WPM1481：單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET
產品描述：
WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1481為無鉛產品。小型DFN2*2-6L封裝。
產品特性：
· 溝槽技術
· 超高密度單元設計
· 出色的導通電阻
· 適用于更高的直流電流
· 極低的閾值電壓
應用領域：
· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器
· DC-DC轉換電路
· 電源開關
· 負載開關
· 充電應用
WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET，專為高電流應用而設計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。同時，其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應用中也能發揮出色。WPM1481作為無鉛產品，還符合環保要求。無論是用于驅動繼電器、電磁閥、電機還是LED，WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 ESD5451X-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：FBP-02C。規格書WILLSEMI韋爾WNMD2154A
WNM2016A：N溝道增強型MOSFET場效應晶體管
產品描述：
WNM2016A它采用先進的溝槽技術和設計，以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。該器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2016A為無鉛且無鹵素。小型SOT-23封裝。
產品特性：
· 溝槽技術
· 超高密度單元
· 設計出色的ON電阻
· 極低的閾值電壓
應用領域：
· DC/DC轉換器
· 電源轉換器
· 電路便攜式設備的負載/電源開關
WNM2016A是一款高性能的N溝道MOSFET，專為現代電子設備中的高效能量轉換和開關應用而設計。其獨特的溝槽技術和高密度單元設計提供了優越的電氣性能，包括低RDS(ON)和低柵極電荷，從而實現高效能量轉換和減少熱量損失。此外，極低的閾值電壓和SOT-23小型封裝使其成為便攜式設備中的理想選擇，因為它既能夠提供強大的性能，又能夠節省空間。無論是DC/DC轉換器、電源轉換器電路，還是便攜式設備的負載/電源開關，WNM2016A都是一個出色的選擇，能夠確保設備的穩定運行和高效能量管理。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 規格書WILLSEMI韋爾WPM2341WAS4729QB-10/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：QFN-10(1.8x1.4)。
WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關，專為總線切換或音頻切換應用設計。它具備高達400MHz的-3dB帶寬和低導通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過壓保護功能，允許引腳上的電壓超過VCC，至高可達7.0V，而不會損壞部件或影響其操作，無論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時也是如此。簡而言之，在實際應用中，無需額外的設備來使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標準的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標準產品為無鉛和無鹵素。
特性：
· 電源電壓：1.5~5.5V
· 導通電阻：在VCC=4.5V時為5.5Ω-3dB
· 帶寬：在CL=5pF時為400MHz
· 斷開隔離度：在10MHz時為-69dB
· 低靜態電流：<1uA
· 先斷后合功能ESD保護：HBM為±8000V，MM為±600V
應用領域：
· 手機
· MID（移動互聯網設備）
· 其他便攜式設備
WAS3157B是一款功能強大且易于集成的模擬開關解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設備。其優異的性能和多種保護功能使其成為現代電子設備中的理想選擇。如需更詳細的信息或技術規格，請查閱相關的數據手冊或聯系我們。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器
產品描述：
ESD73034D是一種極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。
產品特性：
· 截止電壓：±3.3VMax
· 根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態保護：±10kV（接觸放電）
· 根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態保護：40A（5/50ns）
· 根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）
· 極低電容：CJ=0.2pFtyp
· 低漏電流低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固態硅技術
應用領域：
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便攜式電子設備
· 筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害。適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備。緊湊、環保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 ESD5471S-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523。
ESD73034D四線路、雙向、極低電容瞬態電壓抑制器
產品描述：
ESD73034D是一種極低電容的瞬態電壓抑制器（TVS）陣列，專為保護高速數據接口而設計。它被特別設計用于保護連接到數據和傳輸線的敏感電子元件，免受靜電放電（ESD）引起的過度應力。ESD73034D結合了四對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。根據IEC61000-4-2標準，ESD73034D可用于提供高達±10kV（接觸放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73034D采用DFN2510-10L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。
產品特性
截止電壓：±3.3VMax
根據IEC61000-4-2（ESD）的每條線路瞬態保護：±10kV（接觸放電）
根據IEC61000-4-4（EFT）的瞬態保護：40A（5/50ns）
根據IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態保護：5.5A（8/20μs）
極低電容：CJ=0.2pFtyp
低漏電流
低箝位電壓：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
固態硅技術
應用領域
USB3.0和USB3.1
HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
便攜式電子設備
筆記本電腦
ESD73034D是專為高速數據接口設計的瞬態電壓抑制器，保護敏感元件免受靜電放電損害，適用于USB3.0、HDMI等高速接口和便攜式設備，緊湊且環保。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 WS4603E-5/TR 功率電子開關 封裝：TSOT-25。代理分銷商WILLSEMI韋爾SPD82581B
ESD9N5B-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2。規格書WILLSEMI韋爾WNMD2154A
WS4603E：可調電流限制、電源分配開關
描述
WS4603E是一款具有高側開關和低導通電阻P-MOSFET的開關。其集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入，從而保護電源。此外，WS4603E還集成了反向保護功能，當設備關閉時，可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時，輸出自動放電，使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4603E采用SOT-23-5L封裝。標準產品無鉛且不含鹵素。
特性
1、輸入電壓范圍：2.5~5.5V
2、主開關RON：80mΩ@VIN=5V
3、調整電流限制范圍：0.4~2A（典型值）
4、電流限制精度：±20%
5、自動放電
6、反向阻斷（無“體二極管”）
7、過溫保護
應用
· USB外設
· USB Dongle
· USB 3G數據卡
· 3.3V或5V電源開關
· 3.3V或5V電源分配
安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于WS4603E的進一步問題或需求，請隨時與我們聯系。我們期待與您合作，為您提供優異的產品和服務。 規格書WILLSEMI韋爾WNMD2154A