光在大氣中的傳播速度會隨大氣的溫度和氣壓而變化,15℃和760mmHg是儀器設置的一個標準值,此時的大氣改正為0ppm。實測時,可輸入溫度和氣壓值,全站儀會自動計算大氣改正值(也可直接輸入大氣改正值),并對測距結果進行改正。(3)量儀器高、棱鏡高并輸入全站儀。...
基爾比之后半年,仙童半導體公司的羅伯特·諾伊斯開發(fā)了一種新的集成電路,比基爾比的更實用。諾伊斯的設計由硅制成,而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫爾特·利霍韋克p–n絕緣結,這也是集成電路背后的關鍵概念。[17]這種絕緣允許每個晶體管...
具有一個基座測量面,以電容擺的平衡原理測量被側面相對水平面微小傾角的測量器具。其中,以指針式指示裝置指示測量值的儀器稱為指針式電子水平儀,以數(shù)顯式指示裝置指示測量值的儀器稱為數(shù)顯式電子水平儀。擴展量程裝置儀器若已處于測量的極限位置,重新調整到零位,從而在該...
電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜,集成電路。另有一種厚膜集成電路,是由**半導體設備和被動組件,集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。從1949年到1957年,維爾納·雅各比(WernerJacobi)、杰弗里·杜默(JeffreyDummer)、...
半導體器件材料和性能? 大多數(shù)半導體使用單晶硅,但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的,一般是通過多數(shù)載流子(N型半導體中的電子,P型...
產(chǎn)業(yè)鏈整合與拓展:公司可能會進一步整合上下游資源,優(yōu)化供應鏈管理,提高整體競爭力。同時,也有望拓展新的業(yè)務領域和市場空間,如汽車電子、航空航天、智能制造等**應用領域。市場需求與客戶服務:面對日益增長的市場需求和客戶期望,無錫微原電子科技有限公司將繼續(xù)秉承“以...
無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品,如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯(lián)。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等,硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。 ...
我國電子元件的產(chǎn)量已占全球的近39%以上。產(chǎn)量居世界***的產(chǎn)品有:電阻器、電容器、電聲器件、磁性材料、壓電石英晶體、微特電機、電子變壓器、印制電路板。伴隨我國電子信息產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴大,珠江三角洲、長江三角洲、環(huán)渤海灣地區(qū)、部分中西部地區(qū)四大電子信息產(chǎn)業(yè)基地初步...
將萬用表置于R×10k擋,一只手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的引出端,另一只手將轉軸緩緩旋動幾個來回,萬用表指針都應在無窮大位置不動。在旋動轉軸的過程中,如果指針有時指向零,說明動片和定片之間存在短路點;如果碰到某一角度,萬用表讀數(shù)不為無窮大而是出現(xiàn)...
本征半導體:不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下,半導體的價帶是滿帶,受到熱激發(fā)后,價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導帶,價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位,稱為空穴??昭▽щ姴⒉皇菍嶋H運動,而是...
新型材料應用:二維材料、量子點、碳納米管等新型材料的研究和應用,為芯片設計帶來了新的發(fā)展機遇。這些材料具有優(yōu)異的電學、熱學和力學性能,可以顯著提高芯片的性能和可靠性。封裝技術優(yōu)化:先進的封裝技術,如3D封裝、系統(tǒng)級封裝(SiP)等,使得芯片在集成度和互連性上得...
日本半導體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導體分立器件,由五至七部分組成。通常只用到**個部分,其各部分的符號意義如下: ***部分:用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電(即光敏)二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn...
場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類,其控制原理都是一樣的。兩種型號的表示符號:3、場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,...
2002年OFC展覽會上有十多家自動封裝、自動熔接設備廠商參展,熔接、對準、壓焊等許多認為只能由人工操作的工藝都能由機械手進行。據(jù)ElectroniCast預測,到2005年自動化組裝與測試設備的銷量將達17.1億美元,光電子器件產(chǎn)值中的70%~80%將由全自...
應注意,有些型號的全站儀在距離測量時不能設定儀器高和棱鏡高,顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3)坐標測量(1)設定測站點的三維坐標。(2)設定后視點的坐標或設定后視方向的水平度盤讀數(shù)為其方位角。當設定后視點的坐標時,全站儀會自動計算后視方向的方位...
使用半導體空調,與日常生活中使用的空調不同,而是應用于特殊場所中,諸如機艙、潛艇等等。采用相對穩(wěn)定的制冷技術,不僅可以保證快速制冷,而且可能夠滿足半導體制冷技術的各項要求。一些美國公司發(fā)現(xiàn)半導體制冷技術還有一個重要的功能,就是在有源電池中合理應用,就可以確...
電容 1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號...
電容器電容器通常簡稱其為電容,用字母C表示。定義1:電容器,顧名思義,是“裝電的容器”,是一種容納電荷的器件。英文名稱:capacitor。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一,廣泛應用于隔直,耦合,旁路,濾波,調諧回路, 能量轉換,控制電路等方面。定義2:...
電源及電子負載:電源及電子負載主要用于給測試對象供電或吸收測試對象產(chǎn)生的電能,并對測試回路的電能進行測量分析 萬用表:萬用表是一種多用途電子測量儀器,主要用于準確測量電壓、電流等基本電學量以及電路故障診斷等,通常包括安培計、電壓表、歐姆計等。其應用場景包括...
大多數(shù)半導體使用單晶硅,但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的,一般是通過多數(shù)載流子(N型半導體中的電子,P型半導體中的空穴)來負責的,但是,各...
產(chǎn)品分類 一、元件:工廠在加工時沒改變原材料分子成分的產(chǎn)品可稱為元件。 元件屬于不需要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱為被動元件Passive Components)元件分為:1、電路類元件:二極管,電阻器等。2、連接類元件...
電感 電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示,如:L6表示編號為6的電感。電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈,直流電阻就是導線本身的電阻,壓降很?。划斀涣餍盘柾ㄟ^線圈時,線圈兩端將會產(chǎn)生自感電動勢,自感電動勢的方向與外加電...
光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉換成電信號,然后經(jīng)過放大器將電信號放大,從而達到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測器。它利用了半導體受光照后電阻變小的效應。此外,光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微...
數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元器件數(shù)量,可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集...
美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下: ***部分:用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、(無)-非***品...
本征半導體:不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下,半導體的價帶是滿帶,受到熱激發(fā)后,價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶,空帶中存在電子后成為導帶,價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位,稱為空穴??昭▽щ姴⒉皇菍嶋H運動,而是...
將一光源對準光敏電阻的透光窗口,此時萬用表的指針應有較大幅度的擺動,阻值明顯減些 此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大,表明光敏電阻內部開路損壞,也不能再繼續(xù)使用。C 將光敏電阻透光窗口對準入射光線,用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動,使其間斷...
瑞士米拉博證券公司技術、媒體和電信研究主管尼爾·坎普林在電子郵件中告訴消費者新聞與商業(yè)頻道記者:“我認為,這場新的技術冷戰(zhàn)正是中國攀爬技術曲線、積極開發(fā)本土技術的原因。 歐亞集團地緣-技術業(yè)務負責人保羅·特廖洛說:“新政策中列出的優(yōu)惠待遇將在某些領域起到幫...
在速率上,商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s,更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實用化,預計到2004年開始商業(yè)應用,一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面,通道間的波長間隙已小到25GHz...
目前我國半導體材料在這方面的發(fā)展背景來看,應該在很大程度上去提高超高亮度,紅綠藍光材料以及光通信材料,在未來的發(fā)展的主要研究方向上,同時要根據(jù)市場上,更新一代的電子器件以及電路等要求進行強化,將這些光電子結構的材料,在未來生產(chǎn)過程中的需求進行仔...