電解電容器的檢測(cè)A 因?yàn)殡娊怆娙莸娜萘枯^一般固定電容大得多，所以，測(cè)量時(shí)，應(yīng)針對(duì)不同容量選用合適的量程。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，一般情況下，1～47μF間的電容，可用R×1k擋測(cè)量，大于47μF的電容可用R×100擋測(cè)量。B 將萬(wàn)用表紅表筆接負(fù)極，黑表筆接正極，在剛接觸的瞬...

繼電器電子元器件繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流去控制較大電流的一種“自動(dòng)開(kāi)關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。 汽車?yán)^電器/信...

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非***品...

模擬集成電路是指由電阻、電容、晶體管等元件集成在一起用來(lái)處理模擬信號(hào)的模擬集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運(yùn)算放大器、比較器、對(duì)數(shù)和指數(shù)放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環(huán)、電源管理芯片等。模擬集成電路的主要構(gòu)成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱為源和漏。 控制橫向電場(chǎng)的電極稱為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種： ①結(jié)型場(chǎng)...

新型材料應(yīng)用：二維材料、量子點(diǎn)、碳納米管等新型材料的研究和應(yīng)用，為芯片設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的發(fā)展機(jī)遇。這些材料具有優(yōu)異的電學(xué)、熱學(xué)和力學(xué)性能，可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術(shù)優(yōu)化：先進(jìn)的封裝技術(shù)，如3D封裝、系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）等，使得芯片在集成度和互連性上得...

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非***品...

光在大氣中的傳播速度會(huì)隨大氣的溫度和氣壓而變化，15℃和760mmHg是儀器設(shè)置的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)值，此時(shí)的大氣改正為0ppm。實(shí)測(cè)時(shí)，可輸入溫度和氣壓值，全站儀會(huì)自動(dòng)計(jì)算大氣改正值（也可直接輸入大氣改正值），并對(duì)測(cè)距結(jié)果進(jìn)行改正。（3）量?jī)x器高、棱鏡高并輸入全站儀。...

電容 1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號(hào)為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開(kāi)而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對(duì)交流信號(hào)的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號(hào)...

分類： 集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數(shù)字，可以分為：模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號(hào)集成電路（模擬和數(shù)字在一個(gè)芯片上）。數(shù)字集成電路可以包含任何東西，在幾平方毫米上有從幾千到百萬(wàn)的邏輯門(mén)、觸發(fā)器、多任務(wù)器和其他電路。這些電路的小尺寸使...

直讀法用直接指出被測(cè)量大小的指示儀表進(jìn)行測(cè)量，能夠直接從儀表刻度盤(pán)商或從顯示器上讀取被測(cè)量數(shù)值的測(cè)量方法，稱為直讀法。比較法將被測(cè)量與標(biāo)準(zhǔn)量在比較儀器中直接比較，從而獲得被測(cè)量數(shù)值的方法，稱為比較法。 時(shí)域測(cè)量時(shí)域測(cè)量也叫作瞬時(shí)測(cè)量，主要是測(cè)量被測(cè)量...

電容器電容器通常簡(jiǎn)稱其為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容是電子設(shè)備中大量使用的電子元件之一，廣泛應(yīng)用于隔直，耦合，旁路，濾波，調(diào)諧回路， 能量轉(zhuǎn)換，控制電路等方面。定義2：...

它在電路中用字母“IC”表示。集成電路的發(fā)明者是JackKilby（集成電路基于鍺(Ge)）和RobertNoyth（基于硅(Si)的集成電路）。當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)的大多數(shù)應(yīng)用都是基于硅的集成電路。集成電路是1950年代末和1960年代發(fā)展起來(lái)的一種新型半導(dǎo)體器件...

簡(jiǎn)稱測(cè)距儀。用電磁波(光波或微波)運(yùn)載測(cè)距信號(hào)以測(cè)量點(diǎn)間距離的儀器。其測(cè)距基本原理為測(cè)定傳輸在待測(cè)點(diǎn)間的電磁波一次往返所需的時(shí)間t，并根據(jù)電磁波在大氣中的傳輸速度c，求得距離D=1/2ct。按測(cè)定t的方式不同，分為脈沖式測(cè)距儀(直接測(cè)定t)，相位式測(cè)距儀和脈沖...

測(cè)試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬(wàn)用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬(wàn)用表的表筆接法剛好相反。4、常用的1N4000系列二極管耐壓比較如下：型號(hào)1N4001 1N4002 1N4003 1N4...

測(cè)量?jī)x器是用來(lái)測(cè)量物理量的裝置。在物理科學(xué)、質(zhì)量保證和工程中，測(cè)量是獲取和比較現(xiàn)實(shí)世界中物體和事件的物理量的行為。已建立的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)象和事件被當(dāng)做單位，在測(cè)量過(guò)程中給出與研究項(xiàng)目和參考測(cè)量單位相關(guān)的數(shù)字。所有測(cè)量?jī)x器都會(huì)受到不同程度的儀器誤差和測(cè)量不確定度的影響。...

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非***品...

照準(zhǔn)部水準(zhǔn)軸應(yīng)垂直于豎軸的檢驗(yàn)和校正檢驗(yàn)時(shí)先將儀器大致整平,轉(zhuǎn)動(dòng)照準(zhǔn)部使其水準(zhǔn)管與任意兩個(gè)腳螺旋的連線平行,調(diào)整腳螺旋使氣泡居中,然后將照準(zhǔn)部旋轉(zhuǎn)180度,若氣泡仍然居中則說(shuō)明條件滿足,否則應(yīng)進(jìn)行校正。校正的目的是使水準(zhǔn)管軸垂直于豎軸．即用校正針撥動(dòng)水準(zhǔn)管一端...

兆歐表兆歐表（俗稱搖表）是一種檢查電氣設(shè)備、測(cè)量高電阻的簡(jiǎn)便直讀式儀表，通常用來(lái)測(cè)量電路、電機(jī)繞組、電纜等絕緣電阻。兆歐表大多采用手搖發(fā)電機(jī)供電，故稱搖表。由于它的刻度是以兆歐（MΩ）為單位，故稱兆歐表。 紅外測(cè)試儀紅外測(cè)試儀是一種非接觸式測(cè)溫儀器，它包括光學(xué)...

對(duì)于正、負(fù)極標(biāo)志不明的電解電容器，可利用上述測(cè)量漏電阻的方法加以判別。即先任意測(cè)一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測(cè)出一個(gè)阻值。兩次測(cè)量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負(fù)極。D 使用萬(wàn)用表電阻擋，采用給電解電容進(jìn)行正、反向充電...

半導(dǎo)體器件材料和性能？ 大多數(shù)半導(dǎo)體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電率是由晶體結(jié)構(gòu)中引起自由電子過(guò)剩和缺乏的雜質(zhì)決定的，一般是通過(guò)多數(shù)載流子（N型半導(dǎo)體中的電子，P型...

發(fā)展趨勢(shì)： 測(cè)試儀器和系統(tǒng)處于多總線和多接口并存的混亂時(shí)期:GPIB、VXI、MMS、PXI、PCI、CPCI、1394、ISA、USBSPI、SMB、I2C等多總線并存,自動(dòng)測(cè)試體系出現(xiàn)分布式結(jié)構(gòu)和多總線結(jié)構(gòu)。儀器吞并了計(jì)算機(jī)，同時(shí)又使自己成為龐大...

導(dǎo)帶中的電子和價(jià)帶中的空穴合稱電子 - 空穴對(duì)，均能自由移動(dòng)，即載流子，它們?cè)谕怆妶?chǎng)作用下產(chǎn)生定向運(yùn)動(dòng)而形成宏觀電流，分別稱為電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電。這種由于電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生而形成的混合型導(dǎo)電稱為本征導(dǎo)電。導(dǎo)帶中的電子會(huì)落入空穴，電子-空穴對(duì)消失，...

1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來(lái)放大電話的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是，這種點(diǎn)接觸型晶...

三極管三極管在中文含義里面只是對(duì)三個(gè)腳的放大器件的統(tǒng)稱，我們常說(shuō)的三極管，可能有多種器件。可以看到，雖然都叫三極管，其實(shí)在英文里面的說(shuō)法是千差萬(wàn)別的，三極管這個(gè)詞匯其實(shí)也是中文特有的一個(gè)象形意義上的的詞匯電子三極管 Triode 這個(gè)是英漢字典里面“三極管”這...

測(cè)量?jī)x器是將被測(cè)量轉(zhuǎn)換成可供直接觀察的指示值儀器，包括各類指示儀器，比較儀器，記錄儀器，傳感儀器和變送器等。直接測(cè)量在測(cè)量過(guò)程中，能夠直接將被測(cè)量與同類標(biāo)準(zhǔn)量進(jìn)行比較，或能夠直接用事先刻度好的測(cè)量?jī)x器對(duì)被測(cè)量進(jìn)行測(cè)量，直接獲得數(shù)值的測(cè)量稱為直接測(cè)量。間接測(cè)量當(dāng)...

集成電路的早期發(fā)展可以追溯到1949年，當(dāng)時(shí)德國(guó)工程師沃納·雅可比[4]（西門(mén)子)[5]申請(qǐng)了集成電路狀半導(dǎo)體放大器的**[6]示出了公共襯底上的五個(gè)晶體管組成的三級(jí)放大器。雅可比披露了小巧便宜的助聽(tīng)器作為他**的典型工業(yè)應(yīng)用。他的**尚未被報(bào)道而立即用于商業(yè)...

光電探測(cè)器光電探測(cè)器的功能是把微弱的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，然后經(jīng)過(guò)放大器將電信號(hào)放大，從而達(dá)到檢測(cè)光信號(hào)的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測(cè)器。它利用了半導(dǎo)體受光照后電阻變小的效應(yīng)。此外，光電二極管、光電池都可以用作光電探測(cè)元件。十分微...

制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個(gè)電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個(gè)管殼內(nèi)。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成...

鍵盤(pán)鍵盤(pán)是全站儀在測(cè)量時(shí)輸入操作指令或數(shù)據(jù)的硬件，全站型儀器的鍵盤(pán)和顯示屏均為雙面式，便于正、倒鏡作業(yè)時(shí)操作。4．存儲(chǔ)器全站儀存儲(chǔ)器的作用是將實(shí)時(shí)采集的測(cè)量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)起來(lái)，再根據(jù)需要傳送到其它設(shè)備如計(jì)算機(jī)等中，供進(jìn)一步的處理或利用，全站儀的存儲(chǔ)器有內(nèi)存儲(chǔ)器和存儲(chǔ)...