CeYAG晶體，屬于無機閃爍體。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發現NaI(Tl)單晶的優異閃爍性能。經過半個多世紀的發展，無機閃爍晶體不但發現了性能優異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫療、安檢、工業等領域的應用[2]-[12]；此外，無機閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機制不斷得到改進和發展，為改進現有閃爍體和尋找性能更好的新型無機閃爍晶體提供了堅實的理論基礎。Ce:YAG晶體的光學吸收譜多少？吉林專業CeYAG晶體廠家以CeYAG單晶取代傳統CeY...

CeYAG晶體，屬于無機閃爍體。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發現NaI(Tl)單晶的優異閃爍性能。經過半個多世紀的發展，無機閃爍晶體不但發現了性能優異的閃爍晶體，如BGO、銫：Na、鋇F2、PWO和鈰Ce:LSO等，而且極大地拓展了閃爍晶體在高能物理和核物理、醫療、安檢、工業等領域的應用[2]-[12]；此外，無機閃爍晶體[13]-[23]、[41]、[51]、[56]-[58]的閃爍機制不斷得到改進和發展，為改進現有閃爍體和尋找性能更好的新型無機閃爍晶體提供了堅實的理論基礎。CeYAG晶體是一種重要的具有優良閃爍性能的閃爍晶體。山東CeYAG晶體型號在Ce:YAG...

Ce:YAG閃爍晶體的主要應用在哪里？高溫閃爍晶體今后的發展趨勢主要包括以下幾個方面：1、尋求優化的高溫閃爍晶體生長方法以及工藝技術。目前，多數高溫閃爍晶體主要是通過提拉法生長的，探索改進的提拉法或其它的工程化生長工藝技術對研究開發高溫閃爍晶體具有十分重要的意義。2、開展多摻雜以及探索新型發光離子的高溫閃爍晶體也會逐步受到人們的重視。隨著探測器件的小型化多功能化的迅猛發展，具有多種探測功能的復合閃爍探測單晶材料將會成為一個研究熱點。另外，探索其它發光中心離子的閃爍性能也將會逐步引起人們的關注，特別對能與現有的探測設備耦合匹配，容易摻雜等激發離子的研究。CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合，耐高...

CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰，這是Ce3+的特征吸收峰。目前商用白光LED中使用的藍光芯片的發射波長為460nm。中心波長460nm的CeYAG單晶的寬吸收帶表明，它能有效地吸收藍晶片發出的藍光，將藍晶片發出的藍光和CeYAG晶片發出的黃光疊加成白光。此外，CeYAG單晶具有良好的熱穩定性，這對大功率白光LED器件的制造尤為重要。隨著CeYAG晶片厚度的增加，藍晶片和CeYAG晶片封裝的白光LED器件的光效率逐漸提高，色溫和顯色指數逐漸降低，隨著晶片厚度的增加，Ce3+的含量相對增加。吸收的藍光越多，發出的黃光越多，導致晶圓的發光從藍色變成白色變成黃色。從宏觀上看，直...

一種生長CeYAG單晶熒光材料的方法技術，坩堝下降法生長CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學式為：(Y1-x-mAxCem)3(Al1-yBy)5O12；0≤x≤1，0≤y≤1，0≤m≤0.05；其中A為Lu、Tb、Pr、La、Gd中的一種；B為Ga、Ti、Mn、Cr、Zr中的一種。晶體生長爐溫范圍1900～2000℃，坩堝下降方向固液界面的溫度梯度為10～50℃/cm，坩堝下降速率為0.1～5mm/h，籽晶可采用等方向，坩堝直徑為30～120mm，高度為50～200mm。本發明專利技術采用坩堝下降法具有操作簡單，成本低，生長的CeYAG晶體體積大、內部缺陷少、摻雜濃度高等優點。CeYAG...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優勢也備受人們的關注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領域的空白，本論文選取具有優良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力。山西國產CeYAG晶體現貨CeYAG晶體的良好...

閃爍晶體可以應用的領域有很多，你知道嗎？可來看看下文的一些介紹，閃爍晶體在工業探傷領域，人們利用閃爍晶體探測X射線，在工業CT上獲取工件內部的缺陷結構和分布，避免工件失效和改善工件品質；在醫院，人們采用閃爍晶體探測注入人體內的放射性示蹤劑產生的高能伽馬射線，在PET/CT上獲取人體的功能、代謝和受體顯像，診斷病癥和研發新藥。經過多年的發展，多種閃爍晶體材料得以成功研制并作為產品大批量走向國內外市場。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。浙江大尺寸CeYAG晶體批發報價釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優良的激光基質材料以...

CeYAG晶體最大直徑多少？閃爍過程的三個步驟(a . 電子空穴對產生；電子空穴被傳送到發光中心；c .從發光中心輻射的熒光)到閃爍的總效率。在以上三個參數中，很難建立能量傳遞的理論模型，因此很難計算出S [51][56]。可以肯定的是，無機閃爍晶體中的各種缺陷會俘獲電子空穴對，使S值 大降低。與參數s相比，參數和q可以從理論上計算出來。根據羅賓斯[19]和阿雷米普奇[51]提出的模型。公式中，Ei為電離能；是產生實際產生一個電子空穴對所需的能量；k為能量損失分數，與高頻介電常數()，靜電常數()和光學縱模聲子能量()有關。Lf是電子(或空穴)損失的能量分數。通常，在閃爍晶體中，閃爍光的...

閃爍晶體的本質是一種能量轉換器，所以能量轉換效率()是表征所有閃爍晶體0基本的參數，是指閃爍晶體輻射的光子能量(Ep)與閃爍晶體吸收的總能量(er)之比。閃爍晶體發射光子的平均能量是發射的閃爍光子數。光輸出(LR)是反映閃爍體晶體，能量轉換效率的重要的物理參數，是指閃爍體吸收并消耗1mV射線能量后發出的可見/紫外光子數。即閃爍過程中產生的閃爍光子數與閃爍晶體中光線或粒子損失的能量之比。除了熔點溫度高（1970oC）外， Ce:YAG晶體中存在的主要缺點是Ce離子在晶體中的分布不均勻，主要是由于Ce3+(0.118nm)和Y3+(0.106nm)離子的半徑相差較大，其分凝系數較小（~ 0.1）造...

什么是閃爍晶體？關于閃爍晶體你對它了解多不多？和小編來看看下文的介紹吧。我們之所以能看到五彩繽紛的世界，是因為眼睛能接收周圍物體發出或反射的可見光，但這單單只是世界的一小部分。自然界中還存在著許多肉眼看不見的高能射線或粒子，甚至普通的傳感器也無法直接探測到，人們必須借助一類被稱為閃爍晶體的特殊材料，才能感知到它們的存在。閃爍晶體置于光電倍增管和準直器之間，其作用是將熒光轉化為γ射線。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。CeYAG晶體在小于500Kev的能量范圍內不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。貴州CeYAG晶體哪家好高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數快、光輸...

無機閃爍晶體晶體應用很廣，可用在核醫學成像(XCT和正電子發射斷層掃描)，X射線斷層掃描(XCT)和正電子發射斷層掃描(正電子發射斷層掃描)是現代影像醫學領域的兩種前沿核醫學成像技術[29]-[33]。前者提供患病組織的解剖圖像，而后者提供患病組織的功能成像。二者優勢互補，在心-血.管.疾；病和腫‘’瘤的診斷和治聊中發揮重要作用。尤其是PET成像技術，不只是現代影像醫學的前沿技術，也是本世紀末生命科學的重大突破。它可以在體外無損傷、定量、動態地從分子水平觀察人體內代謝物質或藥物的活性及其在疾病中的變化。從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。云南白光LED用CeYAG晶體生...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優勢也備受人們的關注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領域的空白，本論文選取具有優良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。CeYAG單晶在340nm和460nm處有明顯的吸收峰。江蘇品質CeYAG晶體型號根據出現的順序，無機閃爍晶體的閃爍機制可分為以下...

鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優良的熱力學性能以及穩定的化學性質等優點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究[9]。表1-8總結了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體山東專業加工CeYAG晶體用溫梯法成功生長了直徑為 110mm 的大尺寸 C...

光衰減常數是表征閃爍晶體光衰減的物理量，是表征無機閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計數應用都要求無機閃爍晶體具有快速的光衰減常數。根據熒光理論，電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數為光衰減時間，其中c是光速，me是電子的質量，e是電子的電荷，f是振子強度，n是材料的折射率，是躍遷的光波長。從上面的公式可以推斷出發射短波長閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數。此外，雜質或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減，但這也會降低晶體的光輸出。CeYAG閃爍晶體是將高能轉換為可見光的一種典型光電轉換材料。湖北大尺寸CeYAG晶體規格Ce:YAG晶體的發射峰的中心波長約為550nm嗎？無機閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機理...

閃爍晶體到底是什么呢？不了解可以好小編來看看下文的介紹，新一代閃爍晶體在核醫學影像診斷、高能物理、安全檢查、地質勘探、**裝備、無損檢測等各種射線的探測領域有著很多應用。已經向很多相關單位提供晶體與器件，與國內外科研單位合作開發的用于高能物理、環境射線探測和國土礦產調查的新型伽馬射線探測器，獲得行業的高度認可。綜合性能優異的閃爍晶體，可以實現高能粒子和射線等電離輻射的高效率探測。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。在行李安檢、集裝箱檢查、環境監測等領域，閃爍晶體都發揮著不可替代的作用。陜西大尺寸CeYAG晶體品牌隨著高能物理、核物理及相關科學技術的快速發展，傳統無機閃爍晶體的缺點日益突...

通常，在閃爍晶體中，閃爍光的強度從零瞬開始增加，并達到比較大值I0(t=0)，然后閃爍光將指數衰減(當用一階動力學處理時)，晶體生長的適宜溫度場主要通過選擇和調整石墨加熱器、鉬坩堝和鉬反射保溫屏的形狀和相對位置來獲得。所用鉬坩堝的尺寸為78毫米h70毫米，鉬坩堝錐形下部的籽晶槽中填充有111方向的純釔鋁石榴石籽晶。Ce:YAG晶體的生長溫度約為1970，生長周期約為15天。結晶完成后，晶體在爐內原位退火，待爐內溫度降至室溫后取出晶體。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數大于鉬，容易從鉬坩堝中取出，但晶體下部經常與坩堝粘結，導致出坩堝取晶體時晶體下部邊緣開裂。整個晶體內部質量完好無損Ce:YAG晶體拋光...

高能物理和核物理實驗要求無機閃爍晶體密度高、衰減常數快、光輸出高。此外，由于高能物理領域無機閃爍晶體數量巨大，合適的價格也是一個重要指標，Ce：YAG晶體常規尺寸是多少？有效原子序數和密度(Zeff)，閃爍晶體的有效原子序數(Zeff)和密度直接或間接決定了輻射與物質的相互作用機制和輻射的阻擋能力。在X射線或低能射線探測領域，為了增加射線的光電效應截面，往往需要閃爍晶體具有較大的有效原子序數Zeff，而在高能射線應用領域，則需要有較高的密度來提高晶體的截止能量。釔鋁石榴石晶體由于熱膨脹系數大于鉬，容易從鉬坩堝中取出。遼寧人工CeYAG晶體價格目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業已商品化，主要用于掃...

釔鋁石榴石(Y3Al5O12或YAG)單晶體是優良的激光基質材料以及光學襯底材料，例如，Nd:YAG和Yb:YAG激光晶體已經廣泛應用于工業、**醫療、以及科研等領域。特別是近二十年來，隨著LD泵浦固體激光器的迅猛發展，國際上對Yb:YAG激光晶體又掀起研究高潮，出現了大量的文獻報道。早期為了發展可調諧激光晶體，人們研究了Ce:YAG晶體的光學特性，由于存在嚴重的激發態吸收，使得Ce:YAG的研究停滯不前[。盡管1967年，Blasse已經發現Ce:YAG熒光粉[98]具有優良的閃爍性能，但是對其單晶的研究并沒有受到足夠的重視。CeYAG晶體發光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備...

隨著核物理和高能物理的發展，出現了一個必須解決的問題，那就是粒子質量的起源。為了理解這個問題，世界上正在建造能量不斷增加的大型對撞機和加速器。這些裝置上用來測量各種質子、電子、Uons、介子等粒子能量的探針稱為電磁量熱儀，閃爍晶體是構建電磁量熱儀的中心材料。例如，美國斯坦福線性加速中心(SLAC)、日本高能研究所(KEK)使用CsI(Tl)晶體進行Babar和BELLE實驗、歐洲核中心(CERN)使用PbWO4晶體進行CMS實驗等。表1-3列出了近年來世界上重要高能物理實驗中使用的無機閃爍晶體[27][28]。表1-3近年來設計的晶體量熱儀中使用的無機閃爍晶體。CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間...

CeYAG是一種重要的具有優良閃爍性能的閃爍晶體，具有高的發光效率和寬的光脈沖，較大優點是其發光中心波長為550nm，可以與硅光二極管等探測設備有效耦合。同CsI閃爍晶體相比，CeYAG閃爍晶體具有快衰減時間（約70ns，而CsI衰減時間約為300ns），而且CeYAG閃爍晶體不潮解、耐高溫、熱力學性能穩定，主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域，另外它還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。由于Ce離子在YAG基質中的分凝系數小（約為0.1），使Ce離子很難摻入YAG晶體中，而且隨著晶體直徑的增大，晶體生長難度急劇增加。CeYAG閃爍晶體具有快衰...

光衰減常數是表征閃爍晶體光衰減的物理量，是表征無機閃爍晶體的重要物理量。幾乎所有的閃爍計數應用都要求無機閃爍晶體具有快速的光衰減常數。根據熒光理論，電偶極子躍遷幾率(Wr)的倒數為光衰減時間，其中c是光速，me是電子的質量，e是電子的電荷，f是振子強度，n是材料的折射率，是躍遷的光波長。從上面的公式可以推斷出發射短波長閃爍光的晶體具有很小的光衰減常數。此外，雜質或熱猝滅可以縮短晶體的光衰減，但這也會降低晶體的光輸出。CeYAG閃爍晶體的高分辨X光探測器，實現X光輻照條件下高分辨成像。廣東大尺寸CeYAG晶體供應以CeYAG單晶取代傳統CeYAG熒光粉用于制備白光發光二極管(LED)，研究了Ce...

什么是閃爍晶體？對于閃爍晶體你了解得多嗎？它應用在哪些方面呢？在醫學上，閃爍晶體是核醫學影像設備比如X光、CT等檢查設備的關鍵部件。同時，在行李安檢、集裝箱檢查、大型工業設備無損探傷、石油測井、放射性探測、環境監測等領域，閃爍晶體都發揮著不可替代的作用。既然說閃爍晶體是典型的光電轉換材料，那么測試閃爍晶體的發射光譜就必不可少了。此類材料主要用X射線做激發，用可見波段響應的探測器進行探測采集。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉變為光能而發出閃光的晶體。河南品質CeYAG晶體廠家直供從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶...

目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法和溫梯法。近年來, Ce:YAG單晶薄膜[84]，以及Ce:YAG陶瓷[85-87]等閃爍體由于有其獨特的優勢也備受人們的關注.為了填補我國在高溫閃爍晶體研究領域的空白，本論文選取具有優良閃爍性能的Ce:YAP和Ce:YAG高溫閃爍晶體為研究對象，圍繞高溫閃爍晶體存在的主要問題及其發展趨勢，重點開展了提拉法與溫梯法生長Ce:YAP和Ce:YAG晶體的研究與表征工作。閃爍晶體是核醫學影像設備比如X光、CT等檢查設備的關鍵部件。遼寧白光LED用CeYAG晶體定制鈰離子摻雜的高溫閃爍晶體具有高光輸出...

鈰離子摻雜高溫無機閃爍晶體具有高光輸出快衰減的閃爍性能及優良的物化特性，但是要將高溫閃爍晶體廣泛應用于各種閃爍探測領域中尚需時日。一方面，高溫閃爍晶體屬于非本征閃爍晶體，人為引入的激發中心在晶體中的分布對閃爍性能影響較大，同時激發中心與晶體中的各種缺陷的相互作用機制也比較復雜，使得晶體的閃爍性能更加依賴于生長方法以及后處理工藝等；另一方面，高溫閃爍晶體具有較高的熔點使得大尺寸高質量閃爍晶體的生長較為困難。鈰離子摻雜無機閃爍晶體的研究現狀，由于鈰離子摻雜的無機閃爍體通常具有高光輸出和快速衰減的特點，因此從20世紀80年代末和90年代初開始。閃爍晶體是指高能粒子的撞擊下，能將高能粒子的動能轉變為光...

Ce:YAG晶體的閃爍特征及其應用Ce:YAG高溫閃爍晶體除了具有所列的閃爍性能外，還具有較好光脈沖區分γ射線和α粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可以應用于極端條件下。因此，Ce:YAG與硅光二極管耦合做成的閃爍探測器可以廣泛應用于低能γ射線，α粒子等輕帶電粒子探測等核物理的實驗中。另外，Ce:YAG單晶片還可以用作掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規模集成電路的檢測方面有著重要的廣闊的應用。目前，Ce:YAG高溫閃爍晶體業已商品化，主要用于掃描電鏡（SEM）的顯示部件，其生長方法主要為提拉法。CeYAG晶體還用作陰極射線管的熒光體。湖北白光LED用CeYAG晶體批發價隨著核科學...

閃爍晶體作為一種輻射探測材料在許多領域有著重要應用。雖然閃爍晶體發現至今已有一個多世紀，但隨著探測器技術的進步，以及材料合成方法的極大改進和擴展，對閃爍晶體的研究仍然十分活躍。隨著傳統閃爍晶體的性能達到極限，以及核醫學和國土安全等領域的需求日益增長，對新型閃爍晶體的探索成為近些年研究的一個重要課題。在探測和利用核輻射的科學研究和高技術應用領域中，閃爍晶體起著十分重要的作用。希望以上的一些相關的介紹能夠對你有一些幫助。CeYAG高溫閃爍晶體主要應用在輕粒子探測、α粒子探測、gamma射線探測等領域。山西品質CeYAG晶體哪家好無機閃爍晶體晶體應用很廣，可用在核醫學成像(XCT和正電子發射斷層掃描...

根據出現的順序，無機閃爍晶體的閃爍機制可分為以下五個階段：1.電離輻射的吸收和初級電子和空穴的產生；2.一次電子和空穴的弛豫，即產生大量的二次電子、空穴、光子、激子等電子激發；3.低能二次電子和空穴的弛豫(熱化)，即形成能約為能隙寬度Eg的熱化電子-空穴對；4.電子和空穴向發光中心的熱傳遞和發光中心的激發；5.激發態的發光中心發出紫外或可見熒光，即閃爍光。為了研究方便，人們往往將上述五個閃爍步驟分為兩部分：(1)電子-空穴對的產生(**個階段)和(2)發光中心的激發和發射(后兩個階段)。無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發現NaI(Tl)單晶的優異閃爍性能。重慶雙摻CeY...

電子-空穴對的產生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結果。主要包括原子的電離和激發，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應、康普頓效應和電子對效應產生的電子電離和激發晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發生光電效應，即高能射線與晶體中原子的內層電子(通常是K層)相互作用產生初級光電子。Ce:YAG閃爍晶體具有比較大光輸出。湖南雙摻CeYAG晶體直銷一種生長CeYAG單晶熒光材料的方法技術，坩堝下降法生長CeYAG單晶熒光材料的方法。該晶體化學式為：(Y1-x-...

Ce:YAG高溫閃爍晶體不但具有閃爍性能，而且具有良好的光脈沖分辨射線和粒子的能力，能與硅光二極管有效耦合，耐高溫不潮解，可在極端條件下應用。因此，用Ce:YAG與硅光二極管耦合制成的閃爍探測器可普遍應用于低能射線、粒子等輕帶電粒子的探測等核物理實驗。此外，Ce:YAG單片機還可以作為掃描電子顯微鏡的顯示元件，在大規模集成電路的檢測中有著重要而普遍的應用。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體響應小，光衰減快，在小于500Kev的能量范圍內不潮解，有望部分替代CsI:Tl閃爍晶體。表1-11比較了Ce3360 YAG和CsI:Tl閃爍晶體的主要閃爍特性。CeYAG閃爍晶體可以應...

在Ce:YAG晶體中，Ce3離子以D2對稱性取代Y3位。在晶體場的作用下，4f1電子構型的Ce3離子基態分裂為2F5/2和2F7/2雙態，其5d能級分裂為5個子能級，比較低5d子能級離基態約22 000波。在Ce:YAG閃爍晶體中，其吸收熒光光譜也屬于F-D躍遷，具有寬帶、衰減快的特點。在可見光范圍內可以觀察到4個特征吸收峰，峰值波長分別為223nm、340nm、372nm和460nm，對應于Ce3離子從4f到5d的亞能級躍遷。在室溫下，其熒光光譜為500納米至700納米的寬帶光譜，峰值約為525納米，對應比較低5d子能級至2F5/2基態能級。CeYAG晶體的閃爍特性及其應用。云南進口CeYA...