射頻功放硅電容能夠有效提升射頻功放的性能。射頻功放是無線通信系統(tǒng)中的關(guān)鍵部件,其作用是將射頻信號放大到足夠的功率進行發(fā)射。射頻功放硅電容在射...
低阻抗射頻電容具有較低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL),在射頻電路中能夠減少信號的損耗和延遲。在高頻信號傳輸過程中,阻抗的匹...
硬盤驅(qū)動器作為磁存儲的典型表示,其性能優(yōu)化至關(guān)重要。在存儲密度方面,除了采用垂直磁記錄技術(shù)外,還可以通過優(yōu)化磁性顆粒的尺寸和分布,提高盤片的...
云母高Q值電容在特殊環(huán)境下展現(xiàn)出穩(wěn)定的性能。云母材料具有優(yōu)異的絕緣性能、高耐熱性和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,使得云母高Q值電容在高溫、高壓、強腐蝕等...
蘇州凌存科技有限公司(以下簡稱凌存科技)成立于2021年12月,坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司,并在該領(lǐng)域處于先進的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項,涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外,公司已申請國家發(fā)明專利15項。目前,凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點的流片,性能指標處于先進地位。 公司擁有一支國際化團隊,成員來自中國大陸,美國,中國臺灣,日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術(shù),旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片,磁性真隨機數(shù)發(fā)生器芯片。