目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產業(yè)化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的...

2、鋁碳化硅材料成型的關鍵技術：由于金屬所固有的物理和化學特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關鍵技術，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學反應；增強材料與基體浸潤性差；增強材料在基體中的分布。 （1）、高溫...

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產業(yè)化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的...

真空壓力浸滲法 工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加（—表面處理） 工藝設備：真空壓力浸滲爐 工藝優(yōu)勢：1、可實現(xiàn)近凈成型加工，尤其是復雜的零件；2、組織致密度高，材料性...

AlSiC封裝材料產業(yè)化引起國內科研院所、大學等單位的***重視，積極著手研發(fā)其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業(yè)化生產積累經驗, 離規(guī)模化生產尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位...

真空壓力浸滲法 工藝流程；多孔SiC陶瓷制備—模具裝配—盛鋁坩堝裝爐—抽真空、升溫、浸滲—工裝拆解—鋁碳化硅熱處理—機加（—表面處理） 工藝設備：真空壓力浸滲爐 工藝優(yōu)勢：1、可實現(xiàn)近凈成型加工，尤其是復雜的零件；2、組織致密度高，材料性...

AlSiC封裝材料產業(yè)化引起國內科研院所、大學等單位的***重視，積極著手研發(fā)其凈成形工藝，部分單位研制成功樣品，為AlSiC工業(yè)化生產積累經驗, 離規(guī)模化生產尚有一定距離，存在成本高、SiC體積含量不高、低粘度、55% ~ 75%高體積分材料的制備與漿粒原位...

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍...

a、T/R模塊封裝：機載雷達天線安裝在飛機萬向支架上，采用機電方式掃描，其發(fā)展的重要轉折點是從美國F-22開始應用有源電子掃描相控陣天線AESA體制，其探測距離下表所示：圖三機載雷達探測距離 APG-80捷變波束雷達、多功能機頭相控陣一體化航電系統(tǒng)、...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內進行調節(jié)， 由此決定了產品的競爭力，相繼開發(fā)出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特...

鋁基碳化硅（AlSiC）的全稱是鋁基碳化硅顆粒增強復合材料，采用鋁合金作為基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作為增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。它充分結合了碳化硅陶瓷和金屬鋁的不同優(yōu)勢，具有高導...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應用1、性能優(yōu)勢及應用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～...

(4)、超聲加工： 超聲加工(USM)是指將超聲波和數(shù)控加工中心相互結合，在數(shù)控加工中心上由超聲發(fā)生器產生高頻電振蕩(一般為16kHz～25kHz)，施加于超聲換能器上，將高頻電振蕩轉換成超聲頻振動。超聲振動通過變幅桿放大振幅，并驅動以一定的靜壓力壓...

5、鋁碳化硅材料制機械加工技術介紹： 鋁碳化硅材料，尤其是高體分鋁碳化硅機械加工是產品制造中的難點環(huán)節(jié)，主要體現(xiàn)在鋁碳化硅的高耐磨，以及加工周期長等方面。 （1）、傳統(tǒng)機械加工技術：SiC增強體顆粒比常用的刀具(如高速鋼刀具和硬質合金刀具)的硬...

倒裝芯片封裝FCP技術優(yōu)勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能，適合高引腳數(shù)、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護...

鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態(tài)，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優(yōu)越性能。鋁碳化硅研發(fā)較...

2、鋁碳化硅材料成型的關鍵技術：由于金屬所固有的物理和化學特性，其加工性能不如樹脂好，在制造鋁基碳化硅材料中還需解決一些關鍵技術，其中主要表現(xiàn)于：加工溫度高，在高溫下易發(fā)生不利的化學反應；增強材料與基體浸潤性差；增強材料在基體中的分布。 （1）、高溫...

倒裝芯片封裝FCP技術優(yōu)勢在于能大幅度提高產品的電性能、散熱效能，適合高引腳數(shù)、高速、多功 能的器件。AlSiC的CTE能夠與介電襯底、焊球陣列、低溫燒結陶瓷以及印刷電路板相匹配，同時還具有髙熱傳導率、**度和硬度，是倒裝焊蓋板的理想材料，為芯片提供高可靠保護...

二、高體分鋁碳化硅（SiC體積比55%-75%）材料介紹與應用1、性能優(yōu)勢及應用方向：（1）、低密度：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅的密度一般在3.1g/cm3左右，密度**低于W/Cu合金（｛11～18｝g/cm3）、Mo/Cu合金（｛9～1...

AESA由數(shù)以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構成，在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發(fā)射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產關鍵在其封裝技術上，因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。A...

在國內，隨著AESA產品的定型，T/R模塊出現(xiàn)批量生產需求，其基板、殼體的生產極為關鍵，采用近凈成形技術，研制出小批量T/R模塊封裝外殼樣品。用無壓溶滲AlSiC制作基座替代W-Cu基座，封裝微波功率器件，按GJB33A-97和GJB128A-97軍標嚴格考核...

熔滲法是AlSiC制備的關鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據(jù)生產過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應，同時與精度的模具相配套，獲得...

(2)、銑磨加工技術： 目前，切削加工是AlSiC復合材料的主要加工方法，但在切削加工中存在刀具磨損嚴重和難以獲得良好加工表面質量的問題。有研究提出了顆粒增強AlSiC復合材料的銑磨加工方法。這種加工方法使用金剛石砂輪(電鍍或燒結)在數(shù)控銑床上對工件...

超聲加工的主要特點是： 不受鋁碳化硅材料是否導電的限制；工具對鋁碳化硅工件的宏觀作用力小、熱影響小，因而可加工薄壁、窄縫和薄片工件；被加工材料的脆性越大越容易加工，材料越硬或強度、韌性越大則越難加工；由于鋁碳化硅工件材料的碎除主要靠磨料的作用，磨料的...

2、高體分鋁碳化硅的主要應用領域——電子封裝：高體分鋁碳化硅為第三代半導體封裝材料，已率先實現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產業(yè)化，滿足半導體芯片集成度沿摩爾定律提高導致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的“輕薄微小”的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路...

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發(fā)一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發(fā)相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業(yè)的深入研究，AlSiC取得了較大的產業(yè)化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨...

AlSiC的典型熱膨脹系數(shù)為（6～9）X10-6/K，參考芯片的6X 10-6/K，如果再加上芯片下面焊接的陶瓷覆銅板，那么三倍的差異就從本質上消除了。同時AlSiC材質的熱導率可高達（180～240）W/mK(25℃)，比鋁合金熱導率還高50%。英飛凌試...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應用1、性能優(yōu)勢及應用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～...

AESA由數(shù)以千計的T/R模塊（有的高達9 000 個左右）構成，在每個T/R模塊內部都有用GaAs 技術制作的功率發(fā)射放大器、低噪聲接收放大器、T/ R開關、多功能增益/相位控制等電路芯片，**終生產關鍵在其封裝技術上，因機載對其體積與重量的限制極為苛刻。A...