白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

白光LED用CeYAG單晶光學(xué)性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長(zhǎng)了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發(fā)發(fā)射光譜和變溫光譜對(duì)其光學(xué)性能和熱穩(wěn)定性進(jìn)行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對(duì)其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長(zhǎng)的藍(lán)光有效激發(fā)，產(chǎn)生500~700 nm范圍內(nèi)的寬發(fā)射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對(duì)應(yīng)于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個(gè)吸收峰，據(jù)此量化分裂的5d能級(jí)能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導(dǎo)致了發(fā)光強(qiáng)度的降低，可降低幅度(13.28%)不大。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

以CeYAG單晶取代傳統(tǒng)，CeYAG熒光粉用于制備白光發(fā)光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅(qū)動(dòng)電壓的變化對(duì)其發(fā)射光譜，色坐標(biāo)，亮度，光視效能和色溫的影響. 研究結(jié)果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發(fā)射光的色坐標(biāo)以及藍(lán)光與黃綠光之間的相對(duì)強(qiáng)度可通過對(duì)CeYAG單晶片厚度的改變進(jìn)行調(diào)整.在恒定電壓驅(qū)動(dòng)下，白光LED樣品的亮度，光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加.當(dāng)CeYAG單晶厚度為0.6mm時(shí)，可獲得較純的白發(fā)射光，并且 其色坐標(biāo)具有較高的可靠性和穩(wěn)定性，基本不受驅(qū)動(dòng)電壓變化的影響.研究結(jié)果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)Ce:YAG單片機(jī)還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件。

一種藍(lán)光半導(dǎo)體激光器激發(fā)CeYAG晶體的照明系統(tǒng)，包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器、光學(xué)耦合透鏡組、光纖、CeYAG晶體模塊、光學(xué)透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上。其中N個(gè)(N≥1)藍(lán)光半導(dǎo)體激光器經(jīng)過光學(xué)耦合透鏡組的準(zhǔn)直和聚焦，耦合進(jìn)光纖，多根光纖可以進(jìn)行捆綁合束，也可以進(jìn)行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍(lán)光半導(dǎo)體激光激發(fā)具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產(chǎn)生490～700nm波段的熒光(即受激發(fā)熒光)，并通過對(duì)CeYAG晶體模塊的光學(xué)設(shè)計(jì)達(dá)到對(duì)透射的藍(lán)色激光和受激發(fā)熒光的勻化，光學(xué)透鏡組對(duì)CeYAG晶體模塊勻化后的光線進(jìn)行配光曲線的調(diào)節(jié)，從而產(chǎn)生用于照明領(lǐng)域的均勻白光。

光衰減常數(shù)是表征閃爍晶體光衰減的物理量，是表征無機(jī)閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計(jì)數(shù)應(yīng)用都要求無機(jī)閃爍晶體具有快速的光衰減常數(shù)。根據(jù)熒光理論，電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數(shù)為光衰減時(shí)間，其中c是光速，me是電子的質(zhì)量，e是電子的電荷，f是振子強(qiáng)度，n是材料的折射率，是躍遷的光波長(zhǎng)。從上面的公式可以推斷出發(fā)射短波長(zhǎng)閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數(shù)。此外，雜質(zhì)或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減，但這也會(huì)降低晶體的光輸出。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時(shí)間。

采用提拉法生長(zhǎng)CeYAG單晶，通過X射線衍射和激發(fā)發(fā)射光譜對(duì)其晶相結(jié)構(gòu)和光譜特性進(jìn)行了表征，研究了CeYAG單晶封裝白光LED的較佳摻雜濃度.在455 nm藍(lán)光激發(fā)下，CeYAG單晶的發(fā)射光譜可由中心波長(zhǎng)526 nm(5d12 EgГ8g→4f12 F7/2Г8u)的寬發(fā)射帶(500650 nm)組成激發(fā)光譜由343 nm (4f12F5/2Г7u→5d12EgГ7g)和466 nm(4f12F5/2Г7u→5d12EgГ8g)2個(gè)激發(fā)峰組成Stokes位移為2448cm-1，Huang-Rhys因子為6.12.研究結(jié)果表明，CeYAG單晶中Ce離子摻雜濃度與封裝的白光LED之間有對(duì)應(yīng)關(guān)系，在650nm紅粉調(diào)節(jié)下Ce離子較佳摻雜濃度范圍為0.0340.066。CeYAG晶體的激光照明系統(tǒng)，包括藍(lán)光半導(dǎo)體激光器，光學(xué)耦合透鏡組。白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫。白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

CeYAG閃爍晶體還具有較好的光脈沖區(qū)分γ射線和α粒子的能力，能發(fā)射與硅光二極管有效耦合的550nm 熒光，以及具有YAG基質(zhì)優(yōu)良的物理化學(xué)等特征。因此，CeYAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測(cè)器可以應(yīng)用于帶電粒子探測(cè)等核物理的實(shí)驗(yàn)中。另外，CeYAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規(guī)模集成電路的檢測(cè)方面有著重要的應(yīng)用。據(jù)報(bào)道現(xiàn)有人研究用CeYAG單晶代替CeYAG熒光粉作高亮白光LED熒光材料。希望以上的一些介紹能夠幫助到你。白光LED用CeYAG晶體生產(chǎn)

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