碳化硅粉體的制備技術就其原始原料狀態分為固相合成法和液相合成法。有機聚合物的高溫分解是制備碳化硅的有效技術：一類是加熱凝膠聚硅氧烷發生分解反應放出小單體,**終形成SiO2和C,再由碳還原反應制得SiC粉。另一類是加熱聚硅烷或聚碳硅烷放出小單體后生成骨架,**...

固相法主要有碳熱還原法和硅碳直接反應法。碳熱還原法又包括阿奇遜法、豎式爐法和高溫轉爐法。阿奇遜法首先由Acheson發明,是在Acheson電爐中,石英砂中的二氧化硅被碳所還原制得SiC,實質是高溫強電場作用下的電化學反應,己有上百年大規模工業化生產的歷史,這...

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝...

立體光刻（SLA）：SLA 技術是目前商用效果比較好的陶瓷 3D 打印技術，常用于制備高精度、復雜形狀的陶瓷材料。 SLA 打印原理是采用陶瓷粉體、光固化樹脂以及添加劑（如光引發劑、稀釋劑等）均勻混合成打印漿料，保持漿料的固含量在 50% 以上以保證經脫粘、燒...

生物炭模板法：生物材料中的微觀孔隙結構與人工合成材料中的孔隙結構存在很大差異，由于其獨特的結構，以生物體作為模板并制備出與其結構相似的多孔陶瓷材料受到了普遍關注。缺點：在碳模板在制備過程中易產生開裂，對高孔率的多孔SiC陶瓷的力學性能影響很大，制備工藝成本...

低體分鋁碳化硅（SiC體積比5%-35%）材料介紹與應用1、性能優勢及應用方向：（1）、低密度：2.8g/cm3左右，比鋼（7.9g/cm3）低，在汽車和列車剎車盤上可減重40%～60%，活塞（如豐田）可減重10%～5%；（2）、高比強度、高比剛度：（10%～...

（3）、高比模量：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅比模量是W/Cu和Kovar合金的4倍、Mo/Cu的2倍。（4）、高熱導率：（55%～75%）電子封裝及熱控元件用鋁碳化硅熱導率可達（180～240）W/m·K，比Kovar合金提升了（8～9）倍...

杭州陶飛侖新材料有限公司生產碳化硅多孔陶瓷預制體解決了現有制備工藝制備的碳化硅陶瓷預制體的強度低、結構不均一及碳化硅的體積分數低的技術問題。碳化硅多孔陶瓷預制體研制過程中參考的國家標準GJB/5443-2005高體積分數碳化硅顆粒/鋁基復合材料規范GB/T19...

添加造孔劑法制備多孔碳化硅陶瓷通過將造孔劑加入碳化硅粉末或前驅體中，再通過后續的工藝將造孔劑除去，這樣原本造孔劑所占據的位置便形成孔隙，之后再加熱燒結形成多孔陶瓷。因此，改變造孔劑的種類及添加量可以很方便地控制多孔陶瓷成品的孔率、孔隙形貌和孔徑及分布。造孔劑的...

模板法 模板法是將陶瓷漿料或前驅物注入具有多孔結構的模板材料，隨后通過一系列的處理便可得到與模板材料結構相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類：一種是使用人工合成材料的有機泡沫浸漬法；另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。 ①有機泡沫浸漬法...

多孔陶瓷材料是以剛玉砂、碳化硅、堇青石等質量原料為主料、經過成型和特殊高溫燒結工藝制備的一種具有開孔孔徑、高開口氣孔率的一種多孔性陶瓷材料、具有耐高溫，高壓、抗酸、堿和有機介質腐蝕，良好的生物惰性、可控的孔結構及高的開口孔隙率、使用壽命長、產品再生性能好等優點...

根據新思界產業研究員認為的，隨著電子制造技術的不斷進步，***、二代材料越來越無法滿足當代電子封裝的需求，以鋁碳化硅及鋁硅為**的第三代封裝材料已成為主流，國內已于2013年實現了鋁碳化硅技術的突破，隨著新能源汽車的發展，國內對鋁碳化硅復合材料的需求迅速增加，...

生物炭模板法：生物材料中的微觀孔隙結構與人工合成材料中的孔隙結構存在很大差異，由于其獨特的結構，以生物體作為模板并制備出與其結構相似的多孔陶瓷材料受到了普遍關注。缺點：在碳模板在制備過程中易產生開裂，對高孔率的多孔SiC陶瓷的力學性能影響很大，制備工藝成本...

有機泡沫浸漬法是利用有機泡沫作模板，將調制好的陶瓷漿料均勻涂覆在模板上或將模板浸入漿料中，排除空氣，使漿料均勻附著在有機泡沫模板上，然后經干燥高溫燒結去除有機模板，從而制得多孔陶瓷的方法。該方法比較大的缺點則是無法制備出小孔徑閉口氣孔制品，形狀受限制且預制體的...

在長期使用中，許多封裝尺寸、外形都已標準化、系列化，存在的主要缺陷是無法適應高性能芯片封裝要求。例如，Kovar ( 一種Fe-Co-Vi合金)和Invar (一種Fe-Ni合金）的CTE低，與芯片材料相近，但其K值差、密度高、比剛度低，無法***滿足電子封裝...

碳化硅由于化學性能穩定、導熱系數高、熱膨脹系數小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍；用以制成的高級耐火材料，耐熱震、體積小、重量輕而強度高，節能效果好。...

鋁碳化硅是目前金屬基復合材料中**常見、**重要的材料之一。鋁碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料，采用Al合金作基體，按設計要求，以一定形式、比例和分布狀態，用SiC顆粒作增強體，構成有明顯界面的多組相復合材料，兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁碳化硅研發較...

大電流IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）模塊在工作時，會產生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中，考慮的目標是消除熱結。那么，需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力，但銅的熱膨脹系...

生物炭模板法：生物材料中的微觀孔隙結構與人工合成材料中的孔隙結構存在很大差異，由于其獨特的結構，以生物體作為模板并制備出與其結構相似的多孔陶瓷材料受到了普遍關注。缺點：在碳模板在制備過程中易產生開裂，對高孔率的多孔SiC陶瓷的力學性能影響很大，制備工藝成本...

在強碳-硅共價鍵作用下，SiC多孔陶瓷具有機械強度大，耐酸堿腐蝕性和抗熱震性好的特點，其在高溫煙氣除塵、水處理和氣體分離等方面有著***的應用前景，而且與氧化物陶瓷膜和有機膜相比，SiC有著更優異的抗污染性能。然而，SiC陶瓷燒結溫度高，純質SiC燒結溫度通常...

熔滲法是AlSiC制備的關鍵，一般分為有壓力滲透和無壓力滲透，前者根據生產過程中壓力施加的大小、方式的不同，又分為擠壓熔滲、氣壓壓力熔滲、離心熔滲鑄造法等,主要特點是需要真空和高壓設備，滲透時間較短，有效控制Al與SiC的界面反應，同時與精度的模具相配套，獲得...

多孔重結晶碳化硅陶瓷(recrystallized silicon Carbides，RSiC)由于純度極高、不含晶界雜質相而具有優異的高溫力學性能、熱穩定性、耐腐蝕性能、高熱導率以及較小的熱膨脹系數，作為高溫結構材料***用于航空航天等領域。而且由于燒結過程...

SiC陶瓷的生產工藝簡述如下：碳化硅粉體的制備技術就其原始原料狀態分為固相合成法和液相合成法。 硅、碳直接反應法是對自蔓延高溫合成法的應用,是以外加熱源點燃反應物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學反應熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有...

IC產業的發展與其設計、測試、流片、封裝等 各環節密切相聯，**終在市場應用中體現價值認同，良性循環形成量產規模，實現經濟效益。封裝技術至關重要，尤其是***產品大多采用金屬封裝、陶瓷封裝結構，確保器件、模塊、組件、系統的整體可靠性。金屬封裝氣密性高，散熱性好...

模板法 模板法是將陶瓷漿料或前驅物注入具有多孔結構的模板材料，隨后通過一系列的處理便可得到與模板材料結構相似的多孔陶瓷。模板法可分為2類：一種是使用人工合成材料的有機泡沫浸漬法；另一種是使用自然生物作為模板材料的生物炭模板法。 ①有機泡沫浸漬法...

SiC顆粒與Al有良好的界面接合強度，復合后的CTE隨SiC含量的變化可在一定范圍內進行調節， 由此決定了產品的競爭力，相繼開發出多種制備方法。用于封裝AlSiC的預制件的SiC顆粒大小多在1 um-80um范圍選擇，要求具有低密度、低CTE、 高彈性模量等特...

SiC陶瓷的生產工藝簡述如下：碳化硅粉體的制備技術就其原始原料狀態分為固相合成法和液相合成法。 硅、碳直接反應法是對自蔓延高溫合成法的應用,是以外加熱源點燃反應物坯體,利用材料在合成過程中放出的化學反應熱來自行維持合成過程。除引燃外無需外部熱源,具有...

AlSiC可制作出光電模塊封裝要求光學對準非常關鍵的復雜幾何圖形，精確控制圖形尺寸，關鍵的光學對準部分無需額外的加工，保證光電器件的對接，降低成本。此外，AlSiC有優良的散熱性能，能保持溫度均勻性，并優化冷卻器性能，改善光電器件的熱管理。 AlSi...

***代以塑料、金屬、陶瓷等為主的簡單封裝，主要的用途是將器件封裝在一起，起到包封、支撐、固定、絕緣等作用，這代封裝材料目前主要用于電子產品的封裝。2第二代封裝材料，以可伐（Kovar）合金、鎢銅合金產品為**，其對于航天、航空、****及以便攜、袖珍為主要趨...

目前，常用金屬封裝材料與CaAs芯片的微波器件封裝需求存在性能上的差距，使得研發一種新型輕質金屬封裝材料,滿足航空航天用器件封裝成為急需，引發相關部門調試重視。經過近些年來研究所和企業的深入研究，AlSiC取得了較大的產業化進展，相繼推動高體分碳化硅與鋁合金的...