室溫下晶體的吸收光譜是在JASCO V-570 type ultraviolet/visible/near-IR spectrophotometer 光譜儀上測定的。測試范圍一般為190~2500nm，從190~350nm范圍，光源為氘燈（deuterium ...

共摻Tm3和Ho3固態激光器。Ho3的5I7能級與Tm3的3F4能級相匹配，很容易實現它們之間的有效能量傳遞。利用ho3 敏化，高能脈沖激光可以實現2m焦耳以上的輸出。但是，Tm3和Ho3之間容易發生上轉換發光和反向能量轉移，影響上能級粒子的聚集，降低激光效率...

YbYAG晶體生長及激光性能，激光二極管(laserdiode，LD)泵浦的固體激光器的出現(簡稱DPSSL)是激光器發展史上一個重要的里程碑，是對傳統的的氣體放電光源泵浦激光器的一場革命.它把半導體的優點同固體激光器的優點結合起來，形成性能優越的全固化激光器...

為了更好了解Tm3+在Tm:YAP晶體中吸收躍遷特性以及其溫度依賴特性，我們測試了4at%Tm:YAP晶體b向樣品的變溫吸收譜。圖4-7為3H6→3H4躍遷對應的變溫吸收譜。低溫下Tm3+吸收為尖銳譜線，隨溫度升高，吸收峰變寬，吸收強度減弱，這是由于溫度升高，...

與傳統閃光燈泵浦的固態激光器相比，LDPSSL具有以下優點:(1)高轉換效率。泵浦燈為寬帶泵浦，燈的輻射光譜只有一小部分被晶體吸收轉化為激光能量，轉化效率只有3 ~ 6%；半導體激光器的發射波長與固態激光器工作物質的吸收峰重合，有效避免了不必要的損耗，光-光轉...

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波長...

Ce: YAG 閃爍晶體的生長參數：根據Ir坩堝的尺寸以及熱場條件，通過觀察YAP熔體對流狀態，本論文選擇晶體轉速為10-20RPM；考慮到Ce離子在YAP晶體中的分凝系數較大（約為0.5）和晶體的尺寸（Φ55mm），實驗中選用了1-2mm/h的提拉速度。生長...

目前，Ce:YAP閃爍晶體已有不同規格出售，主要采用直拉法和下降法生長。ce:yap的1.5.1.2晶體結構、生長、能級和光譜性質，Ce: YAP晶體的紅外光譜在4.9 um、4.0 um、3.7 um和3.1 um處有吸收帶，這可歸因于Ce3離子從2F5/2...

與YbYAG晶體相關的一些知識的介紹，感興趣的就一起來看看吧，用于固體激光系統的YbYAG激光晶體，采用中頻感應加熱提拉法生長，生長氣氛為中性(N_2)，生長速度：1.0-2.0mm/h，轉速：10-30r/min，經過退火后得到了無色透明的激光晶體。研究了Y...

YbYAG晶體主要特點：簡單的電子結構排除了激發態吸收和各種有害的猝滅過程。940 nm寬吸收帶2F5/2鐿能級的壽命。低量子缺陷。可根據要求提供定制。YbYAG晶體主要應用：材料加工，微加工，焊接，切割。高功率薄盤激光器。YbYAG晶體技術特性：吸收峰波長9...

摻Tm3鎢酸鹽晶體是近年來研究較多的一種激光晶體。常見的有Tm:KY(WO4)2(Tm:KYW)、Tm:KGd(WO4)2(Tm:KGdW)、Tm:KLu(WO4)2(Tm:KLuW)等。KReW屬于單斜雙軸晶體，其作為激光基質的優點是：離子間距大，易于實現高...

到目前為止，2m激光器經歷了近50年的發展，已經普遍應用于科學研究、醫療等領域。綜上所述，目前2m激光主要通過以下方式實現：摻Tm3固態激光器。摻Tm3固體激光器是2m波段**重要的固體激光器。Tm3離子在790nm附近的吸收與商用二極管的吸收匹配良好，2m波...

大功率LED照明的需求越來越大，但隨著藍光LED芯片功率的不斷上升，散熱和光衰減等問題也愈發顯現出來。為探索大功率LED特種照明，基于陣列藍光LED激發CeYAG熒光晶體，采用創新的結構裝置，在小面積端面輸出高流明密度的光。研究影響LED出光的因素、不同摻雜濃...

Tm:YAP晶體能級結構通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定Tm:YAP晶體的能級結構。綜上所述，摻Tm3 /Ho3的LD泵(包括單摻Tm3和Ho3；雙摻雜Tm3和Ho3)晶體具有結構緊湊、光束質量好、能滿足雷達發射源線寬度和脈沖寬度等傅里葉變化極限要求...

兩項一般性意見如下：如上所述，快電子在非彈性散射過程中會損失能量。這是文學中常見的表達。但是，能量實際上并沒有損失，而是分布到了二次電子激發。閃爍體中真正的能量損失是由以下與閃爍競爭的過程引起的：點缺陷的形成、聲子，的產生、二次電子和光子從晶體中逃逸以及長期磷...

Tm:YAG晶體中文名摻銩釔鋁石榴石晶體,Tm:YAG晶體具有2微米波長銩激光源的理想銩晶體棒介質。Tm:YAG晶體的H4和F4能級的自淬滅機制可在上能級產生雙光子激發，這就潛在地使得激光獲得了高量子效率的有效途徑。Tm:YAG晶體因為其工作波長為2013nm...

目前國內生長的Ce: YAP晶體仍存在出光率低的問題，其機理應該與自吸收有關，但尚未得到有效解決。為了比較不同退火條件下退火對自吸收的影響，我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構型的Ce3離子基態分裂為2F5/2和2F7/2雙態，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍...

通過測量不同溫度下YbYAG晶體的吸收光譜和低溫光譜發現，即使在低溫下，YbYAG晶體也具有非常豐富的吸收帶和發射帶，這主要是由于Yb的4f電子所受屏蔽較少，易于與周圍晶格產生較強的相互作用，并且YAG基質有非常豐富的聲子振動峰，當兩個Strak能級的間隔與晶...

在不斷優化設備激光加熱系統，調整生長參數的基礎上，成功制備出直徑約0.2 mm長710 mm YbYAG單晶光纖，LHPG單晶光纖生長爐設備結構如圖1所示。該YbYAG單晶光纖長徑比＞3000，且直徑波動在±5%以內，是迄今為止在國內外見諸報道的同類單晶光纖中...

白光LED用新型YAG單晶熒光材料的制備和光譜性能研究，采用提拉法生長Eu，CeYAG晶體及Gd，CeYAG晶體，并通過吸收光譜，激發，發射光譜及電光性能等對晶體材料的光譜特性進行表征.結果表明，Eu或Gd共摻雜的CeYAG單晶熒光材料均可以被波長460nm左...

激子和類激子熒光機制。這種機制主要依賴于晶體中產生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結合的無機閃爍晶體中，通常可以獲得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激...

Tm:YAP晶體能級結構通過低溫吸收譜和熒光譜，可以比較準確的確定Tm:YAP晶體的能級結構。如圖4-17，由吸收譜和發射譜交疊，可確定3F4能級零聲子線位置EZL=5621cm-1，然后根據發射譜確定基態13個stark能級，再根據吸收譜確定激發態能級，在這...

文獻已經系統地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現總結如下：相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對于γ-射線激發，快成分衰減時間約為26.7±0.12ns，強度占89±2%，慢成分衰減常數為140±10ns，對于α－粒子激發快成分衰減常數為2...

高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論，閃爍效率和光輸出，無機閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此，研究閃爍晶體的轉換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報道了閃爍材料閃爍...

Ce:YAP作為閃爍晶體的真正研究始于T. Takada等人[41](1980)和R. Autrata等人[42](1983)的提議以及YAP晶體作為掃描電鏡電子射線和紫外光子檢測的研究。1991年，Baryshevky等人用水平區熔法生長了Ce:YAP閃爍晶...

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數快、光輸出高。此外，由于高能物理領域無機閃爍晶體數量巨大，合適的價格也是一個重要指標，Ce：YAG晶體常規尺寸是多少？有效原子序數和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(Zeff)和密度直接或間接決定了輻...

CeYAG閃爍晶體還具有較好的光脈沖區分γ射線和α粒子的能力，能發射與硅光二極管有效耦合的550nm 熒光，以及具有YAG基質優良的物理化學等特征。因此，CeYAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測器可以應用于帶電粒子探測等核物理的實驗中。另外，CeYAG單晶片還...

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜，是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示，氫退火后264 ~ 270納米波...

無機閃爍晶體在將高能射線或粒子轉化為低能光子的過程中，會發生一系列微觀過程，如一級和二級電離和激發、電子-空穴、光子和激子的遷移、電子與電子、電子與聲子(矩陣)之間的弛豫、電子-空穴對的俘獲、電子-空穴對與熒光中心之間的能量轉移等。當經歷電離事件時，閃爍體處于...