鈰離子摻雜氧化物和硫化物閃爍晶體與鹵素化合物晶體相比，氧化物晶體具有優良的熱力學性能以及穩定的化學性質等優點。因此，鈰離子摻雜的無機氧化物閃爍晶體包括鋁酸鹽、硅酸鹽、硼酸鹽以及磷酸鹽等晶體受到人們的極大重視并被普遍研究。表1-8總結了鈰離子摻雜氧化物閃爍晶體的基本閃爍性能[9]。從表中可以知道，多數鈰離子摻雜的氧化物閃爍晶體具有高光輸出和快衰減等特征，尤其是鈰離子摻雜的鋁酸鹽和硅酸鹽閃爍晶體具有誘人的閃爍性能，如Ce:YAP，Ce:YAG，Ce:LSO和Ce:LuAP等無機閃爍晶體，被譽為新一代高性能無機閃爍晶體無機閃爍晶體研究的真正前奏始于半個世紀前羅伯特霍夫斯塔德發現NaI(Tl)單晶的優異閃爍性能。河北大尺寸CeYAG晶體現貨
電子-空穴對的產生是入射高能光子和晶體中原子相互作用的結果。主要包括原子的電離和激發，電子-電子和電子-聲子的弛豫，以及其他輻射和非輻射的能量耗散過程。眾所周知，高能射線不能直接電離和激發無機閃爍晶體中的原子。相反，它們通過光電效應、康普頓效應和電子對效應產生的電子電離和激發晶體中的原子。當入射射線具有中等能量(幾百KeV左右)時，主要發生光電效應，即高能射線與晶體中原子的內層電子(通常是K層)相互作用產生初級光電子。江蘇專業CeYAG晶體品牌CeYAG晶體的激光照明系統，包括藍光半導體激光器，光學耦合透鏡組。
根據經典熒光理論，參數q也可以由公式(1.15) [14]計算。公式中，Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率；c是猝滅常數，Eq是猝滅能，kb是為玻爾茲曼常數，t是完全溫度。分析表明，光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結構、能量傳輸效率和溫度有關。當帶隙變為零時，閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下，當Eg小于2eV時，無輻射躍遷的概率會增大，從而Q變小，光輸出變小。結果表明，摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。
一種藍光半導體激光器激發CeYAG晶體的照明系統，包括藍光半導體激光器、光學耦合透鏡組、光纖、CeYAG晶體模塊、光學透鏡組，上述元件依次排列于同一光路上。其中N個(N≥1)藍光半導體激光器經過光學耦合透鏡組的準直和聚焦，耦合進光纖，多根光纖可以進行捆綁合束，也可以進行熔融拉錐合束，從光纖出來的藍光半導體激光激發具有高激光損傷閾值的CeYAG晶體模塊，產生490～700nm波段的熒光(即受激發熒光)，并通過對CeYAG晶體模塊的光學設計達到對透射的藍色激光和受激發熒光的勻化，光學透鏡組對CeYAG晶體模塊勻化后的光線進行配光曲線的調節，從而產生用于照明領域的均勻白光。電子-空穴對的數量直接決定了無機閃爍晶體的光輸出。
文獻已經系統地報道了Ce:YAP高溫晶體的閃爍性能，現總結如下：相對光輸出約為NaI:Tl的38-50%；光衰減，對于γ-射線激發，快成分衰減時間約為26.7±0.12ns，強度占89±2%，慢成分衰減常數為140±10ns，對于α－粒子激發快成分衰減常數為24.8±0.12ns，強度占85±2%，慢成分衰減常數為100±5ns；中等密度（5.35g/cm3）和中等有效原子序數（Zeff=39）等。另外，與CsI:Tl閃爍晶體相比，Ce:YAG閃爍晶體在小于500Kev能量范圍其γ響應小，光衰減快，不潮解等，因此可望部分取代CsI:Tl閃爍晶體的應用。從宏觀上看，直拉法可以生長出完整透明的Ce:YAG閃爍晶體。河北大尺寸CeYAG晶體現貨
無機閃爍晶體晶體應用很廣，可用在核醫學成像(XCT和正電子發射斷層掃描)。河北大尺寸CeYAG晶體現貨
Ce:YAG晶體拋光難度大嗎？CeYAG晶體可以用在LED照明上嗎？Ce:YAG晶體，屬于無機閃爍晶體的一種。無機閃爍體是一種能將高能射線(X/射線,入射到其上的)或粒子轉化為紫外光或可見光的晶體能量轉換器。由無機閃爍晶體、光電倍增管或硅光電二極管以及后續的電子器件組成的閃爍探測器，可以將肉眼不可見的微觀射線或粒子轉化為可顯示的信號或圖像，供人們分析處理。所以閃爍探測器充當了人們認識微觀世界的“眼睛”。一百多年前，康拉德倫琴(Conrad Reentgen)使用CaWO4作為X射線熒光屏，這是頭1個使用無機閃爍材料的例子。河北大尺寸CeYAG晶體現貨
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