規格書WILLSEMI韋爾WS3222D

來源: 發布時間:2024-04-03

WL2836E:低噪聲、高PSRR、高速CMOSLDO

產品描述:

      WL2836E系列是一款高精度、低噪聲、高速、高PSRR(電源抑制比)、低壓降CMOS線性穩壓器,具有出色的抗紋波能力。這些器件為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了具有成本效益的新一代性能。WL2836E具有隨輸出電壓變化的折返至高輸出電流,因此電流限制功能既作為短路保護,又作為輸出電流限制器。WL2836E穩壓器采用標準的SOT-23-5L封裝。標準產品為無鉛和無鹵素。

產品特性

· 輸入電壓范圍:1.4V~5.5V

· 輸出電壓范圍:0.8V~3.3V

· 輸出電流:300mA

· 靜態電流:50μATyp

· 關機電流:<1μA

· 壓降電壓:140mV@IOUT=0.3A

· PSRR:78dB@1kHz,VOUT=1.8V

· 低輸出電壓噪聲:20μVRMSTyp

· 輸出電壓容差:±2%@VOUT>2V

· 推薦電容器:1μF

· 熱過載和短路保護


應用領域

· MP3/MP4播放器

· 手機、無線電話、數碼相機

· 藍牙、無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

      WL2836E是高性能CMOS線性穩壓器,專為低噪聲、高PSRR和高速性能的便攜式電子設備設計。寬輸入電壓范圍和可調輸出電壓使其應用靈活。內置折返至高輸出電流和電流限制功能,提供額外保護。緊湊SOT-23-5L封裝,無鉛無鹵素,滿足環保要求。詳情查閱數據手冊或聯系我們。 ESD5301N-2/TR 靜電和浪涌保護(TVS/ESD)封裝:DFN1006-2L。規格書WILLSEMI韋爾WS3222D

    WS4601是一款具有極低導通電阻的P-MOSFET高側開關。集成的電流限制功能可以限制大電容負載、過載電流和短路電流的涌入,從而保護電源。WS4601還集成了反向保護功能,當設備關閉時,可以消除開關上的任何反向電流流動。設備關閉時,輸出自動放電,使輸出電壓迅速關閉。熱關斷功能可以保護設備和負載。WS4601采用SOT-23-5L封裝。標準產品是無鉛且無鹵素的。

特性:

· 輸入電壓范圍:2.5~5.5V

· 主開關RON:80mΩ@VIN=5V

· 持續輸出電流:1.0A

· 電流限制閾值:1.5A(典型值)

· 電流限制精度:±20%

· 輸出短路電流:0.7A(典型值)

· 自動放電反向阻斷(無“體二極管”)

· 過溫保護

應用:

· USB外設USB Dongle

· USB 3G數據卡

· 3.3V或5V電源開關

· 3.3V或5V電源分配

    WS4601是一款專為現代電子設備設計的高性能高側開關。其極低導通電阻的P-MOSFET結構使其在處理大電流時高效且節能。集成的電流限制功能保護電源免受過大電流損害,確保系統穩定可靠。自動放電功能和反向保護功能進一步增強系統安全性。適用于USB外設、USB Dongle等需要高效電源管理的場合。無論3.3V還是5V系統,WS4601都提供出色的性能和保護機制,確保設備正常運行。如需更多信息,請查閱數據手冊或聯系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM1481WL2803E25-5/TR 線性穩壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5。

WAS4729QB:低導通電阻(0.8?)雙SPDT模擬開關,具有負擺幅音頻功能

產品描述:

    WAS4729QB是一款高性能的雙單極雙擲(SPDT)模擬開關,具有負擺幅音頻功能,其典型導通電阻Ron為0.8?(在3.6VVCC下)。該開關在2.3V至5.5V的寬VCC范圍內工作,并設計為先斷后通的操作模式。選擇輸入與TTL電平兼容。WAS4729QB還配備了智能電路,即使在控制電壓低于VCC電源電壓時,也能小化VCC泄漏電流。這一特性非常適合移動手機應用,因為它允許直接與基帶處理器的通用I/O接口,同時極大限度地減少電池消耗。換句話說,在實際應用中,無需額外的設備來將控制電平調整到與VCC相同。WAS4729QB采用QFN1418-10L封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性

供電電壓:2.3V~5.5V

極低導通電阻:0.8?(在3.6V下)

高關斷隔離度:-81dB@1KHz

串擾抑制:-83dB@1KHz-3dB帶寬:80MHz

軌到軌信號范圍

先斷后通開關

HBM JEDEC:JESD22-A114IO至GND:±8KV

電源至GND:±5KV

應用領域

手機、PDA、數碼相機和筆記本電腦

LCD顯示器、電視和機頂盒

音頻和視頻信號路由

     WAS4729QB是高性能模擬開關,專為移動設備設計,適合音頻和視頻信號路由,性能優越可靠。詳情請查閱數據手冊或聯系我們。

WPM1481:單P溝道、-12V、-5.1A功率MOSFET

產品描述:

    WPM1481是一款P溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計,以提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WPM1481為無鉛產品。小型DFN2*2-6L封裝。

產品特性:

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 出色的導通電阻

· 適用于更高的直流電流

· 極低的閾值電壓

應用領域:

· 繼電器、電磁閥、電機、LED等的驅動器

· DC-DC轉換電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電應用  

     WPM1481是一款高性能的P溝道功率MOSFET,專為高電流應用而設計。其出色的RDS(ON)和極低的閾值電壓使其成為DC-DC轉換、電源開關和充電電路的理想選擇。同時,其小型DFN2*2-6L封裝使得它在空間受限的應用中也能發揮出色。WPM1481作為無鉛產品,還符合環保要求。無論是用于驅動繼電器、電磁閥、電機還是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更詳細的信息或技術規格,請查閱相關的數據手冊或聯系我們。 WNM2046E-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:DFN-3L(1x0.6)。

    WL2803E系列是一種采用CMOS工藝制造的低壓差線性穩壓器,具有極低的壓降、低靜態電流和高電源抑制比(PSRR)等特點。在500mA的負載電流下,其壓降只有130mV(典型值)。這使得它在需要高輸出電流的消費者和網絡應用中極具吸引力。

特性:

· 輸入電壓范圍:2.5V至5.5V

· 輸出電壓范圍:1.2V至3.3V,步長為0.1V

· 輸出電流:500mAPSRR(電源抑制比):在1KHz時為65dB

· 壓降電壓:在IOUT=0.5A時為130mV

· 輸出噪聲:100uV

· 靜態電流:典型值為150μA

此外,WL2803E系列還具備熱關斷(OTP)和電流限制功能,以確保在異常條件下芯片和電源系統的穩定性。同時,采用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

應用:

· LCD電視

· 機頂盒(STB)

· 計算機、圖形卡

· 網絡通信設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2803E系列CMOSLDO為現代電子設備提供穩定電源,具有極

低壓降、低靜態電流和高電源抑制比,有效減少電源噪聲干擾。寬輸出電壓范圍和微調技術滿足各種應用需求,適用于LCD電視、機頂盒和計算機通信設備。緊湊封裝和環保設計使其易于集成。如需更多信息,請查閱數據手冊或聯系我們。 WNM6001-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23。規格書WILLSEMI韋爾ESD56241D15

WPM2080-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝:SOT-23-3L。規格書WILLSEMI韋爾WS3222D

ESD5451N:雙向瞬態電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態電壓抑制器,專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電,以及峰值脈沖電流達8A(8/20μs),為低速數據線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝,具有無鉛和無鹵素等環保特性。其反向截止電壓為±5VMax,電容典型值為17.5pF,漏電流極低,典型值小于1nA。此外,其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景,包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備,以及網絡通信設備等。其出色的瞬態電壓抑制能力和穩定性,為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷,可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求,請隨時與我們聯系。我們期待與您合作,為您提供優異的產品和服務。 規格書WILLSEMI韋爾WS3222D

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