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  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4633C
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4633C

    WL2815低功耗CMOSLDO(低壓差線性穩壓器) 產品描述: WL2815系列是一款低壓差線性穩壓器,專為電池供電系統提供高性能解決方案,以實現低靜態電流。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設計用于使用低成本陶瓷電容器,確保輸出電流的穩定性,提高效率,從而延長這些便攜式設備的電池壽命。WL2815穩壓器采用DFN1x1-4L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。 產品特性: 靜態電流:1.5μA(典型值) 輸入電壓:2.1V~5.5V 輸出電壓:1.1V~3.3V 輸出電流:@VOUT=3....

  • 規格書WILLSEMI韋爾WNM4013
    規格書WILLSEMI韋爾WNM4013

    WD3139:高效38V升壓型白色LED驅動器 產品描述 WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅動器。其內部MOSFET可以驅動高達10個串聯的白色LED,電流限制為1.2A,過壓保護為38V。可以將脈沖寬度調制(PWM)信號應用于EN引腳以實現LED調光。該設備以1MHz的固定開關頻率運行,以減少輸出紋波、提高轉換效率,并允許使用小型外部組件。 封裝與環保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封裝,標準產品為無鉛和無鹵素。 產品特性: 輸入電壓范圍:2.7~5.5V 開路LED保護:38V(典型值) 參考電壓:200mV...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WH2519D
    規格書WILLSEMI韋爾WH2519D

    ESD5471X1線雙向瞬態電壓抑制器 產品描述: ESD5471X是一款雙向瞬態電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數據線和控制線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準,ESD5471X可用于提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。 產品特性: 反向截止電壓:±5V 根據IEC61000-4-2(...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WNM3042
    規格書WILLSEMI韋爾WNM3042

    WS4603E:可調電流限制、電源分配開關 描述 WS4603E是一款具有高側開關和低導通電阻P-MOSFET的開關。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。此外,WS4603E還集成了反向保護功能,當設備關閉時,可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產品無鉛且不含鹵素。 特性 1、輸入電壓范圍:2.5~5.5V 2、主開關RON:80mΩ@VIN=5V 3、調整電流限制范圍:0.4~2A(...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7037ABEN0-6/TR
    中文資料WILLSEMI韋爾WMM7037ABEN0-6/TR

    WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產品描述 WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝 產品特性: · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 出色的導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領域: · DC/DC轉換器 · 電源轉換器電路 · 便攜式設備的負載/電源切換 WNM2021是一款高性能的N溝道功...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM3021
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WPM3021

    WSB5546N-肖特基勢壘二極管 特性: · 低反向電流 · 0.2A平均整流正向電流 · 無鉛和無鹵素:WSB5546N是一款環保產品,不含鉛和鹵素。 · 快速開關和低正向電壓降 · 反向阻斷 應用: · 電源管理 · 信號處理 · 電子設備保護 總之,WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,具有一些明顯的特點和優勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型,它結合了肖...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WPM03120E
    規格書WILLSEMI韋爾WPM03120E

    ESD5451N:雙向瞬態電壓保護神 ESD5451N是一款高效的雙向瞬態電壓抑制器,專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達8A(8/20μs),為低速數據線和控制線提供強大的保護 這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩定的電壓輸出。 ESD5451N適用于多種應用場景,包括手機、平板電腦、筆記本...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451ZL
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD5451ZL

    ESD9B5VL:單線雙向瞬態電壓抑制器 產品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到低速數據線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準,ESD9B5VL可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據IEC61000-4-5標準承受高達3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 產品特性 · 反向截止電壓:±5VMax · 根據IEC61000-4...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WPM3022
    規格書WILLSEMI韋爾WPM3022

    RB521S30肖特基勢壘二極管 特性:小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓、、無鉛器件 應用:低電流整流 介紹: RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應用中表現優異。首先,其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環境中也能輕松安裝,同時確保了高效的熱量散發。其次,高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩定的性能,減少了維護和更換的頻率。 此外,低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關鍵特性,它允許在較低的電壓下實現高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現出色,如某些電子設...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56171D04
    中文資料WILLSEMI韋爾ESD56171D04

    WS3222是一款具有可調OVLO(過壓鎖定)閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時,該設備將關閉內部MOSFET,斷開輸入到輸出的連接,以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時,WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監控芯片溫度,以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產品無鉛且無鹵素。 特點: · 輸入電壓:29V · 導通電阻:45mΩ(典型值) · 超快OVP響應時間:450ns(典...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C
    中文資料WILLSEMI韋爾SPD85582C

    WPM3407是一款使用先進溝槽技術制成的器件,其特點是在低門極電荷下提供出色的RDS(ON)。這種器件非常適合用于DC-DC轉換應用。 特點: RDS(ON)出色:RDS(ON)是指器件在導通狀態下的電阻,3407通過先進的溝槽技術實現了低RDS(ON),這意味著在器件導通時,其電阻較小,從而減小了能量損失。低門極電荷:門極電荷是描述開關器件從關閉到打開或從打開到關閉所需電荷量的參數。3407的低門極電荷可以更快地開關,從而減少開關損耗。無鉛:符合環保要求,適用于對無鉛產品有需求的場合。 應用: 筆記本電腦的電源管理:3407可以用于筆記本...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WPM3048
    規格書WILLSEMI韋爾WPM3048

    WL2803E:極低壓差、500mA、CMOSLDO(低壓差線性穩壓器 產品描述 WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態電流和高電源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA負載電流下,其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結構,WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態電流典型值為150μA,使其成為需要高輸出電流的消費者和網絡應用的理想選擇。 WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本,步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護(OTP)和限流功能,以確保在錯誤條件下芯片和電源系統的穩定性,并使用微調技...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C
    中文資料WILLSEMI韋爾SPD83581C

    SD5302F是一款專為保護高速數據接口設計的極低電容TVS(瞬態電壓抑制器)陣列。它特別設計用于保護連接到數據線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 主要特性: · 截止電壓:5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標準的瞬態...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4666D
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WS4666D

    ESD5311N:單線、雙向、低電容瞬態電壓抑制器。 ESD5311N是一款低電容的瞬態電壓抑制器(TVS),專為保護高速數據接口而設計。它特別針對連接到數據和傳輸線的敏感電子組件,以防止由靜電放電(ESD)引起的過度壓力。其內部包含一個低電容的轉向二極管對和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。采用DFN1006-2L封裝,為標準產品,無鉛且不含鹵素。 其主要特性包括:截止電壓:5V,根據IEC61000-4-2(...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WS3222D
    規格書WILLSEMI韋爾WS3222D

    WL2836E:低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO 產品描述: WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR(電源抑制比)、低壓降CMOS線性穩壓器,具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流,因此電流限制功能既作為短路保護,又作為輸出電流限制器。WL2836E穩壓器采用標準的SOT-23-5L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 產品特性 · 輸入電壓范圍:1.4V~5.5V · 輸出電壓范圍:0.8V~3.3V · 輸出電流:...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WD31089Q
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WD31089Q

    WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管,利用先進的溝槽和電荷控制設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。 主要特性: · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 適用于高直流電流的優異導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領域: · 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動 · DC-DC轉換器電路 · 電源開關 · 負載開關 · 充電電路 WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WMM7027ATRL0-4/TR
    規格書WILLSEMI韋爾WMM7027ATRL0-4/TR

    ESD5451X是一款雙向瞬態電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到低速數據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準,ESD5451X可提供高達±30kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據IEC61000-4-5標準承受高達8A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5451X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛、無鹵素。 特點: · 反向截止電壓:±5V · 根據IEC61000-4-2(ESD)的每條線瞬態保護:±30kV(接觸和空氣放電) · IEC6...

  • 規格書WILLSEMI韋爾ESD5344D
    規格書WILLSEMI韋爾ESD5344D

    WPM2015xx是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管(MOSFET)。它采用先進的溝槽技術和設計,具有出色的RDS(ON)(導通電阻)和低柵極電荷。這使得WPM2015xx在中等電源電流和電流產出量的應用中表現出色,尤其適用于電池管理、電機控制和高速開關等場景。 WPM2015xx的主要特點包括: 1:穩定的走電電壓和出色的導電電阻,這有助于在電子設備中實現高效、穩定的性能。 2:適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路等應用,這些應用需要精確控制電流和電壓。 3:采用無鉛、無鹵的環保封裝,符合現代電子產品的環保要求。 4:具有超高密度電池設計,適用...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WD10722V
    中文資料WILLSEMI韋爾WD10722V

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設計的瞬態電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產品中的多個離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設計,采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳。封裝與環保:ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 技術特性: · 反向截止電壓:7.5V~15V · 根據IEC61000-4-5標準的浪涌保護8/20μs · 根據IEC61643-321標準的浪涌保護10/1000μs · 低鉗位電壓 · 固態硅技術 應用領域: · 電源保護 ...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WL2808E
    規格書WILLSEMI韋爾WL2808E

    WS3222是一款具有可調OVLO(過壓鎖定)閾值電壓的過壓保護(OVP)負載開關。當輸入電壓超過閾值時,該設備將關閉內部MOSFET,斷開輸入到輸出的連接,以保護負載。當OVLO輸入設定低于外部OVLO選擇電壓時,WS3222會自動選擇內部固定的OVLO閾值電壓。過壓保護閾值電壓可以通過外部電阻分壓器進行調整,OVLO閾值電壓范圍為4V~15V。過熱保護(OTP)功能監控芯片溫度,以保護設備。WS3222采用DFN2×2-8L封裝。標準產品無鉛且無鹵素。 特點: · 輸入電壓:29V · 導通電阻:45mΩ(典型值) · 超快OVP響應時間:450ns(典...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATEN0-4/TR
    中文資料WILLSEMI韋爾WMM7027ATEN0-4/TR

    WNM2016A:N溝道增強型MOSFET場效應晶體管 產品描述: WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。 產品特性: · 溝槽技術 · 超高密度單元 · 設計出色的ON電阻 · 極低的閾值電壓 應用領域: · DC/DC轉換器 · 電源轉換器 · 電路便攜式設備的負載/電源開關 WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET,專為...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3017A
    代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM3017A

    ESD5305F:四通道單向低電容瞬態電壓抑制器 產品描述:ESD5305F是一款專為保護高速數據接口設計的低電容瞬態電壓抑制器(TVS)陣列。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)引起的過應力影響。ESD5305F結合了四對低電容轉向二極管和一個TVS二極管,以提供各方面的瞬態保護。封裝與環保信息:ESD5305F采用SOT23-6L封裝,滿足無鉛和無鹵素環保要求。 產品特性: 反向截止電壓:5V 根據IEC61000-4-2標準,每條線路提供±30kV(接觸放電)的ESD保護 根據IEC61000-4-5標準,...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WNM6001-
    規格書WILLSEMI韋爾WNM6001-

    SD5302F是一款專為保護高速數據接口設計的極低電容TVS(瞬態電壓抑制器)陣列。它特別設計用于保護連接到數據線和傳輸線的敏感電子組件免受ESD(靜電放電)引起的過應力影響。ESD5302F結合了兩對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD5302F采用SOT-23封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 主要特性: · 截止電壓:5V · 每條線路均符合IEC61000-4-2(ESD)標準的瞬態...

  • 規格書WILLSEMI韋爾SPD82202B
    規格書WILLSEMI韋爾SPD82202B

    WD3168:5V/300mA開關電容電壓轉換器,它能夠從一個非穩壓輸入電壓中產生一個穩定、低噪聲、低紋波的5V輸出電壓。即使在VIN大于5V的情況下,它也能維持5V的穩壓輸出。它能夠以小巧的封裝提供≧300mA的電流。當負載電流在典型條件下低于4mA時,WD3168會進入跳模模式,此時其靜態電流會降低到170uA。只需3個外部電容器即可產生輸出電壓,從而節省PCB空間。 此外,其軟啟動功能在開機和電源瞬態狀態下會限制涌入電流。WD3168內置了電流限制保護功能,適合HDMI、USBOTG和其他電池供電的應用。SOT-23-6L封裝,并在-40℃至+85℃的環境溫度范...

  • 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56181W15
    代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56181W15

    ESD9B5VL:單線雙向瞬態電壓抑制器 產品描述 ESD9B5VL是一個雙向瞬態電壓抑制器(TVS)。它特別設計用于保護連接到低速數據線和控制線的敏感電子元件,免受由靜電放電(ESD)、電氣快速瞬態(EFT)和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準,ESD9B5VL可用于提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并可根據IEC61000-4-5標準承受高達3A(8/20μs)的峰值脈沖電流。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。 產品特性 · 反向截止電壓:±5VMax · 根據IEC61000-4...

  • 規格書WILLSEMI韋爾ESD5401N
    規格書WILLSEMI韋爾ESD5401N

    ESD5301N:低電容單線單向瞬態電壓抑制器 產品描述: ESD5301N是一款低電容的瞬態電壓抑制器(TVS),專為保護高速數據接口而設計。它特別用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子組件,免受由靜電放電(ESD)引起的過度應力影響。 包含一對低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準,它可以提供高達±20kV(接觸和空氣放電)的ESD保護,并根據IEC61000-4-5標準承受高達4A(8/20μs)的峰值脈沖電流。 采用DFN1006-2L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。 產品特性: ...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WCR380N65TG
    中文資料WILLSEMI韋爾WCR380N65TG

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開關,專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過壓保護功能,允許引腳上的電壓超過VCC,至高可達7.0V,而不會損壞部件或影響其操作,無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以至小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之,在實際應用中,無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標準產品為無鉛和無鹵素。 特性: ...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WNMD2154A
    規格書WILLSEMI韋爾WNMD2154A

    WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET 產品描述: WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1481為無鉛產品。小型DFN2*2-6L封裝。 產品特性: · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 出色的導通電阻 · 適用于更高的直流電流 · 極低的閾值電壓 應用領域: · 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器 · DC-DC轉換電路 · 電源開...

  • 中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E
    中文資料WILLSEMI韋爾WD3136E

    WNM2021:單N溝道、20V、0.6A功率MOSFET 產品描述 WNM2021是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用先進的溝槽技術和設計,提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2021為無鉛產品。小型SOT-323封裝 產品特性: · 溝槽技術 · 超高密度單元設計 · 出色的導通電阻 · 極低的閾值電壓 應用領域: · DC/DC轉換器 · 電源轉換器電路 · 便攜式設備的負載/電源切換 WNM2021是一款高性能的N溝道功...

  • 規格書WILLSEMI韋爾WAS4780C
    規格書WILLSEMI韋爾WAS4780C

    WS4665是一個單通道負載開關,提供可配置的上升時間以極小化涌流。該設備包含一個N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的輸入電壓范圍內工作,并支持連續電流上線為6A。開關由開/關輸入(ON)控制,該輸入能夠直接與低電壓控制信號接口。在WS4665中,增加了一個230Ω的片上負載電阻,用于在開關關閉時進行快速輸出放電。WS4665采用小型、節省空間的2.00mmx2.00mm8引腳DFN封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。 主要特性: · 集成單通道負載開關 · 輸入電壓范圍:0.8V至5.5V · 極低導通電阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VB...

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