SR18D3BL是一款18V的ESD保護二極管，峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此，SR18D3BL適用于需要高速響應和低電容的應用場景，如USB接口、HDMI接口、以太網接口等。SR24D3BL是一款24V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A。相較于SR18D3BL，SR24D3BL的電壓等級更高，因此適用于需要更高電壓保護的應用場景，如電源線、電池充電器等。SR12D3BL是一款12V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。采用低...

ESD（Electrostatic Discharge，靜電放電）保護二極管***適用于各種需要防止靜電放電對電子設備造成損害的場合。以下是一些主要的應用場合：集成電路（IC）和半導體器件：在IC制造、封裝、測試以及**終產品組裝過程中，ESD保護二極管能夠保護脆弱的芯片不受靜電沖擊。特別是針對高集成度、低功耗和高速的IC，ESD保護二極管的作用尤為重要。消費電子設備：包括智能手機、平板電腦、筆記本電腦、相機、耳機等，這些設備在日常使用中容易遭受靜電放電的影響。高可靠性：ESD靜電保護管采用了多種材料和工藝，可以有效地提高產品的可靠性和穩定性。廣東新電 ESD保護二極管SR08D3...

保護二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護二極管，還可以用作穩壓器。保護二極管專門用于保護電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩壓的齊納二極管擊穿模式下保持導通。保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導通。當小電流（IZ）從陰極（K）流到陽極（A）時，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（VZ）。可用功率受二極管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護二極管插在信號線與GND之間，保護受保護器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒有ESD浪涌情況），除極少量電流（IR）流過二極管使其反向擊穿電壓（VBR）高于信號線電壓之外，...

SR08D3BL型號和SR12D3BL型號的優勢也有所不同。SR08D3BL型號的優勢在于其響應速度快，可以在納秒級別內響應ESD事件，有效保護電路。此外，SR08D3BL型號的封裝體積小，適合在空間受限的電路中使用。而SR12D3BL型號的優勢在于其電壓容忍度高，可以在更高的電壓下工作，同時其ESD保護效果也非常好。無論是SR08D3BL型號還是SR12D3BL型號，它們都具有以下優點：一是響應速度快，可以在納秒級別內響應ESD事件，保護電路；二是具有低電容和低電感，不會對電路的高頻性能產生影響；三是具有良好的ESD保護效果，可以很好地保護電路免受靜電放電的損害。SRV05-4：可用于 VG...

指接觸放電ESD容限，即通過與受保護器件直接接觸放電。ESD容限是根據國際電工委員會（IEC）IEC 61000-4-2標準規定的方法和ESD波形測量的。規定的VESD值是測試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測器件（EUT）與放電槍之間通過空氣層放電。IEC 61000-4-2規定了試驗方法和ESD波形。PPK是ESD保護二極管本身損壞之前可以分流的比較大浪涌功率。圖6.1顯示使用8／20μs脈沖波形測量的峰值脈沖功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，從100%下降到50%需要20μs。)ESD靜電保護管的安全性是非常高的。它采用了多種保護措施，可以有效防止...

反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導規定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規定電壓下反向偏置時，反向流動的漏電流。對于ESD保護二極管，IR按工作峰值反向電壓（VRWM）定義。鉗位電壓是ESD保護二極管指定峰值脈沖電流條件下比較大鉗制電壓。VC通常在多個峰值脈沖電流點測量。如第6節（圖6.1）所示，峰值脈沖電流使用8／20μs波形。動態電阻和鉗位電壓**ESD保護二極管的ESD性能。根據客戶的需求和設備的特點，可以設計合適的ESD靜電保護二極管...

SR12D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電流，能有效保護電路免受靜電放電的影響。低反向漏電流，不會對電路產生過大的影響。SR12D3BL型號適用于需要保護的電路電壓在12V以下的場景，如LED燈、電子秤、電子鐘等小型電子設備。SR18D3BL、SR24D3BL和SR12D3BL是三種常見的ESD保護二極管型號，它們在結構、參數和使用場景上有所不同。選擇合適的ESD保護二極管型號可以很好的保護電路免受靜電放電的影響，延長電子設備的使用壽命。采用多級保護電路，可以有效地提高保護效果。安徽新電 ESD保護二極管源頭工廠 ESD保護二極管需要具備極...

反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。當pn結反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應，電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。齊納擊穿如圖1.3所示。當pn反向偏置時，少量電子通過pn結。這些電子在耗盡層被電場加速，獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產生電子空穴。這些原子的電子被激發到導帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產生更多的電子-空穴對，導致電子進一步脫離的過程。這種現象稱為雪崩擊穿。DW05DLC-B-S：東沃品牌的型號，工作...

電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸的信號，而5pF電容的ESD保護二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時，二極管因pn結（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但...

ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩態下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高速信號質量）。當浪涌或外部噪聲通過連接器進入系統時，對后面器件（如IC）的影響很大程度上取決于是否有ESD保護二極管。沒有ESD保護二極管，浪涌電流全部直接流入敏感器件，造成器件故障或損壞。如果電路有ESD保護二極管，大部分浪涌電流通過它們分流到GND。ESD保護二極管動態電阻（Rdyn）表示浪涌電流分流到GND的難易程度。低動態電流ES...

電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸的信號，而5pF電容的ESD保護二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時，二極管因pn結（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但...

電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸的信號，而5pF電容的ESD保護二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時，二極管因pn結（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但...

使用不同類型保護二極管（ESD保護二極管和用于過壓保護的齊納二極管）ESD保護二極管是一種齊納二極管，專門用來保護電路免受過壓浪涌，特別是靜電放電（ESD）事件的影響。ESD保護二極管主要用于ESD短脈沖，以及脈沖寬度幾微秒以下的雷電感應和開關浪涌保護。專門用于脈沖寬度大于ESD浪涌保護的齊納二極管，稱為浪涌保護齊納二極管。這些齊納二極管適用于雷電感應和開關浪涌引起的、脈沖寬度大于幾微秒的過壓脈沖電路保護。ESD保護二極管專門用于過壓浪涌，特別是ESD放電電路保護，而不會影響信號線波形。星河微ESD靜電保護二極管可在各種環境下工作，包括高溫、低溫、高濕度、低濕度等條件下。深圳標準E...

ESD保護二極管總電容（C(T)）相對于受保護信號線的頻率是否足夠低：圖3.3顯示ESD保護二極管的等效電路。二極管在正常工作期間不導通。此時，pn結交界面形成耗盡層，如圖3.3所示。耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基礎上，正確選擇ESD保護二極管，否則信號質量會下降。圖3.4顯示了總電容（C(T)）分別為5pF、0.3pF和0.1pF的ESD保護二極管插入損耗特性。電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1p...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應速度的特點，能夠有效保護電子設備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護二極管時，需要根據具體應用場景來選擇合適的型號，以達到保護效果。在使用ESD保護二極管時，還需要注意以下幾點：正確安裝：ESD保護二極管應正確安裝在需要保護的信號線上，以確保其能夠有效地工作。合理布局：在電路設計中，應合理布局ESD保護二極管，以避免信號線之間的干擾。SRV05-4：可用于 VGA 模擬視頻輸出接口的靜電保護。廣州星河微/SReleicsESD保護二極管SR24D3BL型號多少...

TVS二極管（ESD保護二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態：正常工作狀態（無ESD事件）的主要特性。ESD保護二極管反向擊穿電壓（V(BR)）是否充分高于被保護信號線的振幅（最大電壓），ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（V(BR)）時，漏電流增加。電壓接近V(BR)時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（I(R)）...

當pn結反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應，電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。當pn反向偏置時，少量電子通過pn結。這些電子在耗盡層被電場加速，獲得較大動能。加速電子與晶格中的原子碰撞電離產生電子空穴。這些原子的電子被激發到導帶并脫離，成為自由電子。自由電子也加速并與其他原子碰撞，產生更多的電子-空穴對，導致電子進一步脫離的過程。這種現象稱為雪崩擊穿。低成本：ESD靜電保護管的成本相對較低，可在各種電子產品中廣泛應用。深圳新型ESD保護二極管SR12D3...

ESD保護二極管是一種基于PN結的半導體器件，其工作原理是在正常工作條件下呈現高阻抗狀態，而在靜電放電事件中，能夠迅速導通并將電荷釋放到地線，從而保護電子設備免受靜電放電的損害。當外部接口電壓超過ESD二極管的擊穿電壓時，二極管開始起作用，將電流分流到地，防止電壓超過內部電路的承受能力。ESD保護二極管具有快速響應能力，能夠在極短的時間內導通并釋放靜電能量。由于其獨特的設計和工作原理，ESD保護二極管能夠提供可靠的保護，防止電子設備因靜電放電而受損。盡量減少ESD保護二極管和受保護線路以及GND之間的串聯走線電感。新型ESD保護二極管SR12D3BL型號售價 由于ESD...

保護二極管是一種齊納二極管。齊納二極管不僅可以用作保護二極管，還可以用作穩壓器。保護二極管專門用于保護電路免受ESD和其他瞬變脈沖的影響。相比之下，用于穩壓的齊納二極管擊穿模式下保持導通。保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導通。當小電流（IZ）從陰極（K）流到陽極（A）時，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（VZ）。可用功率受二極管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。ESD保護二極管插在信號線與GND之間，保護受保護器件（DUP）免受電壓浪涌的影響。正常工作模式下（即沒有ESD浪涌情況），除極少量電流（IR）流過二極管使其反向擊穿電壓（VBR）高于信號線電壓之外，...

ESD保護二極管適用于各種電子設備，包括半導體工業、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設備和雷達設備等。半導體工業與集成電路：在芯片生產、組裝和運輸過程中，ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設備與雷達設備：在天線罩的金屬屏蔽層中使用ESD保護二極管，可以保護設備免受靜電放電的影響。電子儀器儀表：在精密電位差計、高精度的標準信號發生器等需要精確測量的場合，ESD保護二極管能夠確保測量的準確性。電子設備中的電容器與濾波器：作為電容器元件或抗干擾濾波器，ESD保護二極管能夠抑制共模干擾等不利因素。根據客戶的需求和設備的特點，可以設計合適的ESD靜電保護二極管的應用方案。...

TVS二極管（ESD保護二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態：正常工作狀態（無ESD事件）的主要特性。ESD保護二極管反向擊穿電壓（V(BR)）是否充分高于被保護信號線的振幅（最大電壓），ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（V(BR)）時，漏電流增加。電壓接近V(BR)時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（I(R)）...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應力超過規定的額定值，器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此，應注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調整過程中應力可能高于比較大額定值、環境溫度變化、輸入信號波動等情況。應考慮的主要額定值包括ESD保護二極管的ESD容限、峰值脈沖功率、結溫和存儲溫度。這些參數相互關聯，不能單獨考慮。它們還取決于外部電路條件。盡管***比較大額定值通常規定的環境溫度（Ta）為25°C，但有些規定參數溫度條件不同。醫療設備對靜電敏感，ESD保護二極管用于保護精密的電子元件。廣東標準ESD保護二極管SR08...

ESD保護二極管是一種齊納二極管。當二極管反向偏置時，有很少的電流從陰極流向陽極。然而，當反向偏壓超過某一點（稱為反向擊穿電壓）時，反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加，無論二極管流過的電流大小，二極管都會形成恒定電壓區域。利用齊納二極管擊穿電壓（齊納電壓）特性可以構成恒壓穩壓器，抑制浪涌電壓。齊納穩壓二極管用于保持恒定電壓，而ESD保護二極管用于吸收ESD能量，保護電路。反向擊穿電壓由齊納擊穿或雪崩擊穿決定。ESD二極管可以用于保護直流電源線和交流電源線，避免靜電放電對電源管理IC和其他關鍵電源電路的影響。標準ESD保護二極管SR08D3BL近期價格 esd二級保護管在選型...

低動態電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時，漏電流增加。電壓接近VBR時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電壓（VR）成指數增長。選擇VRWM高于被保護信號線振幅的ESD保護二極管非常重要。二極管在正常工作期間不導通。此時，pn結交界面形成耗盡層，耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基礎上，正確選擇ESD保護二極管，否則信號質量會下降。電源端口：電源端口是靜電放電的常見入口，ESD保護二極管在這里發揮著重要作用。廣東E...

ESD保護二極管是一種用于抑制靜電感應和瞬時過壓的半導體器件，在電路中起到了關鍵的保護作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應用于計算機系統、通信設備以及工業控制設備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩定等特點，是現代電子設備中不可或缺的一部分。ESD保護二極管的工作原理基于其內部的PN結結構。當外部電壓超過二極管的額定電壓時，PN結會被擊穿，形成導電通道，將靜電放電的能量導入地面，從而保護電路元件免受損壞。在靜電放電結束后，二極管會自動恢復高阻態，防止電流流過，確保電路的正常運行。易于集成：ESD靜電保護管可以與其他電子元器件集成在一起，方便設計和...

ESD保護二極管在醫療監護儀、手術器械、診斷設備等醫療設備中有廣泛應用。醫療設備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設備性能和患者安全造成影響。在這些領域，設備對可靠性和穩定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設備在極端環境下不受靜電放電的干擾。ESD保護二極管適用于任何需要防止靜電放電對電子設備造成損害的場合。隨著電子設備的普及和應用的不斷拓展，ESD保護二極管的應用范圍也將越來越***適用于各種需要防止靜電放電對電子設備造成損害的場合。ESD二極管可以有效保護USB、HDMI、Ethernet接口，防止靜電放電造成的電壓瞬變對內部電路的破壞。廣州ESD保護二極管SR15...

電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影響二極管傳輸的信號，而5pF電容的ESD保護二極管插入損耗大，通過二極管的信號明顯衰減。反向偏置時，二極管因pn結（p:p型半導體，n:n型半導體）形成耗盡層產生電容。與電容相反，耗盡層起阻擋層的作用，只有少數載流子通過。降低半導體區摻雜濃度會增加耗盡層寬度。因此，為了減小二極管的電容，有必要減小pn結面積或提高反向擊穿電壓（VBR），但...

ESD保護二極管數據表含有動態電阻（RDYN）。RDYN是反向導通模式下VF–IF曲線的斜率。如果發生ESD沖擊，給定電壓下，低動態電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯阻抗。如果ESD保護二極管阻抗（即動態電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流，減少流入受保護器件的電流，從而降低損壞的可能性。如果ESD保護二極管阻抗（即動態電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流入受保護器件的電流。因此，ESD保護二極管有助于防止手保護啊器件因ESD沖擊而損壞。傳輸線脈沖（TLP）測試...

SR12D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電流，能有效保護電路免受靜電放電的影響。低反向漏電流，不會對電路產生過大的影響。SR12D3BL型號適用于需要保護的電路電壓在12V以下的場景，如LED燈、電子秤、電子鐘等小型電子設備。SR18D3BL、SR24D3BL和SR12D3BL是三種常見的ESD保護二極管型號，它們在結構、參數和使用場景上有所不同。選擇合適的ESD保護二極管型號可以很好的保護電路免受靜電放電的影響，延長電子設備的使用壽命。星河微ESD靜電保護二極管具有高性價比，可以幫助用戶降低運營成本，提升設備的可靠性延長設備的使用壽命。廣東新型ESD...

指接觸放電ESD容限，即通過與受保護器件直接接觸放電。ESD容限是根據國際電工委員會（IEC）IEC 61000-4-2標準規定的方法和ESD波形測量的。規定的VESD值是測試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測器件（EUT）與放電槍之間通過空氣層放電。IEC 61000-4-2規定了試驗方法和ESD波形。PPK是ESD保護二極管本身損壞之前可以分流的比較大浪涌功率。圖6.1顯示使用8／20μs脈沖波形測量的峰值脈沖功率。(8／20μs表示波形上升到100%需要8μs，從100%下降到50%需要20μs。)靜電放電測試：模擬靜電放電事件，測試二極管的響應時間和保護能力。廣東標...