電子元器件行業規模不斷增長，國內市場表現優于國際市場，多個下游企業的應用前景明朗，電子元器件行業具備廣闊的發展空間和增長潛力。閃爍過程的第四階段可以稱為遷移階段，因為遷移的電子激發并向發光中心轉移能量。通過電子空穴對與激子轉移能量是可能的。在第一種情況下，通過...

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是無機閃爍晶體的一個重要發展方向，而Ce:YAP和Ce:YAG是其中較有優勢的晶體。隨著應用需求的變化，對閃爍晶體尺寸的要求也在不斷增加，生長大尺寸的閃爍晶體變得更為重要。同時國內目前生長的Ce:YAP 晶...

鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出快衰減等閃爍特征，是今后無機閃爍晶體的一個重要發展方向。目前我國對閃爍晶體的研究主要集中在低熔點的閃爍晶體上，而且中科院上海硅酸鹽研究所和北京玻璃研究所等單位在BGO，PWO，CsI:Tl，BaF2等晶體的研究和開發上在國際...

隨溫度升高，基態中較高的Stark能級熱布局增大，因而躍遷強度增大。整個吸收光譜隨溫度升高重心紅移。低溫下Tm:YAP*有少量尖銳發射峰，隨溫度升高，譜線逐漸展寬，在左側出現新的熒光峰。BaY2F8是一種性能優良的激光晶體，近年來研究較多。Cornacchia...

Tm:YAP是二極管泵浦發射2μm波段激光的重要晶體。Tm:YAP與Tm:YAG晶體相比，雖然它們物理、化學性質相近，但Tm:YAP晶體的795nm泵浦吸收帶與常用的高功率AlGaAs二極管發射波長匹配得更好，并且它的泵浦吸收帶寬比Tm:YAG晶體寬4nm，效...

摻鈰釔鋁石榴石(Ce: YAP)作為一種性能優越的高溫閃爍晶體，在高能核物理和核醫學領域具有廣闊的應用前景。然而，在實際應用中，我國生長的Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題，直接影響晶體的發光效率。為了提高Ce: YAP晶體的閃爍性能，特別是發光強度，有必...

YbYAG晶體的熔點達1970℃，為一致熔融化合物，通常采用感應加熱熔體提拉法生長：首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱直至熔化，調整爐內溫度場，使熔體上部處于過冷狀態。然后在籽晶桿上安放所需籽晶，并讓籽晶接觸熔體表面。當籽晶表面稍熔后，慢慢向上提拉...

YAP晶體屬于扭曲鈣鈦礦結構的正交晶系，可視為晶格常數A=5.328，B=7.367，C=5.178的Al-O 八面體，所有頂點共享而成的三維結構，其結構如圖1-7所示。一個YAP原細胞中有四個YAP分子，晶體中有兩種可以置換的陽離子位置：一種是扭曲的YO1...

隨著高能物理、核物理及相關科學技術的快速發展，傳統無機閃爍晶體的缺點日益突出。尋找新的高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體具有重要的科學意義和巨大的市場價值。20世紀80年代末和90年代初，國際上掀起了對高光輸出快速衰減的無機閃爍晶體的研究熱潮。其中，1990年成立...

目前Ce:YAG高溫閃爍晶體已經商業化，主要用于掃描電子顯微鏡(SEM)的顯示元件，其生長方法主要有直拉法和溫度梯度法。近年來，Ce:YAG單晶薄膜[84]和Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體以其獨特的優勢引起了人們的關注。發光是一種能量被物體吸收并轉化為...

當您外出旅行攜帶行李通過安檢時，當患者就診做CT造影時，您或許不知道閃爍晶體正在為人們的安全和健康作出貢獻。事實上，閃爍晶體作為高級射線探測裝備關鍵部件的關鍵材料。隨著高重頻輻射成像技術的發展和時間飛行技術在核醫學成像領域的應用，超快閃爍晶體的重要性愈加凸顯，...

在顯示正常或異常功能方面，PET具有其他成像方法無法替代的優勢。在發達國家，正電子發射斷層掃描已經成為一種很廣使用的臨床診斷方法。例如，自1998年以來，美國食品和藥物管理局(FDA)和衛生保健金融管理局(HCFA)已同意為11種正電子發射斷層掃描成像診斷付費...

YbYAG晶體以其優異的熱學、機械、光學、激光性能成為新的研究熱點，被視為發展高效率、大功率固體激光器的一個主要方向，成為當前較有發展前景的全固態激光器工作物質。在民用、材料、信息等領域中的廣泛應用，迫切需要大尺寸、品質高的YbYAG晶體材料。但傳統生長方法、...

作為未摻雜晶體的ceF3具有本征發光，而另一方面，以Ce為基質的晶體和以Ce為摻雜劑的晶體表現出與Ce3相同的5d4f躍遷發光。表1-2無機閃爍體中主要電子躍遷和發光中心的分類，對于閃爍體，一般要求其發光中心具有較高的輻射躍遷概率。表1-2總結了無機閃爍晶體中...

一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的...

本發明的技術解決方案如下一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐.下文是和YbYAG晶體相關的一些知識的介紹，如果感興趣的就一起來看看吧，YbYAG激光晶體開裂的理論...

一種YbYAG激光晶體的生長方法，所用的裝置為感應加熱提拉式單晶爐，其步驟包括按照YbYAG比例稱量原料并混合均勻，置于銥坩堝中，裝爐。單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫。下籽晶生長晶體。晶體生長完畢緩慢降溫至室溫，出爐。其特征在于所述單晶爐緩慢抽真空、充氣和升溫的...

YbYAG晶體的生長裝置：晶體提拉法的裝置由以下部分組成：加熱系統：加熱系統由加熱、保溫、控溫三部分構成。較常用的加熱裝置分為電阻加熱和高頻線圈加熱兩大類。本次操作所采用的高頻線圈加熱，依靠的是高頻強電流流向環狀線圈，產生的強磁束會貫通銥金坩堝，坩堝內產生相對...