在技術上，稀土的技術門檻和涉及的上下游也和半導體差距很大。稀土的主要門檻是精煉能力，在這方面中國是全球頭一。但別國若想在技術上追平我國，或許比我們在半導體產業投入的資金與時間少許多。在上下游產業鏈中，半導體牽扯到的產業鏈無疑更為普遍，從設計到制造、還有設備，材...

共摻Tm3和Ho3固態激光器。Ho3的5I7能級與Tm3的3F4能級相匹配，很容易實現它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實現2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發生上轉換發光和反向能量轉移，影響上能級粒子的聚集，降低激光效率...

假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率有關)，因此，無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率()有關.NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約4...

CeYAG是一種重要的具有優良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發光效率和寬的光脈沖，較大優點是其發光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns，而CsI衰減時間約為300ns），而且...

對于摻Ce3的無機閃爍晶體，高能射線作用下的閃爍機制一般認為如下:晶體吸收高能射線后，晶體內部產生大量的熱化電子空穴對。由于鈰元素的四階電離能是所有稀土元素中比較低的(如圖1-6所示)，晶體發光中心的Ce3離子首先俘獲一個空穴形成Ce4離子。然后一個電子被捕獲...

國外生長的YAP單晶已達到50毫米，長約150毫米，重約1380克。隨著生長技術的提高，中科院上海光學力學研究所已經能夠生長出直徑為50 mm的大單晶，但形狀控制和質量有待進一步提高。比較了不同價離子摻雜對Ce: YAP晶體閃爍性能的影響。結果表明，二價離子摻...

晶體中e3的電子結構、能級結構和發光特性，給出了鑭系元素的電子殼層結構和離子半徑。從表中可以看出，Ce元素的電子結構為[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的電子結構以[Xe]4f1為特征，Ce3的內部電子結構為惰性原子結構，0外層只有一個電子結構，所以Ce3...

Ce：YAG晶體的硬度能達到多少？深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發光中心的激發和發射過程包括從熱化電子-空穴對到發光中心的能量轉移和發光中心的激發和發射。電子空穴對的能量轉移效率取決于電子空穴相對發光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發光...

NdYAG和YbYAG是石榴石結構鋁酸鹽激光晶體體系，具有優良的激光性能，適合LD泵浦，是國內外全固態激光器主要工作物質，是激光晶體研究領域的熱點之一。Nd/YbYAG激光晶體是一種新型激光工作物質，在民用等領域將產生較大的經濟和社會效益。YbYAG晶體更適合...

Tm:YAP晶體能級結構通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定Tm:YAP晶體的能級結構。如圖4-17，由吸收譜和發射譜交疊，可確定3F4能級零聲子線位置EZL=5621cm-1，然后根據發射譜確定基態13個stark能級，再根據吸收譜確定激發態能級，在這...

實驗測試在上海硅酸鹽研究所自行研制的激光脈沖法高溫熱擴散率測定儀上進行，測試時樣品表面加SiC吸收涂層。 YAP晶體屬于什么結構？Tm:YAP晶體熒光譜及熒光壽命的溫度依賴特性多少？(1)渡族金屬離子。渡族金屬離子，如鉻(Cr3)、鈦(Ti3)、鎳(Ni3)、...

兩項一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過程中會損失能量。這是文學中常見的表達。但是，能量實際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競爭的過程引起的：點缺陷的形成、聲子，的產生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長期磷...

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長...

一般來說，m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數量直接影響晶體的光輸出。假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率有關)，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要...

使用鈦寶石放大器輸出的重復頻率為50kHz、中心波長為775nm、脈沖寬度為160fs的超快激光在摻鐿釔鋁石榴石(YbYAG)中刻寫雙線型光波導的過程。發現了波導具有偏振導光現象，偏振態平行于雙線方向的激光可以導通，偏振態垂直于雙線方向的激光不能導通。詳細分析...

從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較...

脈沖LD端面抽運變熱導率方片YbYAG晶體溫度場，對脈沖激光二極管(LD)端面抽運變熱導率方片YbYAG晶體的溫度場進行了分析和研究，建立了端面絕熱，周邊恒溫的熱傳導模型，采用半解析理論，結合牛頓法得到了晶體的溫度場分布，分析了不同的抽運功率，超高斯階次，光斑...

YAP晶體屬于什么結構？4at%Tm:YAP激光實驗在同樣條件下進行，輸出耦合鏡的透射率為10%，樣品尺寸為3×3×5mm3，垂直c向切割。達到閾值所需要的泵浦功率約4.4W，當泵浦功率為24W時，實現較大功率8.1W的激光輸出，波長1.935mm，斜效率達4...

什么是閃爍晶體？關于閃爍晶體你對它了解多不多？和小編來看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因為眼睛能接收周圍物體發出或反射的可見光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無法直接探測到，人...

同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見光(300納米)激發下，不同濃度Ce: YAP的熒光強度隨著濃度的增加而增加，直到0.5at%。當濃度為1.0at%時，濃度淬滅，發光強度開始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發下的發光強度隨著濃度的增...

一種藍光半導體激光器激發CeYAG晶體的激光照明系統，包括藍光半導體激光器，光學耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍光半導體激光器經過光學耦合透鏡組的準直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合...

在室溫下，陷激子的三線態-單線態躍遷只在某些基質中有效。具有復雜陰離子的化合物如WO4和MoO4也顯示出固有的發光。發光來源于電荷數高的過渡金屬離子，0外層電子構型為np6nd0。有些化合物，如CdWO4和CaWO4，光輸出很高。在離子晶體中還觀察到了一種新的...

激光二極管斜面泵浦的固體板條激光器，它由諧振腔，YbYAG晶體，KTP倍頻晶體和制冷器相互連接組成，其相互連接關系為，諧振腔由反射膜片和輸出腔片構成，在諧振腔內依次放置有板條狀YbYAG晶體和KTP倍頻晶體，在板條狀YbYAG晶體兩側安裝有制冷器，板條狀YbY...

無機閃爍晶體在將高能射線或粒子轉化為低能光子的過程中，會發生一系列微觀過程，如一級和二級電離和激發、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對的俘獲、電子-空穴對與熒光中心之間的能量轉移等。當經歷電離事件時，閃爍體處于...

在半導體靶材領域，也有稀土相關身影出現，雖然絕大多數半導體芯片的濺射靶材都是采用的銅、鋁等傳統金屬，但仍有相當一部分采用的是鉭靶、鉬靶等為主。比如鉬和氧化銦常被用做平板顯示靶材，鉭被用做芯片的靶材，鎢被用作存儲器芯片的靶材。稀土的另一大用途則是在激光方面，甚至...

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數快、光輸出高。此外，由于高能物理領域無機閃爍晶體數量巨大，合適的價格也是一個重要指標，Ce：YAG晶體常規尺寸是多少？有效原子序數和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(Zeff)和密度直接或間接決定了輻...

鈰釔鋁石榴石(TGT)閃爍晶體的缺陷及其對晶體發光性能和閃爍時間的影響。生長CeYAP晶體推薦貨源閃爍材料的發展歷史可以大致分為幾個階段？首先，用提拉法生長大尺寸Ce: YAP晶體，包括改進生長設備和調整生長工藝。因為以前的生長工藝不適合生長大尺寸的Ce: Y...

在不斷優化設備激光加熱系統，調整生長參數的基礎上，成功制備出直徑約0.2 mm長710 mm YbYAG單晶光纖，LHPG單晶光纖生長爐設備結構如圖1所示。該YbYAG單晶光纖長徑比＞3000，且直徑波動在±5%以內，是迄今為止在國內外見諸報道的同類單晶光纖中...

在康普頓閃光過程中，電子與X射線或其他高能射線發生彈性散射，使得高能射線的波長變長，這是吸收輻射能的主要途徑之一。在康普頓效應中，單個光子與單個自由電子或束縛電子碰撞。在碰撞中，光子將部分能量和動量傳遞給電子，導致電子反沖。電子-正電子對是指輻射能直接轉化為物...

白光LED用CeYAG單晶光學性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發發射光譜和變溫光譜對其光學性能和熱穩定性進行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波...