肉桂酸酯類的光刻膠：這類光刻膠在紫外光的照射下，肉桂酸上的不飽和鍵會打開，產生自由基，形成交聯結構。主要品種有聚乙烯醇肉桂酸酯光刻膠、聚乙烯氧乙基肉桂酸酯光刻膠和肉桂叉二酯光刻膠等。前者膠是早期被用于光刻膠制備的光敏高分子化合物，對二氧化硅、鋁、氧化鉻等材料都...

浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數量級。與此同時，這兩項技術對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠首先不能與浸沒液體發生化學反應或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時...

在一些反應中，三氟乙酸作為母液需要回收，其重要目的是為了出去其中的水分，但由于三氟乙酸易與水形成共沸物，因此不能采用蒸餾的方法進行分離。參照三氟乙酸純化工藝，將三氟乙酸母液制成鈉鹽，然后再用濃硫酸酸化，蒸出三氟乙酸。在中和反應中，放熱較小，但由于反應會產生大量...

干式無油真空泵(如耐化學腐蝕隔膜泵或干式渦旋泵)比較適合處理三氟乙酸（TFA）。由于TFA的揮發性，甚至幾毫巴足以有效蒸發。因此，不需要深度真空，例如由油潤滑旋轉葉片泵產生的真空，這可能使冷阱中溶劑蒸汽的收集更加復雜。選擇冷阱時，以下特性是**重要的：它的內壁...

三氟乙酸是一種強酸，其酸性比硫酸和鹽酸還要強。它可以與堿反應生成相應的三氟乙酸鹽。由于其強酸性，三氟乙酸在有機合成中被廣泛應用。它可以作為催化劑，促進酯化、酰化和酰胺化等反應的進行。此外，三氟乙酸還可以作為溶劑，在有機合成中起到溶解和催化的作用。其次，三氟乙酸...

有一種三氟乙酸酐的合成方法，先在反應釜分散五氧化二磷并降溫，再快速加入三氟乙酸，回流反應后開始常壓蒸餾，之后適時滴加入高沸點酸，使反應體系溶解澄清，同時保持常壓蒸餾，直至三氟乙酸酐被完全蒸餾出來。本方法能克服三氟乙酸反應不完全、三氟乙酸酐蒸餾不完全的技術問題，...

在一些反應中，三氟乙酸作為母液需要回收，其重要目的是為了出去其中的水分，但由于三氟乙酸易與水形成共沸物，因此不能采用蒸餾的方法進行分離。參照三氟乙酸純化工藝，將三氟乙酸母液制成鈉鹽，然后再用濃硫酸酸化，蒸出三氟乙酸。在中和反應中，放熱較小，但由于反應會產生大量...

此外，光刻膠也可以用于液晶平板顯示等較大面積電子產品的制作。90年代后半期，遵從摩爾定律的指引，半導體制程工藝尺寸開始縮小到0.35um（350nm）以下，因而開始要求更高分辨率的光刻技術。深紫外光由于波長更短，衍射作用小，所以可以用于更高分辨率的光刻光源。隨...

伴隨全球半導體產業東移，加上我國持續增長的下游需求和政策支持力度。同時，國內晶圓廠進入投產高峰期，由于半導體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點，國內光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產能的大幅擴張。當前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距，半導體國產化的大趨勢...

根據2019年數據，全球半導體光刻膠**大廠商占據全球光刻膠市場87%份額。其中日本占有四家，分別是JSR、東京應化(TOK)、信越化學與富士電子材料，這四家的市場份額達到72%，市場集中度明顯。在半導體光刻膠細分領域，日本廠商在市場中具有較強話語權。（1）g...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉變溫度的單分散小分子有機化合物，其結構為非共面和不規則，能夠避免結晶，與產酸劑具有優良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，有機配體...

中國半導體光刻膠市場規模增速超過全球。隨著半導體制程節點不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據智研咨詢數據，2018年全球半導體用光刻膠市場規模約13億美元，年復合增速為5.4%，預計未來5年年均增速約8%-10%；中國半導體用光刻膠市場...

分子玻璃是一種具有較高玻璃化轉變溫度的單分散小分子有機化合物，其結構為非共面和不規則，能夠避免結晶，與產酸劑具有優良的相容性。以分子玻璃為成膜樹脂制備的光刻膠能夠獲得較高的分辨率和較低粗糙度的圖形。金屬氧化物光刻膠使用金屬離子及有機配體構建其主體結構，有機配體...

美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結合起來，創造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應室中之后，引入了鋁前驅物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質內部的...

EUV(極紫外光)光刻技術是20年來光刻領域的進展。由于目前可供利用的光學材料無法很好支持波長13nm以下的輻射的反射和透射，因此 EUV 光刻技術使用波長為13.5nm的紫外光作為光刻光源。EUV（極紫外光）光刻技術將半導體制程技術在10nm以下的區域繼續推...

浸沒光刻和雙重光刻技術在不改變 193nm波長ArF光刻光源的前提下，將加工分辨率推向10nm的數量級。與此同時，這兩項技術對光刻膠也提出了新的要求。在浸沒工藝中；光刻膠首先不能與浸沒液體發生化學反應或浸出擴散，損傷光刻膠自身和光刻鏡頭；其次，光刻膠的折射率必...

光刻膠（Photoresist）又稱光致抗蝕劑，是指通過紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發生變化的耐蝕劑刻薄膜材料。由感光樹脂、增感劑和溶劑3種主要成分組成的對光敏感的混合液體。在光刻工藝過程中，用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時...

中國半導體光刻膠市場規模增速超過全球。隨著半導體制程節點不斷縮小，光刻工藝對光刻膠要求越來越高，需求量也越來越大。據智研咨詢數據，2018年全球半導體用光刻膠市場規模約13億美元，年復合增速為5.4%，預計未來5年年均增速約8%-10%；中國半導體用光刻膠市場...

歷史上光刻機所使用的光源波長呈現出與集成電路關鍵尺寸同步縮小的趨勢。不同波長的光刻光源要求截然不同的光刻設備和光刻膠材料。在20世紀80年代，半導體制成的主流工藝尺寸在1.2um(1200nm)至 0.8um(800nm)之間。那時候波長436nm的光刻光源被...

伴隨全球半導體產業東移，加上我國持續增長的下游需求和政策支持力度。同時，國內晶圓廠進入投產高峰期，由于半導體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點，國內光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產能的大幅擴張。當前我國光刻膠與全球先進水平有近40年的差距，半導體國產化的大趨勢...

光刻膠的產業鏈上游：主要涉及溶劑、樹脂、光敏劑等原材料供應商和光刻機、顯影機、檢測與測試等設備供應商。從原材料市場來看，由于中國從事光刻膠原材料研發及生產的供應商較少，中國光刻膠原材料市場主要被日本、韓國和美國廠商所占據。從設備市場來看，中國在光刻機、顯影機、...

從90年代后半期開始，光刻光源就開始采用248nm的KrF激光；而從2000年代開始，光刻就進一步轉向使用193nm波長的ArF準分子激光作為光源。在那之后一直到目前的約20年里，193nm波長的ArF準分子激光一直是半導體制程領域性能可靠，使用較多的光刻光源...

美國能源部布魯克海文國家實驗室的研究人員采用原子層沉積（ALD）系統，將有機聚合物聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）與氧化鋁結合起來，創造了雜化有機-無機光刻膠。他們在將涂有PMMA薄膜的襯底放到ALD反應室中之后，引入了鋁前驅物蒸汽。這個蒸汽通過PMMA基質內部的...

環化橡膠型光刻膠：屬于聚烴類——雙疊氮系光刻膠。這種膠是將天然橡膠溶解后，用環化劑環化制備而成的。一般來說，橡膠具有較好的耐腐蝕性，但是它的感光活性很差。橡膠的分子量在數十萬以上，因此溶解性甚低，無論在光刻膠的配制還是顯影過程中都有很大困難。因此無法直接采用橡...

浸沒光刻：在與浸沒光刻相對的干法光刻中，光刻透鏡與光刻膠之間是空氣。光刻膠直接吸收光源發出的紫外輻射并發生光化學反應。在浸沒光刻中，光刻鏡頭與光刻膠之間是特定液體。這些液體可以是純水也可以是別的化合物液體。光刻光源發出的輻射經過這些液體的時候發生了折射，波長變...

按顯示效果分類；光刻膠可分為正性光刻膠和負性光刻膠。負性光刻膠顯影時形成的圖形與光罩（掩膜版）相反；正性光刻膠形成的圖形與掩膜版相同。兩者的生產工藝流程基本一致，區別在于主要原材料不同。 按照化學結構分類；光刻膠可以分為光聚合型，光分解型，光交聯型和...

光刻膠按應用領域分類，可分為 PCB 光刻膠、顯示面板光刻膠、半導體光刻膠及其他光刻膠。全球市場上不同種類光刻膠的市場結構較為均衡。智研咨詢的數據還顯示，受益于半導體、顯示面板、PCB產業東移的趨勢，自 2011年至今，光刻膠中國本土供應規模年華增長率...

X射線對物質的化學作用類似電子束，X射線曝光時，X射線本身并不能直接引起光刻膠的反應，它的能量是消耗的光電子放射過程而產生低能電子束上。正是這些低能電子使光刻膠的分子離化，并激勵產生化學反應，使光刻膠分子間的結合鍵解離，或鍵合成高分子，在某些顯影液中變成易溶或...

中美貿易摩擦：光刻膠國產代替是中國半導體產業的迫切需要；自從中美貿易摩擦依賴，中國大陸積極布局集成電路產業。在半導體材料領域，光刻膠作為是集成電路制程技術進步的“燃料”，是國產代替重要環節，也是必將國產化的產品。光刻是半導制程的重要工藝，對制造出更先進，晶體管...