福建正性光刻膠

來源: 發布時間:2025-05-26

產品優勢:多元化布局與專業化延伸

 全品類覆蓋
吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等,形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線。例如:

? 芯片光刻膠:覆蓋i線、g線光刻膠,適用于6英寸、8英寸晶圓制造。

? 納米壓印光刻膠:用于MEMS、光學器件等領域,替代傳統光刻工藝。

 專業化延伸
公司布局半導體用KrF光刻膠,計劃2025年啟動研發,目標進入中芯國際、長江存儲等晶圓廠供應鏈。

質量與生產優勢:嚴格品控與自動化生產

 ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質量體系認證,生產環境執行8S管理,原材料采用美、德、日進口高質量材料,確保產品批次穩定性。
質量指標:光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb,良率超99%。

 自動化生產能力
擁有行業前列的全自動化生產線,年產能達2000噸(光刻膠及配套材料),支持大規模訂單交付。

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廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別,以滿足不同領域的需求。

厚板光刻膠:JT-3001 型號,具有優異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好,符合歐盟 ROHS 標準,保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝,如特定電路板制造。

負性光刻膠

  • SU-3 負性光刻膠:分辨率優異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應,重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。
  • 負性光刻膠 JT-1000:有 1L 和 100g 兩種規格,具有優異的分辨率、良好的對比度和高曝光靈敏度,光源適應。主要應用于對光刻精度要求高的領域,如半導體器件制造。
  • 耐腐蝕負性光刻膠 JT-NF100:重量 1L,具備耐腐蝕特性。適用于有腐蝕風險的光刻工藝,如特殊環境下的半導體加工或電路板制造。


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 全品類覆蓋與定制化能力
吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠等全品類,適用于半導體、顯示面板、MEMS等多個領域。例如,其LCD正性光刻膠YK-200和水油光刻膠JT-2001可滿足0.45μm及以上線寬需求,支持客戶定制化工藝參數,尤其在柔性顯示(OLED)和Mini/Micro LED等新興領域表現突出。
技術亮點:通過自主研發的樹脂配方和光敏劑體系,實現了高分辨率(120nm)和高抗蝕性的平衡,部分指標(如線寬粗糙度LWR<3nm)接近國際主流產品水平。

 國產化材料與工藝適配
公司采用進口原材料+本地化生產模式,關鍵樹脂單體、光敏劑等主要成分通過德國默克、日本信越等供應商采購,同時建立了超純提純工藝(雜質含量<1ppm),確保產品穩定性。此外,其光刻膠與國內主流光刻機(如上海微電子SSA800)、勻膠顯影機(如盛美上海)的兼容性已通過驗證,縮短客戶工藝調試周期。

LCD顯示

? 彩色濾光片(CF):

? 黑色矩陣(BM)光刻膠:隔離像素,線寬精度±2μm,透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻膠:形成紅/綠/藍像素,需高色純度(NTSC≥95%)和耐光性。

? 陣列基板(Array):

? 柵極絕緣層光刻膠:用于TFT-LCD的柵極圖案化,分辨率≤3μm。

 OLED顯示(柔性/剛性)

? 像素定義層(PDL)光刻膠:在基板上形成有機發光材料的 confinement 結構,線寬精度±1μm,需耐溶劑侵蝕(適應蒸鍍工藝)。

? 觸控電極(如ITO/PET):通過光刻膠圖形化實現透明導電線路,線寬≤5μm。

 Mini/Micro LED

? 巨量轉移前的芯片制備:使用高分辨率光刻膠(分辨率≤5μm)定義微米級LED陣列,良率要求>99.99%。
吉田技術自主化與技術領域突破!

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  1. 客戶需求導向
    支持特殊工藝需求定制,例如為客戶開發光刻膠配方,提供從材料選擇到工藝優化的全流程技術支持,尤其在中小批量訂單中靈活性優勢。
  2. 快速交付與售后支持
    作為國內廠商,吉田半導體依托松山湖產業集群資源,交貨周期較進口品牌縮短 30%-50%,并提供 7×24 小時技術響應,降低客戶供應鏈風險。
    性價比優勢
    國產光刻膠價格普遍低于進口產品 30%-50%,吉田半導體通過規模化生產和供應鏈優化進一步壓縮成本,同時保持性能對標國際品牌,適合對成本敏感的中低端市場及國產替代需求。
    政策與市場機遇
    受益于國內半導體產業鏈自主化趨勢,吉田半導體作為 “專精特新” 企業,獲得研發補貼及產業基金支持,未來在國產替代進程中具備先發優勢。
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 技術挑戰:

? 技術壁壘:EUV光刻膠、3nm以下制程材料仍處研發階段,光刻膠分辨率、靈敏度與國際水平存在差距(如東京應化ArF膠分辨率達14nm)。

? 供應鏈風險:樹脂、光引發劑等原材料自給率不足8%,部分依賴進口(如日本信越化學);美國對華技術封鎖可能影響設備采購。

? 客戶驗證:光刻膠需通過晶圓廠全流程測試,驗證周期長(1-2年),國內企業在頭部客戶滲透率較低。

未來展望:

? 短期(2025-2027年):KrF/ArF光刻膠國產化率預計提升至10%-15%,南大光電、上海新陽等企業實現28nm-7nm制程產品量產,部分替代日本進口。

? 中期(2028-2030年):EUV光刻膠進入中試驗證階段,原材料自給率提升至30%,國內企業在全球市場份額突破15%。

? 長期(2030年后):實現光刻膠全產業鏈自主可控,技術指標對標國際前列,成為全球半導體材料重要供應商。
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