據(jù)具體應(yīng)用場景來選擇合適的型號，以達到保護效果。在使用ESD保護二極管時，還需要注意以下幾點：正確安裝：ESD保護二極管應(yīng)正確安裝在需要保護的信號線上，以確保其能夠有效地工作。合理布局：在電路設(shè)計中，應(yīng)合理布局ESD保護二極管，以避免信號線之間的干擾。ESD保護二極管具有快速響應(yīng)能力，能夠在極短的時間內(nèi)導(dǎo)通并釋放靜電能量。深圳新型ESD保護二極管SR08D3BL型號多少錢 ...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過二極管2，然后反向流過二極管3，因為二極管3的VBR低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護二極管配置如圖3.5（a）所示時，ESD電流不會反向流過二極管1和二極管2。因此，這個電路整體上提高了ESD...

SR18D3BL是一款18V的ESD保護二極管，峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應(yīng)速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此，SR18D3BL適用于需要高速響應(yīng)和低電容的應(yīng)用場景，如USB接口、HDMI接口、以太網(wǎng)接口等。SR24D3BL是一款24V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A。相較于SR18D3BL，SR24D3BL的電壓等級更高，因此適用于需要更高電壓保護的應(yīng)用場景，如電源線、電池充電器等。SR12D3BL是一款12V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應(yīng)速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。星河微...

ESD保護二極管考慮到要保護的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調(diào)制數(shù)字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護二極管可用于高于和低于GND范圍的信號，如下圖所示。（單向和雙向二極管均可用于電壓*為正或*為負的信號。)在發(fā)生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。ESD靜電保護二極管已應(yīng)用于多個客戶的電子設(shè)備中，如手機、電視、電腦、數(shù)碼相機、汽車...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區(qū)別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應(yīng)速度的特點，能夠有效保護電子設(shè)備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護二極管時，需要根據(jù)具體應(yīng)用場景來選擇合適的型號，以達到保護效果。在使用ESD保護二極管時，還需要注意以下幾點：正確安裝：ESD保護二極管應(yīng)正確安裝在需要保護的信號線上，以確保其能夠有效地工作。合理布局：在電路設(shè)計中，應(yīng)合理布局ESD保護二極管，以避免信號線之間的干擾。星河微ESD靜電保護二極管具有高性價比，可以幫助用戶降低運營成本，提升設(shè)備的可靠性延長設(shè)備的使用壽命。廣州星河微/SReleic...

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對ESD保護二極管的要求也越來越高。未來的ESD保護二極管將朝著更高性能、更小體積、更低寄生電容的方向發(fā)展。同時，隨著新材料和新工藝的應(yīng)用，ESD保護二極管的性能將得到進一步提升，為電子設(shè)備的安全運行提供更加可靠的保障。ESD保護二極管在以下情況下使用比較合適：數(shù)據(jù)傳輸接口：如USB、HDMI、Ethernet和Serial等接口，常暴露在外部環(huán)境中，易受到靜電放電的影響。ESD保護二極管可以有效保護這些接口，防止靜電放電造成的電壓瞬變對內(nèi)部電路的破壞。ESD靜電保護管的安全性是非常高的。它采用了多種保護措施，可以有效防止靜電放電對電子元器件造成的損害。深...

EAP配置中低電容ESD保護二極管：它由三個二極管組成：低電容二極管1和二極管2（電容分別為C(1)和C(2)）和高電容二極管3（電容為C(3)）。二極管1和二極管2的pn結(jié)面積小，反向擊穿電壓（V(BR)）高，而二極管3的pn結(jié)面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（V(BR)）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1，加到陰極的ESD電流沿正向流過二極管2，然后反向流過二極管3，因為二極管3的V(BR)低于二極管1。通常，二極管反向ESD能量耐受性低于正向。由于二極管1和二極管2的pn結(jié)面積較小，因此它們的反向ESD能量耐受性更差。然而，ESD保護二極管配置如圖3.5（a）所示時...

工業(yè)自動化、醫(yī)療設(shè)備和汽車電子：在這些領(lǐng)域中，傳感器廣泛應(yīng)用于各種設(shè)備和系統(tǒng)中，其接口暴露在外界環(huán)境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護二極管可以保護這些傳感器接口，確保傳感器能夠在惡劣環(huán)境中可靠工作。例如，在觸摸屏設(shè)備中，ESD保護二極管可以保護觸摸控制器免受靜電放電的損害，保證觸摸屏的正常功能。消費電子設(shè)備：現(xiàn)代消費電子設(shè)備，如智能手機、平板電腦、智能手表等，集成了大量的精密電子元件。這些設(shè)備的接口和按鍵區(qū)域很容易受到靜電放電的侵害。使用ESD保護二極管能夠有效防止靜電放電對設(shè)備內(nèi)部電路的損壞，延長設(shè)備的使用壽命，提高用戶體驗。ESD靜電保護管的安全性是非常高的。它采用...

ESD保護二極管動態(tài)電阻與流入受保護器件的電流： 如何計算ESD保護二極管的動態(tài)電阻（R(DYN)），以及ESD電擊時浪涌電流的流向。如果ESD保護二極管阻抗（即動態(tài)電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護器件的電流。因此，ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測試用于納秒級寬度短脈沖，根據(jù)隨時間變化的電流-電壓關(guān)系可研究二極管的電流-電壓（I-V）特性。下圖中，TLP I和TLP V分別**電流和電壓。星河微ESD靜電保護二極管可以在各種環(huán)境下工作，包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。廣...

ESD保護二極管在醫(yī)療監(jiān)護儀、手術(shù)器械、診斷設(shè)備等醫(yī)療設(shè)備中有廣泛應(yīng)用。醫(yī)療設(shè)備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設(shè)備性能和患者安全造成影響。在這些領(lǐng)域，設(shè)備對可靠性和穩(wěn)定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設(shè)備在極端環(huán)境下不受靜電放電的干擾。ESD保護二極管適用于任何需要防止靜電放電對電子設(shè)備造成損害的場合。隨著電子設(shè)備的普及和應(yīng)用的不斷拓展，ESD保護二極管的應(yīng)用范圍也將越來越***適用于各種需要防止靜電放電對電子設(shè)備造成損害的場合。ESD保護二極管用于通信接口：如USB、HDMI、RS-485等，這些接口在連接和斷開時容易產(chǎn)生靜電放電。星河微/SReleicsESD...

由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導(dǎo)通。此時，pn結(jié)形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態(tài)：ESD保護二極管反向擊穿電壓（VBR）是否充分高于被保護信號線的振幅（最大電壓）ESD保護二極管總電容（CT）相對于受保護信號線的頻率是否足低，信號極性（即信號電壓是否像模擬信號一樣跨GND電位），當靜電放電（ESD）進入系統(tǒng)時，ESD保護二極管要么導(dǎo)通，要么反向擊穿。單向ESD保護二極管通過正ESD電擊時反向擊穿，負ESD電擊時導(dǎo)通吸收ESD能量。采用多級保...