測試步驟:MOS管的檢測主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下:假如有阻值沒被測MOS管有漏電現象。1、把連接柵極和源極的電阻移開,萬用表紅黑筆不變,假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無限大,則MOS管漏電,不變則完好。2、然后一根導線把MO...
三極管的應用:三極管可以用于放大電路和開關電路中。在放大電路中,它可以將微弱的信號放大到足以驅動揚聲器或其他輸出設備所需的水平。在開關電路中,它可以用來控制其他電路的開關狀態,例如控制燈泡或電機的開關。除了以上應用之外,三極管還可以用于各種其他電子設備中,例如...
判斷源極S、漏極D,將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。因為測試前提不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量...
SOA失效(電流失效)再簡單說下第二點,SOA失效,SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面,造成瞬時局部發熱而導致的破壞模式。或者是芯片與散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累,持續的發熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式...
正向偏置(Forward Bias),二極管的陽極側施加正電壓,陰極側施加負電壓,這樣就稱為正向偏置,所加電壓為正向偏置。如此N型半導體被注入電子,P型半導體被注入空穴。這樣一來,讓多數載流子過剩,耗盡層縮小、消滅,正負載流子在PN接合部附近結合并消滅。整體來...
半導體二極管的參數介紹如下:1、反向電流IR:指管子末擊穿時的反向電流, 其值愈小,則管子的單向導電性愈好。由于溫度增加,反向電流會急劇增加,所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD:在規定的正向電流下,二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...
場效應管與晶體管的比較:(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。(2)場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體...
場效應管使用優勢:場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是既有多數載流子...
二極管的英文是diode。二極管的正.負二個端子,一端稱為陽極,一端稱為陰極。電流只能從陽極向陰極方向移動。二極管是由半導體組成的器件。半導體無論哪個方向都能流動電流。二極管(英語:Diode),電子元件當中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過。...
三極管(英語:transistor)是一種電子器件,具有電流放大作用。三極管的三個電極連接著交流電源的正負極,中間部分是基區。當基區加上正向電壓時,集電結正偏而形成發射結;反之集電結反偏而形成漏極-源二極。三極管是電子設備中較重要的無源元件之一,在電路中用"v...
N溝道耗盡型MOSFET場效應管的基本結構:a.結構:N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。b.區別:耗盡型MOS管在vGS=0時,漏——源極間已有導電溝道產生,而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現導電溝道。c.原因:制造N溝道耗盡型MOS管...
三極管的作用:模擬。用三極管夠成的電路還可以模擬其它元器件。大功率可變電阻價貴難覓,用圖9(g)電路可作模擬品,調節510電阻的阻值,即可調節三極管C、E兩極之間的阻抗,此阻抗變化即可代替可變電阻使用。圖9(h)為用三極管模擬的穩壓管。其穩壓原理是:當加到A、...
二極管應用:1.整流,整流二極管主要用于整流電路,即把交流電變換成脈動的直流電。整流二極管都是面結型,因此結電容較大,使其工作頻率較低,一般為3kHZ以下。2.開關,二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導通狀態,相當于一只接通的開關;在反向電壓作用下,電阻很大...
二極管的分類:一、按半導體材料分類,二極管按其使用的材料可分為鍺(Ge)二極管、硅(Si)二極管、砷化鎵(GaAs)二極管、磷化鎵(GaP)二極管等。二、按封裝形式分類,二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無引線圓柱形二極管...
晶體二極管分類如下:1、點接觸型二極管,點接觸型二極管是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針后,再通過電流法而形成的。因此,其PN結的靜電容量小,適用于高頻電路。但是,與面結型相比較,點接觸型二極管正向特性和反向特性都差,因此,不能使用于大電流和整流。因為構造...
MOSFET選型注意事項:MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統中,MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時,其開關導 通。導通時,電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻,...
半導體二極管的參數介紹如下:1、反向電流IR:指管子末擊穿時的反向電流, 其值愈小,則管子的單向導電性愈好。由于溫度增加,反向電流會急劇增加,所以在使用二極管時要注意溫度的影響。2、正向壓降VD:在規定的正向電流下,二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...
相信大家在安裝設備時都需要使用到三級管,現在市面上的三極管型號及分類非常的多樣化,這里小編要為大家分享的是三級管作用是什么以及三級管產品的分類有哪些,想要了解的朋友不妨和小編一起來看看吧!三級管產品的分類有哪些?1、按照材質分可分為:硅管和鍺管。2、按照結構分...
二極管的反向特性:當外加反向電壓時,所加的反向電壓加強了內電場對多數載流子的阻擋,所以二極管中幾乎沒有電流通過。但是這時的外電場能促使少數載流子漂移,所以少數載流子形成很小的反向電流。由于少數載流子數量有限,只要加不大的反向電壓就可以使全部少數載流子越過PN結...
眾所周知,傳統的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,其兩大結構特點:頭一,金屬柵極采用V型槽結構;第二,具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,...
穩壓二極管和普通二極管電性能區別,穩壓二極管和普通二極管在電性能方面也存在明顯差異。穩壓二極管的電性能主要表現在穩定的工作電壓、穩定的反向阻斷電壓和低動態電阻等方面。這使得穩壓二極管在需要高精度控制電壓的電路中表現出色,如通信設備、電源設備、工業自動化設備等。...
溝道增強型MOSFET場效應管的工作原理:vGS對iD及溝道的控制作用① vGS=0 的情況,增強型MOS管的漏極d和源極s之間有兩個背靠背的PN結。當柵——源電壓vGS=0時,即使加上漏——源電壓vDS,而且不論vDS的極性如何,總有一個PN結處于反偏狀態,...
與雙極型晶體管相比,場效應管具有如下特點。(1)場效應管是電壓控制器件,它通過VGS(柵源電壓)來控制ID(漏極電流);(2)場效應管的控制輸入端電流極小,因此它的輸入電阻(107~1012Ω)很大。(3)它是利用多數載流子導電,因此它的溫度穩定性較好;(4)...
三極管的介紹:主要參數:1 電流放大系數: ⑴直流電流放大系數; ⑵交流電流放大系數; ⑶共基極電流放大系數。2 頻率特性參數: ⑴共基極截止頻率fa; ⑵共發射極截止頻率fb; ⑶特性頻率ft; ⑷較高振蕩頻率fm;3 極間反向電流: ⑴集電極-基極反向截...
漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等,靠近源極一端的電壓較大,這里溝道較厚,而漏極一端電壓較小,其值為VGD=vGS-vDS,因而這里溝道較薄。但當vDS較小(vDS 隨著vDS的增大,靠近漏極的溝道越來越薄,當vDS增加到使VGD...
早期的真空電子二極管;它是一種能夠單向傳導電流的電子器件。在半導體二極管內部有一個PN結兩個引線端子,這種電子器件按照外加電壓的方向,具備單向電流的傳導性。一般來講,晶體二極管是一個由p型半導體和n型半導體燒結形成的p-n結界面。在其界面的兩側形成空間電荷層,...
這些電極的名稱和它們的功能有關。柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道,從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響,電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電...
在高電壓或大電流的情況下,如果手頭沒有承受高電壓或整定大電濾的整流元件,可以把二極管串聯或并聯起來使用,二極管并聯的情況:兩只二極管并聯、每只分擔電路總電流的一半口三只二極管并聯,每只分擔電路總電流的三分之一。總之,有幾只二極管并聯,"流經每只二極管的電流就等...
變容二極管:變容二極管英文名稱為Varactor Diodes,又稱可變電抗二極管,是利用PN結反偏時結電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結電容減小、反之結電容增大,變容二極管的電容量一般較小,其較大值為幾十pF到幾百pF,較大電容與較小電容...
二極管是電路中經常用的一種電子元器件看,它的英文名稱是Diode,又稱晶體二極管,是用P型和N型半導體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子元器件。它具有單向導電性能,即給二極管陽極加上正向電壓時,二極管導通。當給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止。因此,二極管...