廣西白光LED用CeYAG晶體直供

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-06-09

目前,Ce:YAG高溫閃爍晶體業(yè)已商品化,主要用于掃描電鏡(SEM)的顯示部件,其生長(zhǎng)方法主要為提拉法和溫梯法。近年來(lái), Ce:YAG單晶薄膜[84],以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)也備受人們的關(guān)注.為了填補(bǔ)我國(guó)在高溫閃爍晶體研究領(lǐng)域的空白,本論文選取具有優(yōu)良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對(duì)象,圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問(wèn)題及其發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)開(kāi)展了提拉法與溫梯法生長(zhǎng)Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數(shù)大于鉬,容易從鉬坩堝中取出。廣西白光LED用CeYAG晶體直供

CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研究,利用伽瑪射線研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷,比較了采用提拉法和溫梯法生長(zhǎng)的Ce3+Y0Al5O12晶體中產(chǎn)生的不同色心缺陷,并利用吸收光譜,激發(fā)發(fā)射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因,指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進(jìn)一步分析了YAG晶體的輻照,證實(shí)了370nm色心的來(lái)源,表明370nm吸收帶與F-類色心相關(guān)。一直到1992年,Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著,Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對(duì)Ce:YAG晶體的閃爍性能進(jìn)行了較為系統(tǒng)的研究,并指出Ce:YAG晶體具有優(yōu)良的閃爍性能。 廣西白光LED用CeYAG晶體直供Ce:YAG晶體的發(fā)射峰的中心波長(zhǎng)約為550nm嗎?

高能物理和核物理實(shí)驗(yàn)要求無(wú)機(jī)閃爍晶體密度高、衰減常數(shù)快、光輸出高。此外,由于高能物理領(lǐng)域無(wú)機(jī)閃爍晶體數(shù)量巨大,合適的價(jià)格也是一個(gè)重要指標(biāo) 什么YAG晶體可以用于極端的探測(cè)環(huán)境中?此外,在較高濃度或溫度的情況下,閃爍晶體中的發(fā)光中心也可以通過(guò)濃度或熱猝滅產(chǎn)生較短的光衰減,但這往往伴隨著晶體光輸出的降低。閃爍晶體的品質(zhì)因數(shù),Birks第1次將品質(zhì)因數(shù)(m)的概念引入無(wú)機(jī)閃爍晶體的表征中。品質(zhì)因數(shù)是指閃爍晶體的光輸出與光衰減的比值,國(guó)內(nèi)外對(duì)鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)閃爍體進(jìn)行了大量的研究和探索[40]-[50],涉及的閃爍體包括氟化合物、溴化物、氧化物和硫化物等無(wú)機(jī)閃爍體,Ce:YAG晶體拋光難度大嗎?口碑好的CeYAG晶體服務(wù)電話,有Ce:YAG晶體的光致熒光譜嗎?

CeYAG晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能,采用溫梯法生長(zhǎng)了CeYAG晶體和真空燒結(jié)法制備了CeYAG透明陶瓷,并對(duì)晶體和透明陶瓷的光學(xué)和閃爍性能進(jìn)行了對(duì)比研究.CeYAG晶體和陶瓷都具有位于230,340和460nm波段的Ce3+離子的特征吸收帶和540nm附近的發(fā)射峰,但CeYAG晶體同時(shí)存在296和370nm的色心吸收,其發(fā)射峰位于398nm,而透明陶瓷中不存在.CeYAG晶體和陶瓷的X射線熒光中均存在520nm附近的Ce3+離子發(fā)射,但晶體中還存在由反格位缺陷引起的300nm的發(fā)射.CeYAG晶體和陶瓷的光產(chǎn)額分別為16800和9800photons/MeV,納秒燈激發(fā)下的熒光壽命分別為61.9和62.97ns.CeYAG晶體與陶瓷相比,具有高的光產(chǎn)額和快的熒光衰減特性。在Ce:YAG晶體中,Ce3離子以D2對(duì)稱性取代Y3位。

從宏觀上看,直拉法可以生長(zhǎng)出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。然而,用提拉法很難獲得大尺寸、高質(zhì)量的Ce:YAG閃爍晶體。一方面,提拉法生長(zhǎng)的晶體尺寸直接受到所用銥坩堝尺寸的限制;另一方面,由于Ce3 (0.118nm)和Y3 (0.106nm)離子的半徑相差較大,且Ce離子在YAG晶體中的偏析系數(shù)很小(~ 0.1),在提拉法生長(zhǎng)后期往往會(huì)發(fā)生成分過(guò)冷,嚴(yán)重影響Ce:YAG晶體的質(zhì)量。為了克服提拉法生長(zhǎng)的大尺寸、高質(zhì)量的碳:釔鋁石榴石閃爍晶體的缺點(diǎn),我們第1次用溫度梯度法(TGT)成功地生長(zhǎng)了一種三英寸的碳:釔鋁石榴石高溫閃爍晶體超薄片CeYAG晶體訂做價(jià)格研究表明,Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。閃爍晶體是核醫(yī)學(xué)影像設(shè)備比如X光、CT等檢查設(shè)備的關(guān)鍵部件。安徽大尺寸CeYAG晶體定制

無(wú)機(jī)閃爍晶體晶體應(yīng)用很廣,可用在核醫(yī)學(xué)成像(XCT和正電子發(fā)射斷層掃描)。廣西白光LED用CeYAG晶體直供

關(guān)于新型閃爍晶體及其應(yīng)用的國(guó)際學(xué)術(shù)交流極其頻繁和活躍。例如,關(guān)于新閃爍晶體及其應(yīng)用的第1次國(guó)際會(huì)議“水晶2000”于1992年在法國(guó)夏蒙尼舉行,由“水晶透明協(xié)作”小組主辦。隨后,研究合作小組分別于1994年、1995年、1997年、1999年和2001年在美國(guó),荷蘭,中國(guó)和俄羅斯舉行了兩年一次的新型閃爍材料學(xué)術(shù)研討會(huì)[39]。這些研討會(huì)極大地促進(jìn)了具有高光輸出和快速衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體的研究和發(fā)展。特別是鈰離子摻雜的無(wú)機(jī)閃爍晶體,如Ce:YAP、Ce:LSO和Ce:LuAP,受到了極大的關(guān)注,被認(rèn)為是新一代高光輸出、快衰減的無(wú)機(jī)閃爍晶體材料。提拉法生長(zhǎng)Ce:YAG晶體?廣西白光LED用CeYAG晶體直供

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