從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數很小(~ 0.1)，在提拉法生長后期往往會發生成分過冷，嚴重影響Ce:YAG晶體的質量。為了克服提拉法生長的大尺寸、高質量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對...

Ce:YAG晶體的發射峰的中心波長約為550nm嗎？無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產生。電子-空穴對的產生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結果。主要包括原子的電離和激發，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應、康普頓效應和電子對效應產生的電子電離和激發晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發生光電效應，即高能射線與晶體中原子的內層電子(通常是K層)相互作用產生初級光電子。閃爍晶體可用于輻射探測和安全防護。上海人工CeYAG晶體品牌CeYA...

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 ，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發熱體質量欠佳造成的碳揮發物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經過高溫空氣退火 24 小時后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經再...

什么是閃爍晶體？關于閃爍晶體你對它了解多不多？和小編來看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因為眼睛能接收周圍物體發出或反射的可見光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無法直接探測到，人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料，才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準直器之間，其作用是將熒光轉化為γ射線。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。甘肅品質CeYAG晶體批發價CeYAG高溫閃爍晶體主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域，另外它還可以應用于...

Ce:YAG晶體的發射峰的中心波長約為550nm嗎？無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理之電子空穴對的產生。電子-空穴對的產生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結果。主要包括原子的電離和激發，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應、康普頓效應和電子對效應產生的電子電離和激發晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發生光電效應，即高能射線與晶體中原子的內層電子(通常是K層)相互作用產生初級光電子。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射...

激子和類激子熒光機制。這種機制主要依賴于晶體中產生的自陷激子(STE)、電子缺陷激子或類激子激子以及閃爍體中產生閃爍熒光的電子或空穴[[21]。在一些鹵素結合的無機閃爍晶體中，通常可以獲得小于10ns的光衰減。例如，CdF2閃爍晶體的光衰減約為7ns。但由于激發能量必須與被激發的激子或類激子能量相同或相近，所以具有這種閃爍機制的無機閃爍晶體的光輸出一般很低，STEs熒光往往在室溫下被淬滅。盡管某些堿土氟化物晶體的ste在室溫下具有大的光輸出，但它們的光衰減接近毫秒。因此，具有這種發光機制的閃爍晶體只能用于特殊目的。CeYAG晶體的發光峰位置位于560nm左右，很適合使用S20光電倍增管進行發射...

Ce:YAG閃爍晶體的主要應用在哪里？高溫閃爍晶體今后的發展趨勢主要包括以下幾個方面：1、尋求優化的高溫閃爍晶體生長方法以及工藝技術。目前，多數高溫閃爍晶體主要是通過提拉法生長的，探索改進的提拉法或其它的工程化生長工藝技術對研究開發高溫閃爍晶體具有十分重要的意義。2、開展多摻雜以及探索新型發光離子的高溫閃爍晶體也會逐步受到人們的重視。隨著探測器件的小型化多功能化的迅猛發展，具有多種探測功能的復合閃爍探測單晶材料將會成為一個研究熱點。另外，探索其它發光中心離子的閃爍性能也將會逐步引起人們的關注，特別對能與現有的探測設備耦合匹配，容易摻雜等激發離子的研究。Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡...

CeYAG單晶復合紅色熒光粉的制備及其在白光LED上的應用，采用提拉法生長了CeYAG單晶，并以CeYAG單晶取代傳統CeYAG熒光粉用于制備白光發光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度的變化對其色坐標，亮度，發光效率和色溫的影響.由于460nm藍光芯片激發的CeYAG單晶白光LED缺少紅光成分，采用流延法將紅色熒光粉CaAlSiN_3:Eu~(2+)涂覆在CeYAG單晶襯底上制備白光LED.制備的白光LED色度隨紅粉含量的變化由冷白光逐漸向暖白光區域移動，色溫逐漸降低，顯色指數上升。Ce:YAG晶體的光學吸收譜多少？河南白光LED用CeYAG晶體價格CeYAG是一種重要的具有優良閃爍性...

CeYAG是一種重要的具有優良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發光效率和寬的光脈沖，較大優點是其發光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns，而CsI衰減時間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學性能穩定，主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域，另外它還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。由于Ce離子在YAG基質中的分凝系數小（約為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。CeYAG閃爍晶體具有快衰...

我們采用溫梯法生長了Ce:YAG 晶體，原料采用高純 Y2O3 (5N), CeO2 (5N) 和 Al2O3 (5N) 粉末，按照化學式 (Y0.997Ce0.003)3Al5O12 配料。生長方向 ，高純 Ar 氣氛，具體生長方法見第二章所述。如圖 5-1，生長的晶體尺寸為Φ110×80mm，呈黃黑色，主要是由發熱體質量欠佳造成的碳揮發物引起的。晶體*在放肩部位有兩處小裂紋，外形絕大部分保持完整。生長出來的晶體經過高溫空氣退火 24 小時后，黑色基本消失。圖 5-2 為晶體切片樣品，樣品經空氣退火后加工，從圖可見在晶體的中心位置仍有少量黑色物質，中心部分的碳污染無法消除說明退火不充分，經再...

物質的有效原子序數可由公式計算：式中，Wi為構成晶體的原子I的重量百分比，Zi為構成晶體的原子I的有效原子數。從公式中可以看出，大的有效原子序數往往與重密度不一致。此外，在許多場合下，經常使用吸收系數()、輻射長度(X0)和摩爾半徑(RM)來代替晶體的有效原子序數或密度來表征無機閃爍晶體的性能。這些性能參數與晶體的密度()和有效原子序數(z)之間的關系如下[14][24]。，RMX0 (Z 1.2)/37.74(1.12)(ne是晶體中的電子密度和吸收截面，a是原子量)當I (t)=i0/e時，t=就是所謂的光衰減常數。閃爍晶體是核醫學影像設備比如X光、CT等檢查設備的關鍵部件。重慶國產C...

Ce：YAG晶體的硬度能達到多少？深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發光中心的激發和發射過程包括從熱化電子-空穴對到發光中心的能量轉移和發光中心的激發和發射。電子空穴對的能量轉移效率取決于電子空穴相對發光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發光中心，其能量轉移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時，電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產生自陷，比如離子閃爍晶體中經常出現的Vk中心，這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發光機制中起著重要作用。閃爍晶體是典型的光電轉換材料。山西新型CeYAG晶體規格鈰離子摻雜氧化物...

深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發光中心的激發和發射過程包括從熱化電子-空穴對到發光中心的能量轉移和發光中心的激發和發射。電子空穴對的能量轉移效率取決于電子空穴相對發光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發光中心，其能量轉移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時，電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產生自陷，比如離子閃爍晶體中經常出現的Vk中心，這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發光機制中起著重要作用。CeYAG晶體的閃爍特性及其應用。貴州雙折射CeYAG晶體廠家大功率LED照明的需求越來越大，但隨著藍光L...

高光輸出快速衰減閃爍晶體的基本理論，閃爍效率和光輸出，無機閃爍晶體的光輸出(LR)直接由閃爍晶體的閃爍效率()決定。因此，研究閃爍晶體的轉換效率在高光輸出閃爍晶體的研究中起著重要的作用。許多文獻[13]、[14]、[17]、[51]和[56]報道了閃爍材料閃爍效率的機理，并建立了許多理論模型。一般來說，根據閃爍體的閃爍機理(如1.1.1節所述)，閃爍的總量子效率()可以表示為發光中心的能量轉換效率()、能量轉移效率(S)和熒光量子效率(Q)的乘積。Ce:YAG閃爍晶體響應小，光衰減快。河北雙折射CeYAG晶體制造鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優良的熱力學性...

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數衰減(當用一階動力學處理時)，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結晶完成后，晶體在爐內原位退火，待爐內溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經常與坩堝粘結，導致出坩堝取晶體時晶體下部邊緣開裂。整個晶體內部質量完好無損CeYAG閃爍晶體具...

一般來說，m值越大意味著檢波器的信噪比越好。當光線與閃爍晶體相互作用時，晶體中電子空穴對Neh的數量直接影響晶體的光輸出。假設電子空穴對轉化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對到發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率有關)，可以得出：無機閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(，Eg)、電子空穴向發光中心的能量轉移效率和發光中心的量子效率()有關。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48，000 ph/mev)。將其他無機閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進行比較得到的相對值(%NaI(Tl))稱為“相對光輸出”。相對光輸出通常用于表征無機閃爍晶體的光輸出。如今無機閃爍晶體的閃爍機制不斷...

從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而，用提拉法很難獲得大尺寸、高質量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面，提拉法生長的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制；另一方面，由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大，且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數很小(~ 0.1)，在提拉法生長后期往往會發生成分過冷，嚴重影響Ce:YAG晶體的質量。為了克服提拉法生長的大尺寸、高質量的碳：釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點，我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長了一種三英寸的碳：釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價格研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對...

什么是閃爍晶體？關于閃爍晶體你對它了解多不多？和小編來看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因為眼睛能接收周圍物體發出或反射的可見光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無法直接探測到，人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料，才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準直器之間，其作用是將熒光轉化為γ射線。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。CeYAG晶體發光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。湖北國產CeYAG晶體企業CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+...

一種藍光半導體激光器激發CeYAG晶體的激光照明系統，包括藍光半導體激光器，光學耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍光半導體激光器經過光學耦合透鏡組的準直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合束，也可以進行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍光半導體激光激發具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產生490～700nm波段的熒光(即受激發熒光)，并通過對CeYAG晶體模塊的光學設計達到對透射的藍色激光和受激發熒光的勻化，光學透鏡組對CeYAG晶體模塊勻化后的光線進行配光曲線的調節，從而產生用于照明領域的均勻白光。Ce:YAG屬于無機閃...

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數快、光輸出高。此外，由于高能物理領域無機閃爍晶體數量巨大，合適的價格也是一個重要指標，Ce：YAG晶體常規尺寸是多少？有效原子序數和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質的相互作用機制和輻射的阻擋能力。在X射線或低能射線探測領域，為了增加射線的光電效應截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數Zeff，而在高能射線應用領域，則需要有較高的密度來提高晶體的截止能量。CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？湖北大尺寸CeYAG晶體現貨供應Ce:YAG 晶體在徑向不同位置的紅外吸收譜圖嗎？在幾乎所有的閃...

白光LED用CeYAG單晶光學性能及封裝工藝的研究，采用提拉法生長了白光LED用CeYAG單晶，通過吸收光譜、激發發射光譜和變溫光譜對其光學性能和熱穩定性進行了表征，并研究了晶片用于封裝白光LED光源中各因素對其光電性能的影響。CeYAG晶片能被466 nm波長的藍光有效激發，產生500~700 nm范圍內的寬發射帶。Ce3+的4f→5d軌道的躍遷吸收對應于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五個吸收峰，據此量化分裂的5d能級能量，依次為21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。溫度升高，Ce3+的2F7/2能量升高導致了發光強度的降低，可降低幅...

文獻已經系統地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現總結如下：相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對于γ-射線激發，快成分衰減時間約為26.7±0.12ns，強度占89±2%，慢成分衰減常數為140±10ns，對于α－粒子激發快成分衰減常數為24.8±0.12ns，強度占85±2%，慢成分衰減常數為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應用。CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器，實現...

與其它常用閃爍晶體相比，Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征：光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性，在25~200oC 區間內，晶體光產額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比，Ce:YAP的這種對溫度依賴小的特性可以使其在高溫環境下使用。 研究表明，Ce:YAG晶體的閃爍性能對Ce3+離子濃度有較強的依賴關系。YAG晶體的礦物學名稱為釔鋁石榴石，分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發射熒光，使得它可以應用于中低能量γ射線α粒子的探測等領域。閃爍晶體是在高能射線的前提下形成的。吉林國產CeYAG晶體批...

CeYAG單晶與陶瓷的發光性能，制備了不同Ce~(3+)摻雜濃度(摩爾分數)的釔鋁石榴石(YAG)單晶和陶瓷，并對激光激發CeYAG單晶和陶瓷的光通量、光電轉換效率、顯色指數及色溫進行了研究。在電流為2.6A的激光激發下，Ce~(3+)摻雜濃度為0.3%的陶瓷的光通量較高，為617.2lm;Ce~(3+)摻雜濃度為0.5%的單晶的顯色指數較高，為62，色溫為5841K。在功率為2.61W、材料中心功率密度達10.8W·mm-2的激光激發下，CeYAG單晶和陶瓷的光轉換均未達到飽和，對應的光-光轉換效率均約為240lm·W-1。實驗結果表明，在高功率密度激光激發下，陶瓷和單晶均適用于產生高亮度白...

深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。無機閃爍晶體發光中心的激發和發射過程包括從熱化電子-空穴對到發光中心的能量轉移和發光中心的激發和發射。電子空穴對的能量轉移效率取決于電子空穴相對發光中心的空間分布。如果電子空穴靠近發光中心，其能量轉移效率高；相反，能量傳遞效率低。這種情況下，電子和空穴往往被晶體中的雜質或晶格缺陷俘獲，形成各種F-H色心對。同時，電子-空穴對在與晶格相互作用時也會產生自陷，比如離子閃爍晶體中經常出現的Vk中心，這個Vk中心在本征離子閃爍晶體的發光機制中起著重要作用。CeYAG晶體發光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。遼寧雙折射CeYAG晶體批發價...

以CeYAG單晶取代傳統，CeYAG熒光粉用于制備白光發光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅動電壓的變化對其發射光譜，色坐標，亮度，光視效能和色溫的影響. 研究結果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發射光的色坐標以及藍光與黃綠光之間的相對強度可通過對CeYAG單晶片厚度的改變進行調整.在恒定電壓驅動下，白光LED樣品的亮度，光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加.當CeYAG單晶厚度為0.6mm時，可獲得較純的白發射光，并且 其色坐標具有較高的可靠性和穩定性，基本不受驅動電壓變化的影響.研究結果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。釔鋁石榴石晶體由于...

你對CeYAG晶體了解多少呢？和小編一起來看看吧，CeYAG是一種重要的具有優良閃爍性能的閃爍晶體，除了高能射線探測成像應用外，在高能物理與核物理實驗、安檢、醫療等領域有重要應用。CeYAG晶體是立方結構，并且很容易制造出透明的對 稱性很好的該晶體，非常適合用于白光LED的制造。CeYAG單晶制備工藝復雜，難以制備大尺寸，高摻雜濃度等缺點，限制了其應用。由于YAG具有立方相晶體結構，具有光學均勻性，無雙折射效應等特征。再是晶體狀態，這表明光纖拉制過程中芯棒與套管之間存在擴散現象.光纖在314nm光泵浦的情況下，產生約67nm(FWHM)光譜寬度的熒光輻射。CeYAG晶體和透明陶瓷的光學和閃爍性...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優勢也備受人們的關注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領域的空白，本論文選取具有優良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數大于鉬，容易從鉬坩堝中取出。廣西白光LED用CeYAG晶體直供CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研...

CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研究，利用伽瑪射線研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷，比較了采用提拉法和溫梯法生長的Ce3+Y0Al5O12晶體中產生的不同色心缺陷，并利用吸收光譜，激發發射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因，指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進一步分析了YAG晶體的輻照，證實了370nm色心的來源，表明370nm吸收帶與F-類色心相關。一直到1992年，Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著，Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍...

CeYAG是一種重要的具有優良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發光效率和寬的光脈沖，較大優點是其發光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns，而CsI衰減時間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學性能穩定，主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域，另外它還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。由于Ce離子在YAG基質中的分凝系數小（約為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系...