除了使用小分子作為金屬氧化物配體的光刻膠之外，Gonsalves課題組還報道了一種以聚合物作為配體的體系。他們以甲基丙烯酸配體的HfO2納米顆粒和帶有硫鎓鹽的甲基丙烯酸酯為原料，進行自由基聚合反應，使HfO2納米顆粒的配體變為側基帶有硫鎓鹽的聚甲基丙烯酸甲酯，光照后，硫鎓鹽變成硫醚，在水性顯影液中無法溶解，從而實現負性光刻。金屬納米顆粒一方面作為天線，有助于提高光刻膠的靈敏度；另一方面也可以提高抗刻蝕性。但是該光刻膠未獲得分辨率優于40nm的圖形，可能是因為該體系與基底的黏附力不佳。光刻膠的質量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關鍵因素。浦東顯示面板光刻膠
由于早期制約EUV光刻發展的技術瓶頸之一是光源功率太小，因此，在不降低其他光刻性能的前提下提高EUV光刻膠的靈敏度一直是科研人員的工作重點。為了解決這一問題，2013年，大阪大學的Tagawa等提出了光敏化化學放大光刻膠（PSCAR?）。與其他EUV化學放大光刻膠不同的是，PSCAR體系除了需在掩模下進行產生圖案的EUV曝光，還要在EUV曝光之后進行UV整片曝光。PSCAR體系中除了有主體材料、光致產酸劑，還包括光敏劑前體。這是一種模型光敏劑前體的結構，它本身對UV光沒有吸收，但在酸性條件下可以轉化為光敏劑，對UV光有吸收。浙江光分解型光刻膠曝光光刻膠必須在存儲和處理中受到保護。
2011年，Whittaker課題組又使用聚砜高分子作為主體材料，制備了鏈斷裂型非化學放大光刻膠。聚砜與聚碳酸酯類似，主鏈比PMMA更容易斷裂，因此該光刻膠的靈敏度更高。但較高的反應活性也降低了其穩定性，因此Whittaker課題組又利用原子轉移自由基聚合法（ARTP）制備了一種PMMA-聚砜復合高分子，主鏈為聚砜，支鏈為PMMA，呈梳形結構。PMMA的加入增強了光刻圖形的完整性，可獲得30nm線寬、占空比為1∶1的線條，最高分辨率可達22.5nm，靈敏度可達4~6mJ·cm?2。不過聚砜在曝光時會分解出二氧化硫和烯烴碎片，產氣量較大。
盡管HSQ可以實現較好的EUV光刻圖案，且具有較高的抗刻蝕性能，但HSQ較低的靈敏度無法滿足EUV光刻的需求，且價格非常昂貴，難以用于商用的EUV光刻工藝中。另外，盡管HSQ中Si含量很高，但由于O含量也很高，所以HSQ并未展現含Si光刻膠對EUV光透光性的優勢，未能呈現較高的對比度。因此，研發人員將目光轉向側基修飾的高分子光刻膠。使用含硅、含硼單元代替高分子光刻膠原本的功能性含氧側基，既可有效降低光刻膠對EUV光的吸收，又有助于提高對比度，也可提高抗刻蝕性。負膠有用甲基丙烯酸縮水甘油酯-丙烯酸乙酯共聚體和聚丙烯酸-2,3-二氯-1-丙酯。
光刻膠主要由主體材料、光敏材料、其他添加劑和溶劑組成。從化學材料角度來看，光刻膠內重要的成分是主體材料和光敏材料。光敏材料在光照下產生活性物種，促使主體材料結構改變，進而使光照區域的溶解度發生轉變，經過顯影和刻蝕，實現圖形從掩模版到基底的轉移。對于某些光刻膠來說，主體材料本身也可以充當光敏材料。依據主體材料的不同，光刻膠可以分為基于聚合物的高分子型光刻膠，基于小分子的單分子樹脂（分子玻璃）光刻膠，以及含有無機材料成分的有機-無機雜化光刻膠。本文將主要以不同光刻膠的主體材料設計來綜述EUV光刻膠的研發歷史和現狀。彩色玻璃也可以保護光刻膠。江浙滬化學放大型光刻膠單體
半導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉涂膠法，具體可以分為靜態旋轉法和動態噴灑法。浦東顯示面板光刻膠
環狀單分子樹脂中除了杯芳烴類物質以外，還有一類被稱為“水車”（Noria）的光刻膠，該類化合物由戊二醛和間苯二酚縮合而成，是一種中心空腔的雙層環梯狀結構分子，外形像傳統的水車，因此得名，起初在2006年時由日本神奈川大學的Nishikubo課題組報道出來。隨后，日本JSR公司的Maruyama課題組將Noria改性，通過金剛烷基團保護得到了半周期為22nm的光刻圖形。但是這種光刻膠的靈敏度較低、粗糙度較大，仍需進一步改進才能推廣應用。浦東顯示面板光刻膠