據(jù)悉，此前德州約有380萬(wàn)名居民被斷電。為了盡快解決這一問(wèn)題，德州**周四發(fā)布了天然氣對(duì)外銷(xiāo)售禁令，要求天然氣生產(chǎn)商將天然氣賣(mài)給本州電廠(chǎng)。德州電網(wǎng)運(yùn)營(yíng)商Ercot的高管Dan Woodfin在接受采訪(fǎng)時(shí)稱(chēng)，天然氣供應(yīng)不足是其難以恢復(fù)供電的原因之一。 而在德州大...

電子測(cè)距儀有很多種，如：手持測(cè)距儀、激光測(cè)距儀、超聲波測(cè)距儀、紅外測(cè)距儀，介紹其中的幾種； 光學(xué)測(cè)距儀，英文全名“Optical Range Finder”?？芍弊g為“射程測(cè)量?jī)x”它是采用三角函數(shù)概念來(lái)測(cè)算距離的儀器。其概念雖然在18世紀(jì)就已經(jīng)提出，但無(wú)奈當(dāng)時(shí)...

關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后，組件可以集成并連線(xiàn)到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國(guó)陸軍提出的，并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類(lèi)似于 1951 年的 T...

晶體生長(zhǎng)類(lèi)型將純半導(dǎo)體單晶熔化成半導(dǎo)體，并緩慢擠壓生長(zhǎng)成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質(zhì)和受主雜質(zhì)的溶液中擠出來(lái)的，如果擠出速度快，則生長(zhǎng)出P型半導(dǎo)體，如果慢則生長(zhǎng)出N型半導(dǎo)體。因?yàn)榛鶚O區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴(kuò)散當(dāng)在擠壓過(guò)程中添加到溶解半...

測(cè)量?jī)x器是用來(lái)測(cè)量物理量的裝置。在物理科學(xué)、質(zhì)量保證和工程中，測(cè)量是獲取和比較現(xiàn)實(shí)世界中物體和事件的物理量的行為。已建立的標(biāo)準(zhǔn)對(duì)象和事件被當(dāng)做單位，在測(cè)量過(guò)程中給出與研究項(xiàng)目和參考測(cè)量單位相關(guān)的數(shù)字。所有測(cè)量?jī)x器都會(huì)受到不同程度的儀器誤差和測(cè)量不確定度的影響。...

半導(dǎo)體 -----指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在集成電路、消費(fèi)電子、通信系統(tǒng)、光伏發(fā)電、照明、大功率電源轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域都有應(yīng)用，如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子...

電子測(cè)量?jī)x器的特點(diǎn)(1)基礎(chǔ)作用重要：電子測(cè)量?jī)x器是獲取信息不可缺少的物質(zhì)基礎(chǔ)，也是高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基石和倍增器。據(jù)統(tǒng)計(jì)，我國(guó)約30%的基建技改費(fèi)用于購(gòu)買(mǎi)電子測(cè)量?jī)x器，電子測(cè)量?jī)x器已經(jīng)成為工業(yè)系統(tǒng)科研生產(chǎn)能力建設(shè)的一項(xiàng)重要內(nèi)容。?(2)技術(shù)門(mén)檻高：電子測(cè)...

無(wú)錫微原電子科技有限公司是一家專(zhuān)注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時(shí)間在2022年1月18日。坐落于無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道111號(hào)軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測(cè)量?jī)x器、電子元器件等相關(guān)。公司專(zhuān)...

元素半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是指單一元素構(gòu)成的半導(dǎo)體，其中對(duì)硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導(dǎo)體特性的固體材料，容易受到微量雜質(zhì)和外界條件的影響而發(fā)生變化。目前，只有硅、鍺性能好，運(yùn)用的比較廣，硒在電子照明和光電領(lǐng)域中應(yīng)用。硅在半導(dǎo)體工業(yè)中運(yùn)用的多...

1906年美國(guó)人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來(lái)放大電話(huà)的聲音電流。此后，人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來(lái)作為質(zhì)量輕、價(jià)廉和壽命長(zhǎng)的放大器和電子開(kāi)關(guān)。1947年，點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開(kāi)了新的一頁(yè)。但是，這種點(diǎn)接觸型晶...

截至 2018 年，絕大多數(shù)晶體管都是使用平坦的二維平面工藝，在硅芯片一側(cè)的單層中制造的。研究人員已經(jīng)生產(chǎn)了幾種有希望的替代品的原型，例如:堆疊幾層晶體管以制造三維集成電路(3DC)的各種方法，例如硅通孔，“單片 3D”， 堆疊引線(xiàn)接合， 和其他方法。由其他材...

在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開(kāi)始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面，通道間的波長(zhǎng)間隙已小到25GHz...

空間電荷區(qū)：擴(kuò)散到P區(qū)的自由電子與空穴復(fù)合，而擴(kuò)散到N區(qū)的空穴與自由電子復(fù)合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負(fù)離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動(dòng)，稱(chēng)為空間電荷區(qū)。電場(chǎng)形成：空間電荷區(qū)形成內(nèi)電場(chǎng)?？臻g電荷加寬，內(nèi)電場(chǎng)增強(qiáng)，其...

1912年，也就是在無(wú)畏級(jí)下水的第5年，在被稱(chēng)為“現(xiàn)代海軍炮術(shù)之父”帕西。斯科特勛爵士的設(shè)計(jì)和指導(dǎo)下，英國(guó)維克斯公司制造出了單人控制椅。這套系統(tǒng)包括連接了**的***炮長(zhǎng)**回旋式測(cè)距儀的目鏡，水平角度和俯仰的設(shè)定機(jī)構(gòu)以及這些數(shù)據(jù)的傳輸裝置，還有一個(gè)**形的擊...

帶有“視距絲”的光學(xué)速測(cè)儀，由于其快速、簡(jiǎn)易，而在短距離（100米以?xún)?nèi)）、低精度 （1/200(1/500）的測(cè)量中，如碎部點(diǎn)測(cè)定中，有其優(yōu)勢(shì)，得到了廣泛的應(yīng)用。隨著電子測(cè)距技術(shù)的出現(xiàn)，**地推動(dòng)了速測(cè)儀的發(fā)展。用電磁波測(cè)距儀代替光學(xué)視距經(jīng)緯儀，使得測(cè)程更...

電子元器件的檢測(cè)是家電維修的一項(xiàng)基本功，安防行業(yè)很多工程維護(hù)維修技術(shù)也實(shí)際是來(lái)自于家電的維護(hù)維修技術(shù)，或是借鑒或同質(zhì)。如何準(zhǔn)確有效地檢測(cè)元器件的相關(guān)參數(shù)，判斷元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必須根據(jù)不同的元器件采用不同的方法，從而判斷元器件的正常與...

將萬(wàn)用表置于R×10k擋，一只手將兩個(gè)表筆分別接可變電容器的動(dòng)片和定片的引出端，另一只手將轉(zhuǎn)軸緩緩旋動(dòng)幾個(gè)來(lái)回，萬(wàn)用表指針都應(yīng)在無(wú)窮大位置不動(dòng)。在旋動(dòng)轉(zhuǎn)軸的過(guò)程中，如果指針有時(shí)指向零，說(shuō)明動(dòng)片和定片之間存在短路點(diǎn)；如果碰到某一角度，萬(wàn)用表讀數(shù)不為無(wú)窮大而是出現(xiàn)...

電子測(cè)量?jī)x器是什么？ 電子測(cè)量?jī)x器是以模擬電路技術(shù)、數(shù)字電路技術(shù)為基礎(chǔ)，涵蓋信號(hào)處理技術(shù)、通信技術(shù)、軟件技術(shù)、總線(xiàn)技術(shù)等多學(xué)科融合的高精尖測(cè)量設(shè)備或系統(tǒng)，并用于監(jiān)測(cè)、測(cè)量、計(jì)算各類(lèi)物理參數(shù)和成分的儀器。其用途是對(duì)電特性進(jìn)行定性或定量測(cè)量，目前已經(jīng)***...

進(jìn)入八九十年代以后，隨著微電子技術(shù)和計(jì)算機(jī)技術(shù)的日趨完善，以及元器件集成度的**提高，情況發(fā)生了很大的變化。從整機(jī)來(lái)看，電子經(jīng)緯儀的體積和重量與光學(xué)經(jīng)緯儀相差不多，用電量減少，成本大幅度下降，價(jià)格降低。目前在日本一臺(tái)電子經(jīng)緯儀的價(jià)格還略低于...

檢測(cè)電位器的活動(dòng)臂與電阻片的接觸是否良好。用萬(wàn)用表的歐姆檔測(cè)“1”、“2”(或“2”、“3”)兩端，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時(shí)針?lè)较蛐两咏瓣P(guān)”的位置，這時(shí)電阻值越小越好。再順時(shí)針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄，電阻值應(yīng)逐漸增大，表頭中的指針應(yīng)平穩(wěn)移動(dòng)。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時(shí)，...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標(biāo)改善了，單位成本和開(kāi)關(guān)功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級(jí)別設(shè)備的IC也存在問(wèn)題，主要是泄漏電流。因此，對(duì)于**終用戶(hù)的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進(jìn)芯片結(jié)構(gòu)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過(guò)程和在未來(lái)幾年所期望的進(jìn)步，在...

晶體二極管晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如：D5表示編號(hào)為5的二極管。1、作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦裕簿褪窃谡螂妷旱淖饔孟拢瑢?dǎo)通電阻很??；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無(wú)窮大。正因?yàn)槎O管具有上述特性，無(wú)繩電話(huà)機(jī)中常，把它用在整流、隔離...

無(wú)錫微原電子科技有限公司的集成電路芯片業(yè)務(wù)目前發(fā)展?fàn)顩r和未來(lái)的規(guī)劃。 錫微原電子科技有限公司的集成電路芯片業(yè)務(wù)目前發(fā)展?fàn)顩r良好，且有著明確的未來(lái)規(guī)劃。以下是具體介紹：目前發(fā)展?fàn)顩r技術(shù)研發(fā)方面：公司擁有專(zhuān)業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，具備較強(qiáng)的集成電路設(shè)計(jì)能力，能夠根...

晶體三極管主要用于放大電路中起放大作用，在常見(jiàn)電路中有三種接法。為了便于比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點(diǎn)列于下，名稱(chēng)共發(fā)射極電路共集電極電路(射極輸出器)共基極電路。輸入阻抗中(幾百歐～幾千歐)大(幾十千歐以上)小(幾歐～幾十歐)輸出阻抗中(幾千歐～幾十...

美國(guó)半導(dǎo)體分立器件型號(hào)命名方法美國(guó)晶體管或其他半導(dǎo)體器件的命名法較混亂。美國(guó)電子工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號(hào)表示器件用途的類(lèi)型。JAN-軍級(jí)、JANTX-特軍級(jí)、JANTXV-超特軍級(jí)、JANS-宇航級(jí)、（無(wú)）-非***品...

非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無(wú)定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體，屬于半導(dǎo)電性的一類(lèi)材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長(zhǎng)程無(wú)序結(jié)構(gòu)。它主要是通過(guò)改變?cè)酉鄬?duì)位置，改變?cè)械闹芷谛耘帕?，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長(zhǎng)程序。非晶...

儀器工作條件儀器在15~25℃條件下工作。2、外觀(guān)儀器的工作面不得有砂眼、氣孔、碰傷、劃傷、毛刺、銹跡及其他影響使用的缺陷；裸露的非工作面不得有氣孔、砂眼、裂紋、銹蝕及其他明顯的缺陷。儀器的電鍍層應(yīng)均勻光潔。儀器的噴漆表面不得有明顯的影響外觀(guān)質(zhì)量的脫漆、斑點(diǎn)、...

有時(shí)，專(zhuān)門(mén)加工的集成電路管芯被準(zhǔn)備用于直接連接到基板，而無(wú)需中間接頭或載體。在倒裝芯片系統(tǒng)中，IC通過(guò)焊料凸點(diǎn)連接到基板。在梁式引線(xiàn)技術(shù)中，傳統(tǒng)芯片中用于引線(xiàn)鍵合連接的金屬化焊盤(pán)被加厚和延伸，以允許外部連接到電路。使用“裸”芯片的組件有額外的包裝或填充環(huán)氧樹(shù)脂...

場(chǎng)效應(yīng)晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管依靠一塊薄層半導(dǎo)體受橫向電場(chǎng)影響而改變其電阻（簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)），使具有放大信號(hào)的功能。這薄層半導(dǎo)體的兩端接兩個(gè)電極稱(chēng)為源和漏。 控制橫向電場(chǎng)的電極稱(chēng)為柵。根據(jù)柵的結(jié)構(gòu),場(chǎng)效應(yīng)晶體管可以分為三種： ①結(jié)型場(chǎng)...

關(guān)于集成電路的想法的前身是制造小陶瓷正方形(晶片)，每個(gè)正方形包含一個(gè)小型化的組件。然后，組件可以集成并連線(xiàn)到二維或三維緊湊網(wǎng)格中。這個(gè)想法在 1957 年似乎很有希望，是由杰克·基爾比向美國(guó)陸軍提出的，并導(dǎo)致了短命的小模塊計(jì)劃(類(lèi)似于 1951 年的 T...