二極管是較常用的電子元件之一，它較大的特性就是單向導電，也就是電流只可以從二極管的一個方向流過，二極管的作用有整流電路，檢波電路，穩壓電路，各種調制電路，主要都是由二極管來構成的，其原理都很簡單，正是由于二極管等元件的發明，才有我們現 在豐富多彩的電子信息世界...

反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊...

在1882年的時候，他們突然想了一個辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個辦法不行。他們接下來在這個銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無濟于事。雖然，提高燈絲壽命的實驗失敗了，但是在這個過程中，他們發現了...

場效應管產品特性：(1)轉移特性：柵極電壓對漏極電流的控制作用稱為轉移特性。(2)輸出特性： UDS與ID的關系稱為輸出特性。(3)結型場效應管的放大作用：結型場效應管的放大作用一般指的是電壓放大作用。電氣特性：場效應管與晶體管在電氣特性方面的主要區別有以下幾...

可能朋友們都有一個疑惑，集電結反向偏置了應該截止，怎么導通了？擊穿了？這還要從二極管原理說起，上一篇介紹了二極管原理的文章提到了，當給PN結施加反向偏置電壓的時候，內部電場強度增強，空間電荷區變寬，空間電荷區的自由電子被電場加速，穿過PN結形成反向飽和電流。當...

判斷源極S、漏極D，將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。丈量...

金屬半導體場效應管（MESFET），其結構獨特之處在于利用金屬與半導體接觸形成的肖特基勢壘作為柵極。這種特殊的柵極結構，當施加合適的柵源電壓時，能夠極為精細地調控溝道的導電能力。從微觀層面來看，高純度的半導體材料使得電子遷移率極高，電子在其中移動時幾乎不受阻礙...

三極管的應用：放大作用，三極管較主要的功能就是放大功能。通過控制輸入信號的大小，三極管可以對電流進行放大，從而實現對信號的增強。其基于小電流控制大電流的原則，通過較小的基極電流IB來控制較大的集電極電流IC。當基極電流IB有微小的變化時，會引發集電極電流IC和...

晶體二極管分類如下：1、臺面型二極管，PN結的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現出臺面形，因而得名。初期生產的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。...

光電二極管在電路中一般處于反向工作狀態，在沒有光照時，反向電阻很大，反向電流被稱為暗電流，此時暗電流小，相當于斷路；當光照射在PN結上時，光子打在PN附近，使PN結附近產生光生電子和光生空穴對，他們在PN結處的內電場作用下做定向運動，形成光電流，光的照射強度越...

MOSFET管基本結構與工作原理：mos管學名是場效應管，是金屬-氧化物-半導體型場效應管，屬于絕緣柵型。本文就結構構造、特點、實用電路等幾個方面用工程師的話簡單描述。MOS場效應三極管分為：增強型（又有N溝道、P溝道之分）及耗盡型（分有N溝道、P溝道）。N溝...

雙柵極場效應管擁有兩個獨特的柵極，這一創新設計極大地拓展了其功能邊界，使其如同擁有兩個控制開關的精密儀器。兩個柵極可分別承擔不同的控制任務，例如一個柵極專注于信號輸入，如同信息的入口；另一個柵極負責增益控制，能夠根據信號強度靈活調整放大倍數。在電視調諧器中，復...

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...

下面對MOS失效的原因總結以下六點，然后對1，2重點進行分析：1：雪崩失效（電壓失效），也就是我們常說的漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過達到了一定的能力從而導致MOSFET失效。2：SOA失效（電流失效），既超出MOSFET安全工作區...

MOS管開關電路圖：頭一種應用，由PMOS來進行電壓的選擇，當V8V存在時，此時電壓全部由V8V提供，將PMOS關閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當V8V為低時，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩定地拉低，確保PMOS的正常開啟，...

三極管基本概念，雙極性晶體管的全稱為雙極性結型晶體管，也就是我們常說的三極管。三極管顧名思義具有三個電極。前面的二極管是由一個P-N結構成的，而三極管由兩個PN結構成，共用的一個電極成為三極管的基極（用字母b表示）。其他的兩個電極成為集電極（用字母c表示）和發...

二極管特性及參數：1、二極管伏安特性，導通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導通，但如果達到反向擊穿電壓，那將導通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導通（0.5 V 以上時...

場效應管（英語：field-effect transistor，縮寫：FET）是一種通過電場效應控制電流的電子器件。它依靠電場去控制導電溝道形狀，因此能控制半導體材料中某種類型載流子的溝道的導電性。場效應晶體管有時被稱為“單極性晶體管”，以它的單載流子型作用對...

二極管是否損壞如何判斷：（1）極性的判別，將萬用表置于R×100檔或R×1k檔，兩表筆分別接二極管的兩個電極，測出一個結果后，對調兩表筆，再測出一個結果。兩次測量的結果中，有一次測量出的阻值較大（為反向電阻），一次測量出的阻值較小（為正向電阻）。在阻值較小的一...

雪崩二極管，雪崩二極管的英文名稱為Avalanche diode，它是利用半導體結構中載流子的碰撞電離和渡越時間兩種物理效應而產生負阻的固體微波器件。當反向電壓增大到一定數值時，PN結被反向擊穿，載流子倍增就像雪崩一樣，反向電流突然快速增加。雪崩二極管用于在特...

硅三極管比鍺管反向漏電流小，輸出特性平直、耐壓比較高，溫度特性較好。常用型號有：3DG系列高頻小功率硅三極管、3DX系列硅低頻管、3DA系列硅高頻大功率管、3CG系列硅高頻管、3CK系列開關三極管、3CX系列硅低頻管等。高頻管和低頻管（按特征頻率分），特征頻率...

對比：場效應管與三極管的各自應用特點：1.場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器...

在1884年，愛迪生被授予了此項發明的專業技術。由于當時這種裝置實際上并不能看出實用價值，這項專業技術更多地是為了防止別人聲稱較早發現了這一所謂“愛迪生效應”。20年后，約翰·弗萊明（愛迪生前雇員）發現了這一效應的實用價值，它可以用來制作精確檢波器。1904年...

漏極電流iD沿溝道產生的電壓降使溝道內各點與柵極間的電壓不再相等，靠近源極一端的電壓較大，這里溝道較厚，而漏極一端電壓較小，其值為VGD=vGS－vDS，因而這里溝道較薄。但當vDS較小（vDS 隨著vDS的增大，靠近漏極的溝道越來越薄，當vDS增加到使VGD...

場效應晶體管。當滿足 MOS 管的導通條件時，MOS 管的 D 極和 S 極會導通，這個時候體二極管是截止狀態。因為 MOS 管導通內阻很小，不足以使寄生二極管導通。MOS管的導通條件：PMOS增強型管：UG-US|UGSTH| ， UGSTH是開啟電壓；NM...

穩壓二極管和普通二極管電性能區別，穩壓二極管和普通二極管在電性能方面也存在明顯差異。穩壓二極管的電性能主要表現在穩定的工作電壓、穩定的反向阻斷電壓和低動態電阻等方面。這使得穩壓二極管在需要高精度控制電壓的電路中表現出色，如通信設備、電源設備、工業自動化設備等。...

場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是電子技術中普遍使用的一種半導體器件，具有高輸入阻抗、噪聲低和低功耗等優點。場效應管的用途：一、場效應管可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解...

場效應管主要參數：場效應管的參數很多，包括直流參數、交流參數和極限參數，但普通運用時主要關注以下一些重點參數：飽和漏源電流IDSS，夾斷電壓Up，（結型管和耗盡型絕緣柵管，或開啟電壓UT（加強型絕緣柵管）、跨導gm、漏源擊穿電壓BUDS、較大耗散功率PDSM和...

三極管主要參數，三極管的參數有很多，可以分成三大類：直流參數、交流參數、極限參數。1、直流參數，共發射極直流放大倍數：共發射極電路中，沒有交流輸入時，集電極電流與基極電流之比；集電極-基極反向截至電流：發射極開路時，集電極上加有規定的反向偏置電壓，此時的集電極...

在1882年的時候，他們突然想了一個辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個辦法不行。他們接下來在這個銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無濟于事。雖然，提高燈絲壽命的實驗失敗了，但是在這個過程中，他們發現了...