在三氟乙酸的制備過程中，難免會帶入一些雜質，其中一種三氟乙酸的除氟工藝，是向反應釜中加入含氟三氟乙酸和過量的活性氧化鋁，其中，三氟乙酸中的含氟雜質與活性氧化鋁進行絡合反應，所述絡合反應生成的氟化鋁絡合離子吸附在剩余的活性氧化鋁表面；除去氟后的三氟乙酸在連續蒸餾...

與金屬納米顆粒和納米簇不同，金屬配合物光刻膠中金屬元素含量較低，通常情況下每個光刻膠分子內只有一個或幾個金屬原子。能夠作為納米顆粒和納米簇配體的分子比較少，可修飾位點較少；而金屬原子的配體種類較多，且容易連接活性基團，因此金屬配合物光刻膠的設計更為靈活。但是，...

一般的光刻工藝流程包括以下步驟：1）旋涂。將光刻膠旋涂在基底上（通常為硅，也可以為化合物半導體）。2）前烘。旋涂后烘烤光刻膠膜，確保光刻膠溶劑全部揮發。3）曝光。經過掩模版將需要的圖形照在光刻膠膜上，膠膜內發生光化學反應。4）后烘。某些光刻膠除了需要發生光反應...

三氟乙酸健康危害：吸入、口服三氟乙酸或經皮服吸收對身體有害。對眼睛、粘膜、呼吸道和皮膚有強烈刺激作用。吸入后可能咽喉、支氣管的痙攣、炎癥、水腫，化學性肺炎、肺水腫而死亡。癥狀有燒灼感、咳嗽、喘息、氣短、喉炎、頭疼、惡心和嘔吐。可致皮膚灼傷。燃爆危險：該品不燃，...

化學放大型光刻膠體系中有一個比較大的問題，就是光酸的擴散問題。光酸的擴散會增加光刻過程的圖案的粗糙度，進而影響光刻結果的分辨率。而將光致產酸劑與光刻膠主體材料聚合在一起，則有可能解決這一問題。此外，光致產酸劑（特別是離子型光致產酸劑）的化學結構與主體材料相差較...

2014年，印度理工學院曼迪分校的Gonsalves課題組將硫鎓離子連接在高分子側基上，構造了一系列非化學放大光刻膠。該光刻膠主鏈為聚甲基丙烯酸甲酯，側基連接二甲基苯基硫鎓鹽作為光敏基團，甲基作為惰性基團，咔唑或苯甲酸作為增黏基團。二甲基苯基硫鎓鹽通常用來作為...

盡管高分子體系一直是前代光刻膠的發展路線，但隨著光刻波長進展到EUV階段，高分子體系的缺點逐漸顯露出來。高分子化合物的分子量通常較大，鏈段容易發生糾纏，因此想要實現高分辨率、低粗糙度的光刻線條，必須降低分子量，從而減少分子體積。隨著光刻線條越來越精細，光刻膠的...

化學放大型光刻膠體系中有一個比較大的問題，就是光酸的擴散問題。光酸的擴散會增加光刻過程的圖案的粗糙度，進而影響光刻結果的分辨率。而將光致產酸劑與光刻膠主體材料聚合在一起，則有可能解決這一問題。此外，光致產酸劑（特別是離子型光致產酸劑）的化學結構與主體材料相差較...

2014年，Gonsalves課題組在側基連接硫鎓鹽的高分子光刻膠基礎之上，制備了一種側基含有二茂鐵基團高分子光刻膠。其反應機理與不含二茂鐵的光刻膠類似，但二茂鐵的引入增強了光刻膠的熱穩定性和靈敏度，可實現25nm線寬的曝光。2015年，課題組報道了一系列鈀和...

2011年，Whittaker課題組又使用聚砜高分子作為主體材料，制備了鏈斷裂型非化學放大光刻膠。聚砜與聚碳酸酯類似，主鏈比PMMA更容易斷裂，因此該光刻膠的靈敏度更高。但較高的反應活性也降低了其穩定性，因此Whittaker課題組又利用原子轉移自由基聚合法（...

除了枝狀分子之外，環狀單分子樹脂近年來也得到了迅速發展。這些單分子樹脂的環狀結構降低了分子的柔性，從而通常具有較高的玻璃化轉變溫度和熱化學穩定性。由于構象較多，此類分子也難以結晶，往往具有很好的成膜性。起初將杯芳烴應用于光刻的是東京科技大學的Ueda課題組，2...

在Shirota等的工作基礎之上，2005年起，美國康奈爾大學的Ober課題組將非平面樹枝狀連接酸敏基團的策略進一步發展，設計并合成了一系列用于EUV光刻的單分子樹脂光刻膠，這些光刻膠分子不再局限于三苯基取代主要，具有更復雜的枝狀拓撲結構。三級碳原子的引入使其...

小分子的分子量通常小于聚合物，體積也小于聚合物，相對容易實現高分辨率、低粗糙度的圖案；而且制備工藝通常為多步驟的有機合成，容易控制純度，可以解決高分子材料面臨的質量穩定性問題。與高分子材料相比，小分子材料的缺點是難以配制黏度較高的溶液，從而難以實現厚膜樣品的制...

除了枝狀分子之外，環狀單分子樹脂近年來也得到了迅速發展。這些單分子樹脂的環狀結構降低了分子的柔性，從而通常具有較高的玻璃化轉變溫度和熱化學穩定性。由于構象較多，此類分子也難以結晶，往往具有很好的成膜性。起初將杯芳烴應用于光刻的是東京科技大學的Ueda課題組，2...

起初被廣泛應用的化學放大型EUV光刻膠是環境穩定的化學放大型光刻膠（ESCAP），該理念由IBM公司的光刻膠研發團隊于1994年提出，隨后Shipley公司也開展了系列研究。ESCAP光刻膠由對羥基苯乙烯、苯乙烯、丙烯酸叔丁酯共聚而成，其酸敏基團丙烯酸叔丁酯發...

2014年，印度理工學院曼迪分校的Gonsalves課題組將硫鎓離子連接在高分子側基上，構造了一系列非化學放大光刻膠。該光刻膠主鏈為聚甲基丙烯酸甲酯，側基連接二甲基苯基硫鎓鹽作為光敏基團，甲基作為惰性基團，咔唑或苯甲酸作為增黏基團。二甲基苯基硫鎓鹽通常用來作為...

光刻膠研發的目的，是提高光刻的性能。對光刻膠來說，重要的三個指標是表征其關鍵光刻性能的分辨率、靈敏度和粗糙度。分辨率表征了光刻膠可以得到的小圖案尺寸，通常使用光刻特征圖形的尺寸，即“關鍵尺寸”（CD）來表示；靈敏度表示了光刻膠實現曝光、形成圖形所需的較小能量；...

2010年，美國英特爾公司的Masson報道了一種含有Co的聚合物光刻膠，由Co2（CO）8與高分子鏈中的炔烴部分絡合反應生成。EUV曝光后，在光酸的作用下發生高分子斷鏈反應，溶解度發生變化，可形成30nm的光刻線條，具有較高的靈敏度，但LER較差。2014年...

KrF光刻時期，與ESCAP同期發展起來的還有具有低活化能的酸致脫保護基團的光刻膠，業界通稱低活化能膠或低溫膠。與ESCAP相比，低活化能膠無需高溫后烘，曝光能量寬裕度較高，起初由日本的和光公司和信越公司開發，1993年，IBM公司的Lee等也研發了相同機理的...

目前使用的ZEP光刻膠即采用了前一種策略。日本瑞翁公司開發的ZEP光刻膠起初用于電子束光刻，常用的商用品種ZEP520A為α-氯丙烯酸甲酯和α-甲基苯乙烯的1∶1共聚物。氯原子的引入可提高靈敏度，此外苯乙烯部分也可提高抗刻蝕性和玻璃化轉變溫度。采用后一種策略時...

研究人員將金屬納米簇用于EUV光刻時，制備了幾種結構為［（RSn）12O14（OH）6］X2（其中R為有機配體，X為羧酸平衡陰離子）的錫氧納米簇。錫氧納米簇對EUV光的吸收比有機光刻膠吸收要強，因此可以顯著提高光刻膠的靈敏度；此外納米簇的體積也小于金屬氧化物的...

目前使用的ZEP光刻膠即采用了前一種策略。日本瑞翁公司開發的ZEP光刻膠起初用于電子束光刻，常用的商用品種ZEP520A為α-氯丙烯酸甲酯和α-甲基苯乙烯的1∶1共聚物。氯原子的引入可提高靈敏度，此外苯乙烯部分也可提高抗刻蝕性和玻璃化轉變溫度。采用后一種策略時...

全息光刻-單晶硅各向異性濕法刻蝕是制作大高度比硅光柵的一種重要且常用的方法，全息光刻用來產生光刻膠光柵圖形，單晶硅各向異性濕法刻蝕將圖形轉移到硅基底中形成硅光柵。這種方法制作的硅光柵質量非常高，側壁可以達到原子級光滑，光柵線條的高度比可以高達160。但由于單晶...

在EUV圖形曝光工序中，光致產酸劑產生光酸，這些光酸一方面可以與光刻膠主體材料的離去基團反應，另一方面也可使光敏劑前體變為光敏劑。EUV曝光結束后，曝光區域富集了大量的光敏劑。再進行UV整片曝光，此時，只有富集了光敏劑的區域可以吸收UV光，光敏劑作為天線，使膠...

熱壓法能夠有效增大光刻膠光柵的占寬比你，工藝簡單、可靠，無需昂貴設備、成本低，獲得的光柵質量高、均勻性好。將該方法應用到大寬度比的硅光柵的制作工藝中，硅光柵線條的高度比達到了12.6，氮化硅光柵掩模的占寬比更是高達0.72，光柵質量很高，線條粗細均勻、邊緣光滑...

考慮到杯芳烴化合物的諸多優點，2006年，Ober課題組將其酚羥基用t-Boc基團部分保護，制備了可在EUV光下實現曝光的化學放大型光刻膠，獲得了50nm線寬、占空比為1∶2的光刻線條和40nm線寬的“L”形光刻圖形，與非化學放大型杯芳烴光刻膠相比，靈敏度提高...

由于EUV光刻膠膜較薄，通常小于100nm，對于精細的線條，甚至不足50nm，因此光刻膠頂部與底部的光強差異便顯得不那么重要了。而很長一段時間以來，限制EUV光刻膠發展的都是光源功率太低，因此研發人員開始反過來選用對EUV光吸收更強的元素來構建光刻膠主體材料。...

2010年，美國英特爾公司的Masson報道了一種含有Co的聚合物光刻膠，由Co2（CO）8與高分子鏈中的炔烴部分絡合反應生成。EUV曝光后，在光酸的作用下發生高分子斷鏈反應，溶解度發生變化，可形成30nm的光刻線條，具有較高的靈敏度，但LER較差。2014年...

一般的光刻工藝流程包括以下步驟：1）旋涂。將光刻膠旋涂在基底上（通常為硅，也可以為化合物半導體）。2）前烘。旋涂后烘烤光刻膠膜，確保光刻膠溶劑全部揮發。3）曝光。經過掩模版將需要的圖形照在光刻膠膜上，膠膜內發生光化學反應。4）后烘。某些光刻膠除了需要發生光反應...

從光刻設備角度來看，EUV光刻與其他波長光刻關鍵的兩點差異是光源強度和散粒噪聲。盡管有多種方式可獲得EUV光，商用EUV光刻機使用的是激光激發的等離子體（LPP）發光，其輸出功率曾長期是制約EUV光刻技術商用的瓶頸問題；另外，EUV光刻使用的是反射鏡成像系統，...