盡管高分子體系一直是前代光刻膠的發展路線，但隨著光刻波長進展到EUV階段，高分子體系的缺點逐漸顯露出來。高分子化合物的分子量通常較大，鏈段容易發生糾纏，因此想要實現高分辨率、低粗糙度的光刻線條，必須降低分子量，從而減少分子體積。隨著光刻線條越來越精細，光刻膠的使用者對光刻膠的性能要求也越來越高，其中重要的一條便是光刻膠的質量穩定性。由于高分子合成很難確保分子量分布為1，不同批次合成得到的主體材料都會有不同程度的成分差異，這就使得高分子光刻膠難以低成本地滿足關鍵尺寸均一性等批次穩定性要求。中國光刻膠市場規模約88億人民幣。上海光刻膠集成電路材料
與EUV光源相比，UV光源更容易實現較高的功率；但UV曝光不能滿足分辨線條的形成條件。因此PSCAR實際上是利用EUV曝光形成圖案，再用UV曝光增加光反應的程度，從而實現提高EUV曝光靈敏度的效果。在起初的PSCAR體系基礎之上，Tagawa課題組還開展了一系列相關研究，并通過在體系中引入對EUV光敏感的光可分解堿，開發出了PSCAR1.5，引入對UV光敏感的光可分解堿，開發出了PSCAR2.0。光可分解堿的引入可以減少酸擴散，使PSCAR光刻膠體系的對比度提高，粗糙度降低，也進一步提高了光刻膠的靈敏度。華東濕膜光刻膠其他助劑對于好的EUV光刻膠目前仍處于研發階段。
三苯基硫鎓鹽是常用的EUV光刻膠光致產酸劑，也具有枝狀結構。佐治亞理工的Henderson課題組借鑒主體材料鍵合光敏材料的思路，制備了一種枝狀單分子樹脂光刻膠TAS-tBoc-Ts。雖然他們原本是想要合成一種化學放大型光刻膠，但根據是否后烘，TAS-tBoc-Ts既可呈現負膠也可呈現正膠性質。曝光后若不后烘，硫鎓鹽光解形成硫醚結構，生成的光酸不擴散，不會引發t-Boc的離去；曝光區域不溶于水性顯影液，未曝光區域為離子結構，微溶于水性顯影液，因而可作為非化學放大型負性光刻膠。曝光后若后烘，硫鎓鹽光解產生的酸引發鏈式反應，t-Boc基團離去露出酚羥基；使用堿性顯影液，曝光區域的溶解速率遠遠大于未曝光區域，因此又可作為化學放大型正性光刻膠。這個工作雖然用DUV光刻和電子束光刻測試了此類光刻膠的光刻性能，但由于EUV光刻機理與電子束光刻的類似性，本工作也為新型EUV光刻膠的設計開辟了新思路。
正性光刻膠，樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛，提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性，當沒有溶解抑制劑存在時，線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中；感光劑是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），常見的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ 是一種強烈的溶解抑制劑，降低樹脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ 在光刻膠中化學分解，成為溶解度增強劑，大幅提高顯影液中的溶解度因子至100或者更高。這種曝光反應會在 DNQ 中產生羧酸，它在顯影液中溶解度很高。正性光刻膠具有很好的對比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率。光刻膠行業的上下游合作處于互相依存的關系，市場新進入者很難與現有企業競爭，簽約新客戶的難度高。
光刻膠的兩大主要研究小組：楊國強課題組和李嫕課題組，分別設計并制備了雙酚A型和螺雙芴型的單分子樹脂化學放大光刻膠，前者可通過調節離去基團的數量來改變光刻膠的靈敏度，后者則通過螺雙芴結構降低材料的結晶性，提高了成膜性性能。兩種光刻膠都可以實現小于25nm線寬的光刻線條。隨后，楊國強課題組還報道了一種可作為負性光刻膠的雙酚A單分子樹脂光刻膠，該分子中具有未經保護的酚羥基，在光酸的作用下可以與交聯劑四甲氧基甲基甘脲反應形成交聯網狀結構，從而無法被堿性顯影液洗脫，可在電子束光刻下實現80nm以下的線條，在EUV光刻中有潛在的應用。此外，兩個課題組還分別就兩個系列光刻膠的產氣情況開展研究。光刻膠所屬的微電子化學品是電子行業與化工行業交叉的領域，是典型的技術密集行業。江蘇i線光刻膠顯影
1884年，德國人韋斯特（West）首先利用重氮化合物的感光性顯示出影像。上海光刻膠集成電路材料
熱壓法能夠有效增大光刻膠光柵的占寬比你，工藝簡單、可靠，無需昂貴設備、成本低，獲得的光柵質量高、均勻性好。將該方法應用到大寬度比的硅光柵的制作工藝中，硅光柵線條的高度比達到了12.6，氮化硅光柵掩模的占寬比更是高達0.72，光柵質量很高，線條粗細均勻、邊緣光滑。值得注意的是，熱壓法通過直接展寬光刻膠光柵線條來增大占寬比，可以集成到全息光刻-離子束刻蝕等光柵制作工藝中，為光柵衍射效率的調節與均勻性修正提供了新思路。上海光刻膠集成電路材料