MOSFET的作用如下：1.可應用于放大。由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3.可以用作可變電阻。4.可以方便地用作恒流源。5.可以用作電子...

我們經常看MOS管的PDF參數，MOS管制造商采用RDS(ON)參數來定義導通阻抗，對開關應用來說，RDS(ON)也是較重要的器件特性。數據手冊定義RDS(ON)與柵極(或驅動)電壓VGS以及流經開關的電流有關，但對于充分的柵極驅動，RDS(ON)是一個相對靜...

半導體二極管的非線性電流-電壓特性，可以根據選擇不同的半導體材料和摻雜不同的雜質從而形成雜質半導體來改變。特性改變后的二極管在使用上除了用做開關的方式之外，還有很多其他的功能，如：用來調節電壓（齊納二極管），限制高電壓從而保護電路（雪崩二極管），無線電調諧（變...

場效應管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統的雙極型晶體管（BJT）相比，FET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進行導電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結...

在1884年，愛迪生被授予了此項發明的專業技術。由于當時這種裝置實際上并不能看出實用價值，這項專業技術更多地是為了防止別人聲稱較早發現了這一所謂“愛迪生效應”。20年后，約翰·弗萊明（愛迪生前雇員）發現了這一效應的實用價值，它可以用來制作精確檢波器。1904年...

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導通，其PN結有電流通過。這是因為在P型半導體端為正電壓時，N型半導體內的負電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導體端，而P型半導體端內的正電子則朝N型半導體端運動，從而形成導通電流。同理，當二極管加上反向...

光敏（光電）三極管，光敏三極管的基區面積比普通三極管大，而發射區面積較小。光敏三極管具有對光電信號的放大作用，當光電信號從基極（大多數光窗口即為基極）輸入時，激發了基區半導體，產生電子和空穴的運動，從而在發射區有空穴的積累，相等于在發射極施加了正向偏壓，使光敏...

Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從...

MOSFET選型注意事項：MOSFET的選型基礎MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統中，MOSFET可被看成電氣開關。當在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關導 通。導通時，電流可經開關從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內阻，...

開關時間：場效應管從完全關閉到完全導通（或相反）所需的時間。柵極驅動電路的設計對開關時間有明顯影響，同時寄生電容的大小也會影響開關時間，此外，器件的物理結構，也會影響開關速度。典型應用電路：開關電路：開關電路是指用于控制場效應管開通和關斷的電路。放大電路：場效...

三極管的分類：晶體三極管按材料分類：鍺管和硅管。晶體三極管按工作頻率分類：小于3MHz為低頻;3MHz。晶體三極管按輸出功率分類：小于1W為小功率管;1W。晶體三極管按結構分類：NPN型和PNP型，區分兩種三極管的關鍵是看發射極的箭頭指向。NPN型三極管： 由...

三極管的性質以NPN三極管為例：電流： 從基極B出來的電子和從集電極C出來的電子較終都會回到發射極E，當作注入電子。即IE=IB+IC。UBE： 當基極與發射極間電壓UBE0.7V時，IB激增，但是IB相對于IC來說還是很小。IC： 當UC的值低于0.7V時，...

開關二極管，開關二極管是專門設計制造的一類二極管，用于在電路上“開”、“關”。與普通二極管相比，其由導通轉變為截止或由截止變為導通的時間較短。半導體二極管的導通相當于一個閉合開關，截止時等效于開啟(斷開)，因此二極管可用作開關，常用型號1N4148開關二極管。...

晶體三極管的種類：硅管和鍺管（按半導體材料分），鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導通時，發射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因為鍺材料制成的PN結比硅材料制成的PN結的正向導通電壓低，前者為0.2～0.3V，后者為0.6～0.7V。所以鍺三極...

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導體器件其作用是把微弱信號放大成幅度值較大的電信號， 也用作無觸點開關。晶體三極管，是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。三極管是在一塊半導體基片上制作兩個...

二極管（英語：Diode），是一種具有不對稱電導的雙電極電子元件。理想的二極管在正向導通時兩個電極（陽極和陰極）間擁有零電阻，而反向時則有無窮大電阻，即電流只允許由單一方向流過二極管。肖特基二極管，基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型硅片）的接觸面上，用...

三極管簡介，三極管，全稱為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件，其作用是把基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化， 也用作無觸點開關。單片機應用電路中三極管主要的作用就是開關作用。三極管的常用型號，三極管常用的型號有...

多晶硅金場效應管在半導體制造工藝中獨樹一幟。多晶硅作為柵極材料，其晶體結構穩定，與金屬電極巧妙配合，如同精密的指揮家，能夠精細地調控溝道電流。在集成電路制造的復雜環境里，它展現出了良好的熱穩定性與電學穩定性。以電腦 CPU 為例，CPU 內部集成了數十億個晶體...

二極管反向區也分兩個區域：當VBR＜V＜0時，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時的反向電流也稱反向飽和電流IS。當V≥VBR時，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓進行控制”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴...

1873年，弗雷德里克·格思里（ Frederick Guthrie ）發現了熱離子二極管的基本操作原理 [6] 。他發現了當白熱化的接地金屬接近帶正電的驗電器時，驗電器的電會被引走；然而帶負電的驗電器則不會發生類似情況。這表明了電流只能向一個方向流動。188...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個使用晶體檢測無線電波的科學家。他也在厘米和毫米級別對微波進行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發明了硅晶檢波器，并在...

場效應管注意事項：為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當的方式確保人體接地如采...

這里我們來認識一個基礎的電子元器件：三極管。內容主要概括為以下幾個方面：①認識三極管；②三極管的分類；③三極管的工作原理；④三極管的3種狀態；⑤三極管的功能及應用。接下來筆者一一為大家進行介紹。什么是三極管？三極管，全稱應為半導體三極管，也被稱為雙極型晶體管或...

三極管飽和情況，像圖1因為受到電阻Rc的限制(Rc是固定值，那么較大電流為U/Rc，其中U為電源電壓)，集電極電流是不能無限增加下去的。當基極電流的增大，不能使集電極電流繼續增大時，三極管就進入了飽和狀態。一般判斷三極管是否飽和的準則是：Ib*β〉Ic。進入飽...

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體，MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在...

如何看貼片三極管的型號？由于貼片三極管的體積很小，無法標注完整型號，故不少廠家都采用絲印來表示貼片三極管的型號。NPN型三極管是指由兩塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成的三極管；也稱為晶體三極管，可以說它是電子電路中較重要的器件。三極管是電子電路中較重要...

以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個高摻雜濃度的源擴散區N+和漏擴散區N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內部連通，二者總保持等電位。當漏接電源正極，源極接電源負極并使VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的...

場效應管的作用：1、場效應管可應用于放大，由于場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場效應管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換，常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應管可以用作可變電阻。4、場效應管可以方便地用作...

計算導通損耗。MOSFET器件的功率耗損可由Iload2×RDS(ON)計算，由于導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對便攜 式設計來說，采用較低的電壓比較容易(較為普遍)，而對于工業設計，可采用較高的電壓。注意RDS(ON)電阻會隨著電流輕微...