靈敏度即光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負膠通常需5~15 s時間曝光，正膠較慢，其曝光時間為負膠的3...

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉移到晶片的過程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 。在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連...

導體光刻膠的涂敷方法主要是旋轉涂膠法，具體可以分為靜態旋轉法和動態噴灑法。靜態旋轉法：首先把光刻膠通過滴膠頭堆積在硅片的中心，然后低速旋轉使得光刻膠鋪開，再以高速旋轉甩掉多余的光刻膠。在高速旋轉的過程中，光刻膠中的溶劑會揮發一部分。靜態涂膠法中的光刻膠堆積量非...

從90年代后半期開始，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光；而從2000年代開始，光刻就進一步轉向使用193nm波長的ArF準分子激光作為光源。在那之后一直到目前的約20年里，193nm波長的ArF準分子激光一直是半導體制程領域性能可靠，使用較多的光刻光源...

黏附性是表征光刻膠黏著于襯底的強度。主要衡量光刻膠抗濕法腐蝕能力。它不僅與光刻膠本身的性質有關，而且與襯底的性質和其表面情況等有密切關系 。作為刻蝕阻擋層，光刻膠層必須和晶圓表面黏結得很好，才能夠忠實地把光刻層圖形轉移到晶圓表面層，光刻膠的黏附性不足會導致...

通常光刻膠等微電子化學品不僅品質要求高，而且需要多種不同的品類滿足下游客戶多樣化的需。如果沒有規模效益，供應商就無法承擔滿足多樣化需求帶來的開銷。因此，品種規模構成了進入該行業的重要壁壘。同時，一般微電子化學品具有一定的腐蝕性，對生產設備有較高的要求，且生產環...

光刻膠的技術壁壘包括配方技術，質量控制技術和原材料技術。配方技術是光刻膠實現功能的要點，質量控制技術能夠保證光刻膠性能的穩定性而較好的原材料則是光刻膠性能的基礎。配方技術：由于光刻膠的下游用戶是IC芯片和FPD面板制造商，不同的客戶會有不同的應用需求，同一個客...

光刻膠的產業鏈中游：為光刻膠制造環節，當前全球光刻膠生產制造商主要被日本JSR、信越化學、住友化學、東京應化、美國陶氏化學等制造商所壟斷，中國本土企業在光刻膠市場的份額較低，與國外光刻膠制造商相比仍存明顯差距。 光刻膠的產業鏈下游：主要涉及半導體、平...

日韓材料摩擦：半導體材料國產化是必然趨勢；2019年7月份，在日韓貿易爭端的背景下，日本宣布對韓國實施三種半導體產業材料實施禁運，包含刻蝕氣體，光刻膠和氟聚酰亞胺。韓國是全球存儲器生產基地，顯示屏生產基地，也是全球晶圓代工基地，三星，海力士，東部高科等一大批晶...

在平板顯示行業：主要使用的光刻膠有彩色及黑色光刻膠、LCD觸摸屏用光刻膠、TFT-LCD正性光刻膠等。在光刻和蝕刻生產環節中，光刻膠涂覆于晶體薄膜表面，經曝光、顯影和蝕刻等工序將光罩（掩膜版）上的圖形轉移到薄膜上，形成與掩膜版對應的幾何圖形。 在PC...

根據2019年數據，全球半導體光刻膠**大廠商占據全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家，分別是JSR、東京應化(TOK)、信越化學與富士電子材料，這四家的市場份額達到72%，市場集中度明顯。在半導體光刻膠細分領域，日本廠商在市場中具有較強話語權。（1）g...

EUV(極紫外光)光刻技術是20年來光刻領域的進展。由于目前可供利用的光學材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術將半導體制程技術在10nm以下的區域繼續推...

光刻膠是集成電路領域微加工的關鍵性材料，為推動光刻膠等半導體材料行業的發展，近年來，我國發布了多項利好政策支持光刻膠產業發展，同時國內企業也積極研發產品，主動尋求光刻膠及其他材料國產化?，F階段，我國光刻膠企業有晶瑞電材、彤程新材、華懋科技、南大光電等，在國產替...

g-line與i-line光刻膠均使用線性酚醛成分作為樹脂主體，重氮萘醌成分（DQN 體系）作為感光劑。未經曝光的DQN成分作為抑制劑，可以十倍或者更大的倍數降低光刻膠在顯影液中的溶解速度。曝光后，重氮萘醌(DQN)基團轉變為烯酮，與水接觸時，進一步轉變為茚羥...

靈敏度即光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負膠通常需5~15 s時間曝光，正膠較慢，其曝光時間為負膠的3...

光刻膠是集成電路領域微加工的關鍵性材料，為推動光刻膠等半導體材料行業的發展，近年來，我國發布了多項利好政策支持光刻膠產業發展，同時國內企業也積極研發產品，主動尋求光刻膠及其他材料國產化?，F階段，我國光刻膠企業有晶瑞電材、彤程新材、華懋科技、南大光電等，在國產替...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉變溫度的單分散小分子有機化合物，其結構為非共面和不規則，能夠避免結晶，與產酸劑具有優良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，有機配體...

中美貿易摩擦：光刻膠國產代替是中國半導體產業的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產業。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”，是國產代替重要環節，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的重要工藝，對制造出更先進，晶體管...

光刻膠行業具有極高的行業壁壘，因此在全球范圍其行業都呈現寡頭壟斷的局面。光刻膠行業長年被日本和美國專業公司壟斷。目前大廠商就占據了全球光刻膠市場 87%的份額，行業集中度高。其中，日本 JSR、東京應化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率...

半導體光刻膠市場中除了美國杜邦，其余四家均為日本企業。其中JSR、TOK的產品可以覆蓋所有半導體光刻膠品種，尤其在EUV市場高度壟斷。近年來，隨著光刻膠的需求攀升，疊加日本減產，光刻膠出現供不應求的局面，部分中小晶圓廠甚至出現了“斷供”現象。目前大陸企業在g/...

光刻膠行業具有極高的行業壁壘，因此在全球范圍其行業都呈現寡頭壟斷的局面。光刻膠行業長年被日本和美國專業公司壟斷。目前大廠商就占據了全球光刻膠市場 87%的份額，行業集中度高。其中，日本 JSR、東京應化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率...

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發出的紫外輻射并發生光化學反應。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發出的輻射經過這些液體的時候發生了折射，波長變...

離子束光刻技術可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補傳統及相位轉移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術類似，不...

離子束光刻技術可分為聚焦離子束光刻、離子束投影式光刻。聚焦離子束光刻用途較多，常以鎵離子修補傳統及相位轉移掩膜板；離子束投影式光刻主要使用150 keV的H+、H2+、H3+、He+，以鏤空式模板，縮小投影（4~5倍） 。離子束光刻與電子束直寫光刻技術類似，不...

目前中國光刻膠國產化水平嚴重不足，重點技術差距在半導體光刻膠領域，有2-3代差距，隨著下游半導體行業、LED及平板顯示行業的快速發展，未來國內光刻膠產品國產化替代空間巨大。當今，中國通過國家集成電路產業投資基金（大基金）撬動全社會資源對半導體產業進行投資和扶持...

抗蝕性即光刻膠材料在刻蝕過程中的抵抗力。在圖形從光刻膠轉移到晶片的過程中，光刻膠材料必須能夠抵抗高能和高溫（>150℃）而不改變其原有特性 。在后續的刻蝕工序中保護襯底表面。耐熱穩定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力 。在濕法刻蝕中，印有電路圖形的光刻膠需要連...

從90年代后半期開始，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光；而從2000年代開始，光刻就進一步轉向使用193nm波長的ArF準分子激光作為光源。在那之后一直到目前的約20年里，193nm波長的ArF準分子激光一直是半導體制程領域性能可靠，使用較多的光刻光源...

環化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環化劑環化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡...

靈敏度即光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的較小能量值（或較小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要 。負膠通常需5~15 s時間曝光，正膠較慢，其曝光時間為負膠的3...

中國半導體光刻膠市場規模增速超過全球。隨著半導體制程節點不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據智研咨詢數據，2018年全球半導體用光刻膠市場規模約13億美元，年復合增速為5.4%，預計未來5年年均增速約8%-10%；中國半導體用光刻膠市場...