上海貼片場效應管參數

場效應管介紹：場效應晶體管（縮寫FET）簡稱場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^8~10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點。場效應管是電壓控制器件，它通過VGS（柵源電壓）來控制ID（漏極電流）；場效應管的輸入端電流極小，因此它的輸入電阻很大。它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好；它組成的放大電路的電壓放大系數要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數；由于不存在雜亂運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲相對會比較低。場效應管高輸入阻抗容易驅動，輸入阻抗隨頻率的變化比較小 。上海貼片場效應管參數

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。金華場效應管使用注意事項場效應管在源極金屬與襯底連在一起時，源極和漏極可以互換使用。

場效應管MOSFET運用：MOSFET普遍使用在模擬電路與數字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優勢在于：首先驅動場效應管應用電路電路比較簡單。MOSFET需要的驅動電流比 BJT則小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集電極開路TTL驅動電路驅動；其次MOSFET的開關速度比較迅速，能夠以較高的速度工作，因為沒有電荷存儲效應；另外MOSFET沒有二次擊穿失效機理，它在溫度越高時往往耐力越強，而且發生熱擊穿的可能性越低，還可以在較寬的溫度范圍內提供較好的性 能。MOSFET已經得到了大量應用，在消費電子、工業產品、機電設備、智能手機以及其他便攜式數碼電子產品中隨處可見。

場效應晶體管既可以作為多數載流子器件（由多子導電），又可以作為少數載流子器件（由少子導電）。該器件由電荷載流子（電子或空穴）從源極流到漏極的有源溝道組成。源極導體和漏極導體通過歐姆接觸聯結。溝道的電導率是柵源電壓的函數。場效應晶體管的三個電極包括:源極(S)，載流子經過源極進入溝道。通常，在源極處進入通道的電流由IS表示。漏極(D)，載流子通過漏極離開溝道。通常，在漏極處進入通道的電流由ID表示。漏極與源極之間的電壓由VDS表示。柵極(G)，調制溝道電導率的電極。通過向柵極施加電壓，可以控制ID。場效應晶體管的一個常見用途是用作放大器。

場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力:　將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。場效應管轉換速率較高，高頻特性好。P溝耗盡型場效應管廠家直銷

場效應晶體管可以由各種半導體制成。上海貼片場效應管參數

場效應管輸入電阻基本是無窮大，但是GS之間存在一個電容，而且場效應管能承受電流越大，Cgs一般也越大，在高速開關時，MOS會在突然導通與突然關斷之間切換，那么前級的推動電路就需要對MOS的輸入電容進行充放電，如果不要驅動電路，推動電路加在MOS上的電壓上升速度或下降速度就可能不能滿足要求（推動輸出電阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢），這樣就使得MOS在相當一部分時間內工作在線性區域，從而導致開關效率降低！例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）（4）檢查跨導將萬用表置于R×1k（或R×100）檔，紅表筆接S極，黑表筆接D極，手持螺絲刀去碰觸柵極，表針應有明顯偏轉，偏轉愈大，管子的跨導愈高。上海貼片場效應管參數

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