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整流二極管還能夠起到保護作用，當整流二極管外加反向電壓不超過一定范圍時，通過整流二極管的電流少數載流子漂移運動從而形成的反向電流，可以防止接錯正負極。整流二極管的作用中的反向擊穿，反向擊穿按機理原理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。整流二極管在高摻雜濃度的情況下，整流二極管因勢壘區寬度很小，反向電壓較大會破壞勢壘區內共價鍵結構，使電子脫離共價鍵束縛，產生電子空穴，整流二極管的作用中的另一種擊穿為雪崩擊穿。當整流二極管反向電壓增加到較大數值時，外加電場會使電子漂移速度加快，從而使整流二極管共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子空穴對。控制芯片就選深圳市凱軒業科技，竭誠為您服務。遼寧高效率二極管商家

3、高反向電阻點接觸型二極管正向電壓特性和一般用二極管相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用于高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極管而言，SD54、1N54A 等等屬于這類二極管。4、高傳導點接觸型二極管它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極管而言，有 SD56、1N56A 等等。對高傳導鍵型二極管而言，能夠得到更優良的特性。這類二極管，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。遼寧高效率二極管商家專業控制芯片設計研發，深圳凱軒業電子有限公司，竭誠為您服務。

6、平面型二極管在半導體單晶片（主要地是 N 型硅單晶片）上，擴散 P 型雜質，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在 N 型硅單晶片上但選擇性地擴散一部分而形成的 PN 結。因此，不需要為調整 PN 結面積的藥品腐蝕作用。由于半導體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN 結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。較初，對于被使用的半導體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。

2、鍵型二極管鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的 PN 結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于 50mA）。在鍵型二極管中，熔接金絲的二極管有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極管有時被稱為銀鍵型。3、合金型二極管在 N 型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法制作 PN 結而形成的。正向電壓降小，適于大電流整流。因其 PN 結反向時靜電容量大，所以不適于高頻檢波和高頻整流線性穩壓電源的主要功能是穩定電壓。當直流電壓流動時，它會產生低壓輸出，使其成為相對安全的電源。kxy。

較高反向工作電壓VR：指二極管兩端允許施加的較大反向電壓。若大于此值，則反向電流(IR)劇增，二極管的單向導電性被破壞，從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電壓VB的一半作為VR。（3）較大反向電流IR：它是二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，此參數反映了二極管單向導電性能的好壞。因此這個電流值越小，表明二極管質量越好。（4）擊穿電壓VB：指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。（5）正向電壓VF：指二極管正向電壓是電流通過二極管傳導時產生的電壓降。（6）反向恢復時間trr：指在規定的負載、正向電流及較大反向瞬態電壓下的反向恢復時間。深圳市凱軒業科技是一家專業控制芯片方案設計公司，歡迎您的來電喔！浙江高效率二極管哪種好

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擴散型二極管在高溫的 P 型雜質氣體中，加熱 N 型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成 P 型，以此法 PN 結。因 PN 結正向電壓降小，適用于大電流整流。較近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。5、臺面型二極管PN 結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留 PN 結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。遼寧高效率二極管商家