晶體中e3的電子結構、能級結構和發光特性，給出了鑭系元素的電子殼層結構和離子半徑。從表中可以看出，Ce元素的電子結構為[Xe]4f15d16s2，所以Ce3的電子結構以[Xe]4f1為特征，Ce3的內部電子結構為惰性原子結構，0外層只有一個電子結構，所以Ce3...

一般來說，閃爍體可以分為有機閃爍體(如萘和蒽)和無機閃爍體。Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人(1980)和R. Autrata等人(1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測的研究。1991年，Baryshev...

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優良的激光基質材料以及光學襯底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經廣泛應用于工業、**醫療、以及科研等領域。特別是近二十年來，隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發展，國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高...

YbYAG晶體的熔點達1970℃，為一致熔融化合物，通常采用感應加熱熔體提拉法生長：首先將待生長的晶體的原料放在耐高溫的坩堝中加熱直至熔化，調整爐內溫度場，使熔體上部處于過冷狀態。然后在籽晶桿上安放所需籽晶，并讓籽晶接觸熔體表面。當籽晶表面稍熔后，慢慢向上提拉...

無機閃爍晶體的性能表征？電子元器件是構成電子信息系統的基本功能單元，是各種電子元件、器件、模塊、部件、組件的統稱，同時還涵蓋與上述電子元器件結構與性能密切相關的封裝外殼、電子功能材料等。回顧過去一年國內激光晶體，閃爍晶體，光學晶體，光學元件及生產加工產業運行情...

不同厚度Ce:YAP晶體自吸收比較。當強度為J0的入射輻射穿過厚度為為x,的材料時，出射輻射的強度可以近似表示為：J=J0exp(-x) (1.8)其中為線性吸收系數。就伽馬射線而言，它們主要與固體中的電子相互作用。此時主要取決于固體中的電子密度ne和一個電子...

在不斷優化設備激光加熱系統，調整生長參數的基礎上，成功制備出直徑約0.2 mm長710 mm YbYAG單晶光纖，LHPG單晶光纖生長爐設備結構如圖1所示。該YbYAG單晶光纖長徑比＞3000，且直徑波動在±5%以內，是迄今為止在國內外見諸報道的同類單晶光纖中...

在激光制導等領域，半導體常常與稀土共同出現，甚至一些武器直接是用稀土命名。比如坦克使用的摻釹釔鋁石榴石激光測距機，這是現代先進坦克的標配裝備，從美國的M1到英國的“挑戰者”和德國的“豹2”，無一例外，它的測量距離達到20公里，精度比普通的光學測距儀高很多。稀土...

一般來說，作為激光工作物質的基體材料應具有以下特征：(1)良好的光學性能。基體材料應具有寬的傳輸線和高的透光率，以滿足激光輸出的需要。(2) 良好的力學和熱力學性能。基體應具有高的機械強度和導熱性，小的熱膨脹系數和穩定的熱光性能。由于激光會產生大量的熱能和一系...

2000年，Budni P A等人用120W光纖耦合二極管泵浦3% TM3360 ylF，獲得36W激光輸出[54]。然后Dergachev A報道了3.5%的Tm:YLF 1905-2067nm寬調諧CW激光輸出，多縱模輸出功率大于18W，斜率效率3...

Ce: YAP閃爍晶體的性能研究，摻鈰釔鋁石榴石(Ce: YAP)作為一種性能優越的高溫閃爍晶體，在高能核物理和核醫學領域具有廣闊的應用前景。然而，在實際應用中，我國生長的Ce: YAP晶體存在嚴重的自吸收問題，直接影響晶體的發光效率。為了提高Ce: YAP晶...

與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區間內，晶體光產額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對溫度依賴小的...

Ce: YAP晶體的退火，剛出爐的Ce:YAP單晶由于內部熱應力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長的晶體明顯，同時由于鈰離子的價態(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價鈰離子(Ce3)作為發光中心，因此不同的退火工藝條件對高溫閃爍晶體的閃爍...

不同摻雜濃度的YbYAG晶體，通過不同Yb3雜濃度30at﹪的YbYAG晶休的陰極射線發光譜，衰減時間，光輸出及其溫度依賴關系的測量研究了YbYAG晶體的閃爍性能。不同Yb3，摻雜濃度的YbYAG晶體具有不同的光輸出和淬滅溫度，光輸出隨Yb，摻雜濃度升高而降低...

發光中心分布在晶體中分布不均勻將會導致探測元件閃爍性能的差異，在一定程度上降低了閃爍探測器的整機性能。研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關系。下列圖表分別表示了Ce:YAG閃爍晶體的光輸出和衰減常數(快成分與慢成分)隨Ce離子的...

2002年，Batay L E等人報道了二極管泵浦的Tm:KYW晶體的連續可調激光輸出，較大功率為1.8W[51]。同年，他們在Tm:KYW晶體中實現了被動調Q激光輸出，比較大脈沖能量約為4J，**窄脈沖寬度為55ns[48]。2004年，Petrov等人...

通過測量不同溫度下YbYAG晶體的吸收光譜和低溫光譜發現，即使在低溫下，YbYAG晶體也具有非常豐富的吸收帶和發射帶，這主要是由于Yb的4f電子所受屏蔽較少，易于與周圍晶格產生較強的相互作用，并且YAG基質有非常豐富的聲子振動峰，當兩個Strak能級的間隔與晶...

YbYAG晶體主要特點：簡單的電子結構排除了激發態吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷。可根據要求提供定制。YbYAG晶體主要應用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術特性：吸收峰波長9...

Tm:YAP激光晶體，YAP晶體屬于正交畸變鈣鈦礦結構，是負雙軸晶體。其結構參數和基本理化性質。Tm:YAP具有與純YAP晶體相似的結構。與Tm:YAP相比，Tm:YAP具有類似于Tm:YAP的優異熱力學性能，并且由于其雙光軸，可以Tm:YAP激光器工作過程中...

Tm:YAP晶體主要應用在哪個領域？Tm:YAP晶體的光譜性能1.1.1 Tm:YAP晶體的吸收譜實驗中我們測試了常溫下Tm:YAP晶體的不同濃度（1at%，3at%，4at%，5at%）不同方向非偏振吸收譜及4at%濃度下的不同方向偏振吸收譜，并且對4at%...

室溫下YbYAG的上轉換熒光光譜，此熒光歸因于Yb3+離子的“合作”發光和Yb3+離子到稀土雜質離子的能量轉移。測試了YbYAG晶體的X射線熒光，發光峰對應于電荷遷移態到Yb3+離子的基態，激光態間的躍遷。研究了Cr，YbYAG晶體的熒光光譜，討論了Cr4+激...

Ce: YAP晶體的退火，剛出爐的Ce:YAP單晶由于內部熱應力較大，在加工過程中容易開裂，提拉法生長的晶體明顯，同時由于鈰離子的價態(Ce2、Ce3、Ce4)不同，高溫閃爍晶體中只有三價鈰離子(Ce3)作為發光中心，因此不同的退火工藝條件對高溫閃爍晶體的閃爍...

兩項一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過程中會損失能量。這是文學中常見的表達。但是，能量實際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競爭的過程引起的：點缺陷的形成、聲子，的產生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長期磷...

大芯層尺寸YbYAG晶體波導的設計，采用無膠鍵合(AFB)技術制備的晶體波導具有良好的模式限制作用.在考慮模式競爭的情況下，對晶體波導的單橫模條件進行計算，得出在芯層材料為原子數分數為 1%的YbYAG，內包層材料為原子數分數為0.5%的ErYAG中，芯層和內...

室溫下YbYAG的上轉換熒光光譜，此熒光歸因于Yb3+離子的“合作”發光和Yb3+離子到稀土雜質離子的能量轉移。測試了YbYAG晶體的X射線熒光，發光峰對應于電荷遷移態到Yb3+離子的基態，激光態間的躍遷。研究了Cr，YbYAG晶體的熒光光譜，討論了Cr4+激...

工業的“血液”叫石油，工業的“糧食”是芯片，而工業的“維生素”，名曰稀土。在全球的工業體系中，中東控制了“血液”，美國控制了“糧食”，而中國則占據了“維生素”大部分市場。稀土金屬是位于元素周期表ⅢB族中鈧、釔、鑭系17種元素的總稱，頭一個稀土元素發現距今已有2...

由于過渡金屬離子d層電子能級較多，且易受晶場影響，在YAP晶體中可能存在較多吸收帶。GDMS分析結果也說明我們生長的Ce: YAP 晶體中過渡金屬含量均小于 10ppm，對晶體發光影響可以忽略。YAP會出現著色現象嗎？上式中X 為傳感器受到的重量，重量間隔為1...

基于NdYAG晶體光纖的單頻脈沖激光放大器，在重點研發計劃項目的支持下，利用YbYAG晶體光纖和晶體細棒實現了平均功率大于70W的高效超快激光輸出，預計近期將實現大于100W的超快激光輸出。希望能將YbYAG晶體光纖超快激光的平均輸出功率提升至500W，在該功...

激光二極管抽運10at-%YbYAG晶體獲得高效連續激光輸出，用激光二極管作為抽運源，在室溫下獲得了YbYAG晶體的連續激光輸出，抽運的閾值功率較低為2.2W，當入射到晶體上的抽運功率為18W時，YbYAG晶體微片獲得了較大連續激光輸出功率為5.2 W，斜率效...

YbYAG晶體生長裝置有哪些，你知道嗎？YbYAG晶體的生長裝置：氣氛控制系統：YAG晶體生長時，通常充入高純度氮氣或氬氣等惰性氣體，用來保護銥金坩堝不被氧化損耗。后加熱器：后熱器可用高熔點氧化物如氧化鋁、陶瓷等制成。通常放在坩堝的上部，生長的晶體逐漸進入后熱...