在技術(shù)上，稀土的技術(shù)門檻和涉及的上下游也和半導(dǎo)體差距很大。稀土的主要門檻是精煉能力，在這方面中國(guó)是全球頭一。但別國(guó)若想在技術(shù)上追平我國(guó)，或許比我們?cè)诎雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的資金與時(shí)間少許多。在上下游產(chǎn)業(yè)鏈中，半導(dǎo)體牽扯到的產(chǎn)業(yè)鏈無(wú)疑更為普遍，從設(shè)計(jì)到制造、還有設(shè)備，材...

共摻Tm3和Ho3固態(tài)激光器。Ho3的5I7能級(jí)與Tm3的3F4能級(jí)相匹配，很容易實(shí)現(xiàn)它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實(shí)現(xiàn)2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發(fā)生上轉(zhuǎn)換發(fā)光和反向能量轉(zhuǎn)移，影響上能級(jí)粒子的聚集，降低激光效率...

假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，因此，無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān).NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約4...

CeYAG是一種重要的具有優(yōu)良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發(fā)光效率和寬的光脈沖，較大優(yōu)點(diǎn)是其發(fā)光中心波長(zhǎng)為550nm，可以與硅光二極管等探測(cè)設(shè)備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間（約70ns，而CsI衰減時(shí)間約為300ns），而且...

對(duì)于摻Ce3的無(wú)機(jī)閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機(jī)制一般認(rèn)為如下:晶體吸收高能射線后，晶體內(nèi)部產(chǎn)生大量的熱化電子空穴對(duì)。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發(fā)光中心的Ce3離子首先俘獲一個(gè)空穴形成Ce4離子。然后一個(gè)電子被捕獲...

國(guó)外生長(zhǎng)的YAP單晶已達(dá)到50毫米，長(zhǎng)約150毫米，重約1380克。隨著生長(zhǎng)技術(shù)的提高，中科院上海光學(xué)力學(xué)研究所已經(jīng)能夠生長(zhǎng)出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質(zhì)量有待進(jìn)一步提高。比較了不同價(jià)離子摻雜對(duì)Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結(jié)果表明，二價(jià)離子摻...

晶體中e3的電子結(jié)構(gòu)、能級(jí)結(jié)構(gòu)和發(fā)光特性，給出了鑭系元素的電子殼層結(jié)構(gòu)和離子半徑。從表中可以看出，Ce元素的電子結(jié)構(gòu)為[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的電子結(jié)構(gòu)以[Xe]4f1為特征，Ce3的內(nèi)部電子結(jié)構(gòu)為惰性原子結(jié)構(gòu)，0外層只有一個(gè)電子結(jié)構(gòu)，所以Ce3...

Ce：YAG晶體的硬度能達(dá)到多少？深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無(wú)機(jī)閃爍晶體。無(wú)機(jī)閃爍晶體發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射過(guò)程包括從熱化電子-空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移和發(fā)光中心的激發(fā)和發(fā)射。電子空穴對(duì)的能量轉(zhuǎn)移效率取決于電子空穴相對(duì)發(fā)光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發(fā)光...

NdYAG和YbYAG是石榴石結(jié)構(gòu)鋁酸鹽激光晶體體系，具有優(yōu)良的激光性能，適合LD泵浦，是國(guó)內(nèi)外全固態(tài)激光器主要工作物質(zhì)，是激光晶體研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一。Nd/YbYAG激光晶體是一種新型激光工作物質(zhì)，在民用等領(lǐng)域?qū)a(chǎn)生較大的經(jīng)濟(jì)和社會(huì)效益。YbYAG晶體更適合...

Tm:YAP晶體能級(jí)結(jié)構(gòu)通過(guò)低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準(zhǔn)確的確定Tm:YAP晶體的能級(jí)結(jié)構(gòu)。如圖4-17，由吸收譜和發(fā)射譜交疊，可確定3F4能級(jí)零聲子線位置EZL=5621cm-1，然后根據(jù)發(fā)射譜確定基態(tài)13個(gè)stark能級(jí)，再根據(jù)吸收譜確定激發(fā)態(tài)能級(jí)，在這...

實(shí)驗(yàn)測(cè)試在上海硅酸鹽研究所自行研制的激光脈沖法高溫?zé)釘U(kuò)散率測(cè)定儀上進(jìn)行，測(cè)試時(shí)樣品表面加SiC吸收涂層。 YAP晶體屬于什么結(jié)構(gòu)？Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性多少？(1)渡族金屬離子。渡族金屬離子，如鉻(Cr3)、鈦(Ti3)、鎳(Ni3)、...

兩項(xiàng)一般性意見(jiàn)如下：如上所述，快電子在非彈性散射過(guò)程中會(huì)損失能量。這是文學(xué)中常見(jiàn)的表達(dá)。但是，能量實(shí)際上并沒(méi)有損失，而是分布到了二次電子激發(fā)。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競(jìng)爭(zhēng)的過(guò)程引起的：點(diǎn)缺陷的形成、聲子，的產(chǎn)生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長(zhǎng)期磷...

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長(zhǎng)...

一般來(lái)說(shuō)，m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí)，晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān))，可以得出：無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要...

使用鈦寶石放大器輸出的重復(fù)頻率為50kHz、中心波長(zhǎng)為775nm、脈沖寬度為160fs的超快激光在摻鐿釔鋁石榴石(YbYAG)中刻寫雙線型光波導(dǎo)的過(guò)程。發(fā)現(xiàn)了波導(dǎo)具有偏振導(dǎo)光現(xiàn)象，偏振態(tài)平行于雙線方向的激光可以導(dǎo)通，偏振態(tài)垂直于雙線方向的激光不能導(dǎo)通。詳細(xì)分析...

從宏觀上看，直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質(zhì)量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長(zhǎng)的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較...

脈沖LD端面抽運(yùn)變熱導(dǎo)率方片YbYAG晶體溫度場(chǎng)，對(duì)脈沖激光二極管(LD)端面抽運(yùn)變熱導(dǎo)率方片YbYAG晶體的溫度場(chǎng)進(jìn)行了分析和研究，建立了端面絕熱，周邊恒溫的熱傳導(dǎo)模型，采用半解析理論，結(jié)合牛頓法得到了晶體的溫度場(chǎng)分布，分析了不同的抽運(yùn)功率，超高斯階次，光斑...

YAP晶體屬于什么結(jié)構(gòu)？4at%Tm:YAP激光實(shí)驗(yàn)在同樣條件下進(jìn)行，輸出耦合鏡的透射率為10%，樣品尺寸為3×3×5mm3，垂直c向切割。達(dá)到閾值所需要的泵浦功率約4.4W，當(dāng)泵浦功率為24W時(shí)，實(shí)現(xiàn)較大功率8.1W的激光輸出，波長(zhǎng)1.935mm，斜效率達(dá)4...

什么是閃爍晶體？關(guān)于閃爍晶體你對(duì)它了解多不多？和小編來(lái)看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因?yàn)檠劬δ芙邮罩車矬w發(fā)出或反射的可見(jiàn)光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見(jiàn)的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無(wú)法直接探測(cè)到，人...

同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見(jiàn)光(300納米)激發(fā)下，不同濃度Ce: YAP的熒光強(qiáng)度隨著濃度的增加而增加，直到0.5at%。當(dāng)濃度為1.0at%時(shí)，濃度淬滅，發(fā)光強(qiáng)度開始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發(fā)下的發(fā)光強(qiáng)度隨著濃度的增...

一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學(xué)透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(gè)(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過(guò)光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦，耦合進(jìn)光纖，多根光纖可以進(jìn)行捆綁合...

在室溫下，陷激子的三線態(tài)-單線態(tài)躍遷只在某些基質(zhì)中有效。具有復(fù)雜陰離子的化合物如WO4和MoO4也顯示出固有的發(fā)光。發(fā)光來(lái)源于電荷數(shù)高的過(guò)渡金屬離子，0外層電子構(gòu)型為np6nd0。有些化合物，如CdWO4和CaWO4，光輸出很高。在離子晶體中還觀察到了一種新的...

激光二極管斜面泵浦的固體板條激光器，它由諧振腔，YbYAG晶體，KTP倍頻晶體和制冷器相互連接組成，其相互連接關(guān)系為，諧振腔由反射膜片和輸出腔片構(gòu)成，在諧振腔內(nèi)依次放置有板條狀YbYAG晶體和KTP倍頻晶體，在板條狀YbYAG晶體兩側(cè)安裝有制冷器，板條狀YbY...

無(wú)機(jī)閃爍晶體在將高能射線或粒子轉(zhuǎn)化為低能光子的過(guò)程中，會(huì)發(fā)生一系列微觀過(guò)程，如一級(jí)和二級(jí)電離和激發(fā)、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對(duì)的俘獲、電子-空穴對(duì)與熒光中心之間的能量轉(zhuǎn)移等。當(dāng)經(jīng)歷電離事件時(shí)，閃爍體處于...

在半導(dǎo)體靶材領(lǐng)域，也有稀土相關(guān)身影出現(xiàn)，雖然絕大多數(shù)半導(dǎo)體芯片的濺射靶材都是采用的銅、鋁等傳統(tǒng)金屬，但仍有相當(dāng)一部分采用的是鉭靶、鉬靶等為主。比如鉬和氧化銦常被用做平板顯示靶材，鉭被用做芯片的靶材，鎢被用作存儲(chǔ)器芯片的靶材。稀土的另一大用途則是在激光方面，甚至...

高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無(wú)機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外，由于高能物理領(lǐng)域無(wú)機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大，合適的價(jià)格也是一個(gè)重要指標(biāo)，Ce：YAG晶體常規(guī)尺寸是多少？有效原子序數(shù)和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(shù)(Zeff)和密度直接或間接決定了輻...

鈰釔鋁石榴石(TGT)閃爍晶體的缺陷及其對(duì)晶體發(fā)光性能和閃爍時(shí)間的影響。生長(zhǎng)CeYAP晶體推薦貨源閃爍材料的發(fā)展歷史可以大致分為幾個(gè)階段？首先，用提拉法生長(zhǎng)大尺寸Ce: YAP晶體，包括改進(jìn)生長(zhǎng)設(shè)備和調(diào)整生長(zhǎng)工藝。因?yàn)橐郧暗纳L(zhǎng)工藝不適合生長(zhǎng)大尺寸的Ce: Y...

在不斷優(yōu)化設(shè)備激光加熱系統(tǒng)，調(diào)整生長(zhǎng)參數(shù)的基礎(chǔ)上，成功制備出直徑約0.2 mm長(zhǎng)710 mm YbYAG單晶光纖，LHPG單晶光纖生長(zhǎng)爐設(shè)備結(jié)構(gòu)如圖1所示。該YbYAG單晶光纖長(zhǎng)徑比＞3000，且直徑波動(dòng)在±5%以內(nèi)，是迄今為止在國(guó)內(nèi)外見(jiàn)諸報(bào)道的同類單晶光纖中...

在康普頓閃光過(guò)程中，電子與X射線或其他高能射線發(fā)生彈性散射，使得高能射線的波長(zhǎng)變長(zhǎng)，這是吸收輻射能的主要途徑之一。在康普頓效應(yīng)中，單個(gè)光子與單個(gè)自由電子或束縛電子碰撞。在碰撞中，光子將部分能量和動(dòng)量傳遞給電子，導(dǎo)致電子反沖。電子-正電子對(duì)是指輻射能直接轉(zhuǎn)化為物...

白光LED用CeYAG單晶光學(xué)性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長(zhǎng)了白光LED用CeYAG單晶，通過(guò)吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對(duì)其光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對(duì)其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波...