以CeYAG單晶取代傳統CeYAG熒光粉用于制備白光發光二極管(LED)，研究了CeYAG單晶厚度及驅動電壓的變化對其發射光譜、色坐標、亮度、光視效能和色溫的影響。研究結果表明，在基于CeYAG單晶的白光LED中，發射光的色坐標以及藍光與黃綠光之間的相對強度可通過對CeYAG單晶片厚度的改變進行調整。在恒定電壓驅動下，白光LED樣品的亮度、光視效能和色溫均隨單晶片厚度的減小而增加。當CeYAG單晶厚度為0.6 mm時，可獲得較純的白發射光，并且其色坐標具有較高的可靠性和穩定性，基本不受驅動電壓變化的影響。研究結果表明CeYAG單晶是一種可用于新型白光LED的理想熒光材料。深剖Ce；YAG晶體，隸屬于無機閃爍晶體。安徽新型CeYAG晶體批發價
文獻已經系統地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現總結如下：相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對于γ-射線激發，快成分衰減時間約為26.7±0.12ns，強度占89±2%，慢成分衰減常數為140±10ns，對于α－粒子激發快成分衰減常數為24.8±0.12ns，強度占85±2%，慢成分衰減常數為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應用。陜西品質CeYAG晶體規格CeYAG閃爍晶體是一種當被電離輻射激發之后會表現出發光特性的材料。
根據經典熒光理論，參數q也可以由公式(1.15) [14]計算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結構、能量傳輸效率和溫度有關。當帶隙變為零時，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當Eg小于2eV時，無輻射躍遷的概率會增大，從而Q變小，光輸出變小。結果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。
CeYAG晶體色心和缺陷的伽馬射線輻照研究，利用伽瑪射線研究了Ce3+:Y3AlO12晶體的輻照色心缺陷，比較了采用提拉法和溫梯法生長的Ce3+Y0Al5O12晶體中產生的不同色心缺陷，并利用吸收光譜，激發發射光譜和退火等方法分析了晶體中235nm和370nm色心吸收帶的形成原因，指出晶體中的235nm吸收帶由F+色心引起.進一步分析了YAG晶體的輻照，證實了370nm色心的來源，表明370nm吸收帶與F-類色心相關。一直到1992年，Ce:YAG晶體才被提出用作閃爍材料而引起人們的興趣。接著，Moszynski和Ludziejewski等人分別于1994年和1997年對Ce:YAG晶體的閃爍性能進行了較為系統的研究，并指出Ce:YAG晶體具有優良的閃爍性能。 CeYAG晶體和透明陶瓷的光學和閃爍性能，采用溫梯法制備。
一種藍光半導體激光器激發CeYAG晶體的激光照明系統，包括藍光半導體激光器，光學耦合透鏡組，光纖，CeYAG晶體模塊，光學透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上.其中N個(N≥1)藍光半導體激光器經過光學耦合透鏡組的準直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合束，也可以進行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍光半導體激光激發具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產生490～700nm波段的熒光(即受激發熒光)，并通過對CeYAG晶體模塊的光學設計達到對透射的藍色激光和受激發熒光的勻化，光學透鏡組對CeYAG晶體模塊勻化后的光線進行配光曲線的調節，從而產生用于照明領域的均勻白光。經過半個多世紀的發展，無機閃爍晶體不但發現了性能優異的閃爍晶體。湖南品質CeYAG晶體價格
CeYAG閃爍晶體還可以應用于電子探測成像（SEM）、高分辨率顯微成像熒光屏等領域。安徽新型CeYAG晶體批發價
CeYAG單晶是一種綜合性能優良的快衰變閃爍材料，具有高的光輸出（20000光子MeV），快的發光衰減（~70ns），優異的熱機械性能，發光峰值波長（540nm）與普通光電倍增管（PMT）的接收靈敏波長很好地匹配和硅光電二極管（PD），良好的光脈沖區分了γ射線和α粒子，CeYAG適合于探測α粒子、電子和β射線等帶電粒子，特別是CeYAG單晶良好的力學性能，使制備厚度小于30um的薄膜成為可能。CeYAG閃爍探測器應用于電子顯微鏡、β和X射線計數、電子和X射線成像屏等領域。安徽新型CeYAG晶體批發價