主要優勢：細分領域技術突破與產業鏈協同 技術積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發經驗，實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系，分辨率達3μm，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域，填補了國內空白。 技術壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。 產品多元化與技術化布局 產品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：...

吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈： 芯片制造：YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲，支持國產 14nm 芯片量產。 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%，成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。 新能源領域：無鹵無鉛焊片通過 UL 認證，批量應用于寧德時代儲能系統，年供貨量超 500 噸。 研發投入：年研發費用占比超 15%，承擔國家 02 專項課題，獲 “國家技術發明二等獎”。 產能規模：光刻膠年產能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。 質量體系：通過 ISO9...

吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈： 芯片制造：YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲，支持國產 14nm 芯片量產。 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%，成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。 新能源領域：無鹵無鉛焊片通過 UL 認證，批量應用于寧德時代儲能系統，年供貨量超 500 噸。 研發投入：年研發費用占比超 15%，承擔國家 02 專項課題，獲 “國家技術發明二等獎”。 產能規模：光刻膠年產能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。 質量體系：通過 ISO9...

主要優勢：細分領域技術突破與產業鏈協同 技術積累與自主化能力 公司擁有23年光刻膠研發經驗，實現了從樹脂合成、光引發劑制備到配方優化的全流程自主化。例如，其納米壓印光刻膠通過自主開發的樹脂體系，分辨率達3μm，適用于MEMS傳感器、光學器件等領域，填補了國內空白。 技術壁壘：掌握光刻膠主要原材料（如樹脂、光酸）的合成技術，部分原材料純度達PPT級，金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。 產品多元化與技術化布局 產品線覆蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整體系。例如：...

作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業，廣東吉田半導體材料有限公司始終將環保理念融入產品研發與生產全流程。公司位于東莞松山湖產業集群，依托區域產業鏈優勢，持續推出符合國際環保標準的半導體材料解決方案。 公司在錫膏、焊片等產品中采用無鹵無鉛配方，嚴格遵循 RoHS 指令要求，避免使用有害物質。以錫膏為例，其零鹵素配方通過第三方機構認證，不僅減少了電子產品廢棄后的環境負擔，還提升了焊接可靠性，適用于新能源汽車、精密電子設備等領域。同時，納米壓印光刻膠與 LCD 光刻膠的生產過程中，公司通過優化原料配比，減少揮發性有機物（VOCs）排放，確保產品符合歐盟 REACH 法規...

吉田半導體突破光刻膠共性難題，提升行業生產效率，通過優化材料配方與工藝，吉田半導體解決光刻膠留膜率低、蝕刻損傷等共性問題，助力客戶降本增效。 針對傳統光刻膠留膜率低、蝕刻損傷嚴重等問題，吉田半導體研發的 T150A KrF 光刻膠留膜率較同類產品高 8%，密集圖形側壁垂直度達標率提升 15%。其納米壓印光刻膠采用特殊交聯技術，在顯影過程中減少有機溶劑對有機半導體的損傷，使芯片良率提升至 99.8%。這些技術突破有效降低客戶生產成本，推動行業生產效率提升。不同制程對光刻膠的性能要求各異，需根據工藝需求精確選擇。甘肅光刻膠生產廠家作為東莞松山湖的企業，吉田半導體深耕光刻膠領域 23 年，成功研發出...

廣東吉田半導體材料有限公司以光刻膠為中心，逐步拓展至半導體全材料領域，形成了 “技術驅動、全產業鏈覆蓋” 的發展格局。公司產品不僅包括芯片與 LCD 光刻膠，還延伸至錫膏、焊片、靶材等配套材料，為客戶提供一站式采購服務。 市場與榮譽： 產品遠銷全球 50 多個地區，客戶包括電子制造服務商（EMS）及半導體廠商。 獲評 “廣東省專精特新企業”“廣東省創新型中小企業”，并通過技術企業認證。 生產基地配備自動化設備，年產能超千噸，滿足大規模訂單需求。 未來展望： 公司計劃進一步擴大研發中心規模，聚焦第三代...

主要原材料“卡脖子”：從樹脂到光酸的依賴 樹脂與光酸的技術斷層 光刻膠成本中50%-60%來自樹脂，而國內KrF/ArF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。例如，日本信越化學的KrF樹脂純度達99.999%，金屬雜質含量低于1ppb，而國內企業的同類產品仍存在批次穩定性問題。光酸作為光刻膠的“心臟”，其合成需要超純試劑和復雜純化工藝，國內企業在純度控制（如金屬離子含量）上與日本關東化學等國際巨頭存在代差。 原材料供應鏈的脆弱性 光刻膠所需的酚醛樹脂、環烯烴共聚物（COC）等關鍵原料幾乎全部依賴進口。日本信越化學因地震導致KrF光刻...

半導體集成電路 ? 應用場景： ? 晶圓制造：正性膠為主（如ArF/EUV膠），實現20nm以下線寬，用于晶體管柵極、接觸孔等精細結構； ? 封裝工藝：負性膠用于凸點（Bump）制造，厚膠（5-50μm）耐電鍍溶液腐蝕。 ? 關鍵要求：高分辨率、低缺陷率、耐極端工藝（如150℃以上高溫、等離子體轟擊）。 印刷電路板（PCB） ? 應用場景： ? 線路成像：負性膠（如環化橡膠膠）用于雙面板/多層板外層線路，線寬≥50μm，耐堿性蝕刻液（如氯化銅）； ? 阻焊層：...

廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品，主要涵蓋厚板、負性、正性、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求。 厚板光刻膠：JT-3001 型號，具有優異的分辨率和感光度，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準，保質期 1 年。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造。 負性光刻膠 SU-3 負性光刻膠：分辨率優異，對比度良好，曝光靈敏度高，光源適應，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工、半導體制造等領域。 正性光刻膠 工程師正優化光刻膠配方，以應對先進制程下的微納加工挑戰。武漢P...

作為東莞松山湖的企業，吉田半導體深耕光刻膠領域 23 年，成功研發出 YK-300 半導體正性光刻膠與 JT-2000 納米壓印光刻膠。YK-300 適用于 45nm 及以上制程，線寬粗糙度（LWR）≤3nm，良率達 98% 以上，已通過中芯國際等晶圓廠驗證；JT-2000 突破耐高溫極限，在 250℃復雜環境下仍保持圖形穩定性，適用于 EUV 光刻前道工藝。依托進口原材料與全自動化生產工藝，產品通過 ISO9001 認證及歐盟 RoHS 標準，遠銷全球并與跨國企業建立長期合作，加速國產替代進程。感光膠的工藝和應用。內蒙古厚膜光刻膠 作為深耕半導體材料領域二十余年的綜合性企業，廣東吉田...

? 正性光刻膠 ? YK-300：適用于半導體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。 ? 技術優勢：采用進口樹脂及光引發劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。 ? 負性光刻膠 ? JT-1000：負性膠，主打優異抗深蝕刻性能，分辨率達3μm，適用于功率半導體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強腐蝕液處理。 ? SU-3：經濟...

廣東吉田半導體材料有限公司以全球化視野布局市場，通過嚴格的質量管控與完善的服務體系贏得客戶信賴。公司產品不僅通過 ISO9001 認證，更以進口原材料和精細化生產流程保障品質，例如錫膏產品采用無鹵無鉛配方，符合環保要求，適用于電子產品制造。其銷售網絡覆蓋全球，與富士康、聯想等企業保持長期合作，并在全國重點區域設立辦事處，提供本地化技術支持與售后服務。 作為廣東省創新型中小企業，吉田半導體始終將技術研發視為核心競爭力。公司投入大量資源開發新型光刻膠及焊接材料，例如 BGA 助焊膏和針筒錫膏，滿足精密電子組裝的需求。同時，依托東莞 “世界工廠” 的產業集群優勢，公司強化供應鏈協同，縮短...

關鍵應用領域 半導體制造： ? 在晶圓表面涂覆光刻膠，通過掩膜曝光、顯影，刻蝕出晶體管、電路等納米級結構（如EUV光刻膠用于7nm以下制程）。 印刷電路板（PCB）： ? 保護電路圖形或作為蝕刻抗蝕層，制作線路和焊盤。 顯示面板（LCD/OLED）： ? 用于制備彩色濾光片、電極圖案等。 微機電系統（MEMS）： ? 加工微結構（如傳感器、執行器）。 工作原理（以正性膠為例） 1. 涂膠：在基材（如硅片）表面均勻旋涂光刻膠，烘...

綠色制造與循環經濟 公司采用水性光刻膠技術，溶劑揮發量較傳統產品降低60%，符合歐盟REACH法規和國內環保標準。同時，其光刻膠廢液回收項目已投產，通過膜分離+精餾技術實現90%溶劑循環利用，年減排VOCs（揮發性有機物）超100噸。 低碳供應鏈管理 吉田半導體與上游供應商合作開發生物基樹脂，部分產品采用可再生原料（如植物基丙烯酸酯），碳排放強度較傳統工藝降低30%。這一舉措使其在光伏電池和新能源汽車領域獲得客戶青睞，相關訂單占比從2022年的15%提升至2023年的25%。 EUV光刻膠單價高昂，少數企業具備量產能力，如三星、臺積電已實現規模化應用。低溫光...

技術研發：從配方到工藝的經驗壁壘 配方設計的“黑箱效應” 光刻膠配方涉及成百上千種成分的排列組合，需通過數萬次實驗優化。例如，ArF光刻膠需在193nm波長下實現0.1μm分辨率，其光酸產率、熱穩定性等參數需精確匹配光刻機性能。日本企業通過數十年積累形成的配方數據庫，國內企業短期內難以突破。 工藝控制的極限挑戰 光刻膠生產需在百級超凈車間進行，金屬離子含量需控制在1ppb以下。國內企業在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝上存在技術短板，導致產品批次一致性差。例如，恒坤新材的KrF光刻膠雖通過12英寸產線驗證，但量產良率較日本同類...

技術驗證周期長 半導體光刻膠的客戶驗證周期通常為2-3年，需經歷PRS（性能測試）、STR（小試）、MSTR（批量驗證）等階段。南大光電的ArF光刻膠自2021年啟動驗證，預計2025年才能進入穩定供貨階段。 原材料依賴仍存 樹脂和光酸仍依賴進口，如KrF光刻膠樹脂的單體國產化率不足10%。國內企業需在“吸附—重結晶—過濾—干燥”耦合工藝等關鍵技術上持續突破。 未來技術路線 ? 金屬氧化物基光刻膠：氧化鋅、氧化錫等材料在EUV光刻中展現出更高分辨率和穩定性，清華大學團隊已實現5nm線寬的原型驗證。 ...

工藝流程 ? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強感光膠附著力。 ? 方法： ? 化學清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）； ? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。 涂布（Coating） ? 方式： ? 旋涂：半導體/顯示領域，厚度控制精確（納米至微米級），轉速500-5000rpm； ? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）。 ...

差異化競爭策略 在高級市場（如ArF浸沒式光刻膠），吉田半導體采取跟隨式創新，通過優化現有配方（如提高酸擴散抑制效率）逐步縮小與國際巨頭的差距；在中低端市場（如PCB光刻膠），則憑借性價比優勢（價格較進口產品低20%-30%）快速搶占份額，2023年PCB光刻膠市占率突破10%。 前沿技術儲備 公司設立納米材料研發中心，重點攻關分子玻璃光刻膠和金屬有機框架（MOF）光刻膠，目標在5年內實現EUV光刻膠的實驗室級突破。此外，其納米壓印光刻膠已應用于3D NAND存儲芯片的孔陣列加工，分辨率達10nm，為國產存儲廠商提供了替代方案。 PCB光刻膠用于線路...

定義與特性 負性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。 化學組成與工作原理 主要成分 基體樹脂： ? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。 光敏劑： ...

吉田半導體的自研產品已深度融入國內半導體產業鏈： 芯片制造：YK-300 光刻膠服務中芯國際、長江存儲，支持國產 14nm 芯片量產。 顯示面板：YK-200 LCD 光刻膠市占率達 15%，成為京東方、華星光電戰略合作伙伴。 新能源領域：無鹵無鉛焊片通過 UL 認證，批量應用于寧德時代儲能系統，年供貨量超 500 噸。 研發投入：年研發費用占比超 15%，承擔國家 02 專項課題，獲 “國家技術發明二等獎”。 產能規模：光刻膠年產能 5000 噸，納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。 質量體系：通過 ISO9...

國家戰略支持 《國家集成電路產業投資基金三期規劃》將光刻膠列為重點投資領域，計劃投入超500億元支持研發。工信部對通過驗證的企業給予稅收減免和設備采購補貼，單家企業比較高補貼可達研發投入的30%。 地方產業協同 濟南設立寬禁帶半導體產業專項基金，深圳國際半導體光刻膠產業展覽會（2025年4月）吸引全球300余家企業參展，推動技術交流。 資本助力產能擴張 恒坤新材通過科創板IPO募資15億元，擴大KrF光刻膠產能并布局集成電路前驅體項目。彤程新材半導體光刻膠業務2024年上半年營收增長54.43%，ArF光刻膠開始形成銷售。...

納米壓印光刻膠 微納光學器件制造：制作衍射光學元件、微透鏡陣列等微納光學器件時，納米壓印光刻膠可實現高精度的微納結構復制。通過納米壓印技術，將模板上的微納圖案轉移到光刻膠上，再經過后續處理，可制造出具有特定光學性能的微納光學器件，應用于光通信、光學成像等領域。 生物芯片制造：在 DNA 芯片、蛋白質芯片等生物芯片的制造中，需要在芯片表面構建高精度的微納結構，用于生物分子的固定和檢測。納米壓印光刻膠可幫助實現這些精細結構的制作，提高生物芯片的檢測靈敏度和準確性。 光刻膠的靈敏度（曝光劑量）和對比度是衡量其性能的關鍵參數。吉林阻焊油墨光刻膠生產廠家 市場與客戶優勢...

光刻膠（Photoresist）是一種對光敏感的高分子材料，主要用于光刻工藝中，通過光化學反應實現圖案的轉移，是半導體、集成電路（IC）、印刷電路板（PCB）、液晶顯示（LCD）等制造領域的材料之一。 光刻膠特性與組成 ? 光敏性：在特定波長（如紫外光、極紫外光EUV等）照射下，會發生化學結構變化（如交聯或分解），從而改變在顯影液中的溶解性。 ? 主要成分： ? 樹脂（成膜劑）：形成基礎膜層，決定光刻膠的機械和化學性能。 ? 光敏劑：吸收光能并引發化學反應（如光分解、光交聯）。 ...

廣東吉田半導體材料有限公司以全球化視野布局市場，通過嚴格的質量管控與完善的服務體系贏得客戶信賴。公司產品不僅通過 ISO9001 認證，更以進口原材料和精細化生產流程保障品質，例如錫膏產品采用無鹵無鉛配方，符合環保要求，適用于電子產品制造。其銷售網絡覆蓋全球，與富士康、聯想等企業保持長期合作，并在全國重點區域設立辦事處，提供本地化技術支持與售后服務。 作為廣東省創新型中小企業，吉田半導體始終將技術研發視為核心競爭力。公司投入大量資源開發新型光刻膠及焊接材料，例如 BGA 助焊膏和針筒錫膏，滿足精密電子組裝的需求。同時，依托東莞 “世界工廠” 的產業集群優勢，公司強化供應鏈協同，縮短...

定義與特性 負性光刻膠是一種在曝光后，未曝光區域會溶解于顯影液的光敏材料，形成與掩膜版（Mask）圖案相反的圖形。與正性光刻膠相比，其主要特點是耐蝕刻性強、工藝簡單、成本低，但分辨率較低（通常≥1μm），主要應用于對精度要求相對較低、需要厚膠或高耐腐蝕性的場景。 化學組成與工作原理 主要成分 基體樹脂： ? 早期以聚異戊二烯橡膠（天然或合成）為主，目前常用環化橡膠（Cyclized Rubber）或聚乙烯醇肉桂酸酯，提供膠膜的機械強度和耐蝕刻性。 光敏劑： ...

光伏電池（半導體級延伸） ? HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm2），線寬≤20μm，降低遮光損失。 ? 鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離，需耐有機溶劑（適應溶液涂布工藝）。 納米壓印技術（下一代光刻） ? 納米壓印光刻膠：通過模具壓印實現10nm級分辨率，用于3D NAND存儲孔陣列（直徑≤20nm）、量子點顯示陣列等。 微流控與生物醫療 ? 微流控芯片：制造微米級流道（寬度10-100μm），材料需生物相容性（如PDMS...

公司遵循國際質量管理標準，通過 ISO9001:2008 認證，并在生產過程中執行 8S 現場管理，從原料入庫到成品出庫實現全流程監控。以錫膏產品為例，其無鹵無鉛配方符合環保要求，同時具備低飛濺、高潤濕性等特點，適用于電子產品組裝。此外，公司建立了行業標準化實驗室，配備先進檢測設備，確保產品性能達到國際同類水平。 憑借多年研發積累，公司形成了覆蓋光刻膠、焊接材料、電子膠等領域的豐富產品線。在焊接材料方面，不僅提供常規錫膏、助焊膏，還針對特殊場景開發了 BGA 助焊膏、針筒錫膏等定制化產品，滿足精密電子組裝的多樣化需求。同時，感光膠系列產品分為水性與油性兩類，兼具耐潮性與易操作性，廣...

? 正性光刻膠 ? YK-300：適用于半導體制造，具備高分辨率（線寬≤10μm）、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造，適配UV光源（365nm/405nm）。 ? 技術優勢：采用進口樹脂及光引發劑，絕緣阻抗高（>10^14Ω），滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。 ? 負性光刻膠 ? JT-1000：負性膠，主打優異抗深蝕刻性能，分辨率達3μm，適用于功率半導體、MEMS器件制造，可承受氫氟酸（HF）、磷酸（H3PO4）等強腐蝕液處理。 ? SU-3：經濟...

工藝流程 ? 目的：去除基板表面油污、顆粒，增強感光膠附著力。 ? 方法： ? 化學清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）； ? 表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。 涂布（Coating） ? 方式： ? 旋涂：半導體/顯示領域，厚度控制精確（納米至微米級），轉速500-5000rpm； ? 噴涂/輥涂：PCB/MEMS領域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）。 ...