江蘇大尺寸CeYAP晶體好不好

來源: 發布時間:2022-02-27

有時線性吸收系數被質量吸收系數微米=/d (d袋表密度)代替。因為質量吸收系數與材料的晶體結構和相態無關。與鹵素化合物晶體相比,氧化物晶體具有優異的熱力學性質和穩定的化學性質。因此,鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體,包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽和磷酸鹽,已經引起了極大的關注和光泛的研究。下表總結了鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體的基本閃爍特性。由表可知,大多數摻鈰離子的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快速衰減的特性,尤其是摻鈰離子的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍特性,如Ce:YAP、Ce3360YAG、Ce:LSO和Ce3360Lyso,被認為是新一代高性能無機閃爍晶體。不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜。江蘇大尺寸CeYAP晶體好不好

同濃度Ce: YAP的熒光光譜。在可見光(300納米)激發下,不同濃度Ce: YAP的熒光強度隨著濃度的增加而增加,直到0.5at%。當濃度為1.0at%時,濃度淬滅,發光強度開始降低。相同厚度(5mm)的Ce: YAP晶體在X射線激發下的發光強度隨著濃度的增加先增大后減小,峰值位置也有紅移,其中0.3at%處的發光強度比較高。自吸收對光致發光幾乎沒有影響,因為激發和發射過程都發生在樣品表面。在高能射線的激發下,經過多次電離過程,晶體內部產生大量的電子-空穴對,電子-空穴對將能量傳遞到發光中心,發光過程基本發生在晶體內部。浙江國產CeYAP晶體行情發現YAP基質中Ce,Mn之間存在明顯的能量轉移過程。

初步分析了鈰:釔鋁石榴石(TGT)閃爍晶體的缺陷及其對發光性能和閃爍時間的影響。從光學上說,YAP是一種負雙軸晶體。有Ce離子之間的能量轉移過程介紹嗎?在電子-電子弛豫過程中,能量損失可以通過產生F心、H心等點缺陷來進行??祀娮右部梢酝ㄟ^在聲子上散射而失去能量,隨著電子能量的降低,電子-聲子相互作用的概率增大。而且產生的二次電子和光子會從晶體中逸出,造成能量損失。然而,在電子-電子弛豫階段,這些過程中的能量損失相對于閃爍體中的總能量損失非常小。

目前國內生長的Ce: YAP晶體仍存在出光率低的問題,其機理應該與自吸收有關,但尚未得到有效解決。為了比較不同退火條件下退火對自吸收的影響,我們測量了相同厚度(2mm)和濃度(0.3%)的Ce: YAP晶體在不同溫度和氣氛下退火后的透射光譜、熒光光譜和XEL光譜。從圖4-8可以看出,直拉法生長的Ce: YAP晶體經氫退火后透射邊藍移,自吸收減弱。當進行氧退火時,通過邊緣紅移增強了自吸收。氫的退火溫度越高,自吸收越弱。氧的退火溫度越高,自吸收越強。然而,退火溫度的上限約為1600。如果溫度太高,晶體容易起霧,導致幾乎不滲透。CeYAP晶體具有優良的閃爍性能,其主要特點是光產額大,衰減時間短。

電子、空穴和激子的相互作用將導致局域化。許多離子晶體表現出一種有趣的現象,即價帶空穴位于正常晶格中,這種現象被稱為自陷。在熱化過程中,空穴達到價帶的頂部,并被限制在特定的陰離子中。對于堿金屬鹵化物晶體,這意味著一個鹵化物離子轉變成一個原子:X- X0。該鹵原子X0將在一定程度上極化環境,并且該系統將顯示出軸向弛豫,導致這種局部空穴被兩個相鄰的陰離子共享。這種狀態被稱為X2分子或Vk中心。在低溫下(通常t <200 k),Vk核是穩定的,位于兩個陰離子上的空穴稱為自陷空穴,電離輻射后離子晶體形成自陷空穴的平均時間為10-11 s到10-12 s,這個時間比自由空穴和導帶電子的復合時間短。因此,純離子晶體中的大多數空穴很快轉化為Vk中心。 Ce:YAP高溫閃爍晶體的研究!過渡金屬離子污染造成Ce: YAP吸收帶紅移可能性不大。江蘇大尺寸CeYAP晶體好不好

由于存在Ce3+離子的非輻射躍遷,Ce,Mn:YAP的衰減時間的快慢成分均變為原來的一半。江蘇大尺寸CeYAP晶體好不好

不同溫度退火的Fe: YAP樣品的吸收光譜和差分吸收光譜是Fe: YAP樣品在不同溫度退火后的吸收光譜和微分吸收光譜。Fe: YAP晶體的吸收光譜在203納米、246納米、270納米和325納米附近有吸收峰。差示吸收光譜顯示,氫退火后264 ~ 270納米波長范圍內的吸收明顯減弱,氧退火后321納米出現差示吸收峰??梢哉J為246 nm和270 nm處的吸收與Fe3有關,即Fe3和Fe2之間存在躍遷[102]。除了321nm處的吸收,YAP: Fe的幾個吸收峰與純YAP晶體的吸收峰有一定距離,這不能解釋純YAP(Ce: YAP)中的其他吸收峰與鐵有關。 江蘇大尺寸CeYAP晶體好不好

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