指接觸放電ESD容限，即通過與受保護器件直接接觸放電。ESD容限是根據國際電工委員會（IEC）IEC 61000-4-2標準規定的方法和ESD波形測量的。規定的VESD值是測試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測器件（EUT）與放電槍之間通過...

反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導規定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規定電壓下反向偏置時，反向流動的漏...

電容大的二極管插入損耗高（如圖所示，特性曲線負值變化較大），從而限制了可使用的頻率范圍。例如，在Thunderbolt（帶寬為10Gbps，相當于5GHz的頻率）的情況下，電容小（0.1pF至0.3pF）的ESD保護二極管插入損耗小，幾乎不會影...

ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩態下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高...

ESD保護二極管總電容（C(T)）相對于受保護信號線的頻率是否足夠低：圖3.3顯示ESD保護二極管的等效電路。二極管在正常工作期間不導通。此時，pn結交界面形成耗盡層，如圖3.3所示。耗盡層在電氣上起電容的作用。因此，除非在考慮被保護信號線頻率的基...

ESD保護二極管適用于各種電子設備，包括半導體工業、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設備和雷達設備等。半導體工業與集成電路：在芯片生產、組裝和運輸過程中，ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設備與雷達設備：在天線罩的金屬屏蔽層中使...

ESD保護二極管是一種齊納二極管。當二極管反向偏置時，有很少的電流從陰極流向陽極。然而，當反向偏壓超過某一點（稱為反向擊穿電壓）時，反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加，無論二極管流過的電流大小，二極管都會形成恒定電壓區域。利用齊納二極管擊穿電壓（...

ESD保護二極管數據表含有動態電阻（RDYN）。RDYN是反向導通模式下VF–IF曲線的斜率。如果發生ESD沖擊，給定電壓下，低動態電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯阻抗。如果ESD保...

指接觸放電ESD容限，即通過與受保護器件直接接觸放電。ESD容限是根據國際電工委員會（IEC）IEC 61000-4-2標準規定的方法和ESD波形測量的。規定的VESD值是測試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測器件（EUT）與放電槍之間通過...

ESD保護二極管在醫療監護儀、手術器械、診斷設備等醫療設備中有廣泛應用。醫療設備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設備性能和患者安全造成影響。在這些領域，設備對可靠性和穩定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設備在極端環境下不受靜電放電的...

低動態電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時，漏電流增加。電壓接近VBR時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電...

應用場景SR15D3BL和SR18D3BL廣泛應用于各種電子設備中，如通信設備、計算機、汽車電子、工業控制等領域。它們可以用于保護電路中的各種元器件，如芯片、傳感器、電容器等，有效地保護電路免受ESD事件的影響，提高電路的穩定性和可靠性。結論綜上所述，...

SR18D3BL是一款18V的ESD保護二極管，峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此，SR18D3BL適用于需要高速響應和低電容的應用場景，如USB接口、HDMI接口、以太網接口等。SR...

當pn結反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應，電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。當pn反向偏置時，少量電子通過pn結。這...

TVS二極管（ESD保護二極管）布局注意事項：ESD保護二極管位置影響ESD保護性能。ESD保護二極管靠近ESD進入點。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護二極管（包括GND）串聯的走線電感降至比較低。不要...

***比較大額定值指任何條件下，即使瞬間也不得超過的比較高值。如果施加的應力超過規定的額定值，器件可能會長久損壞。不得超過任何***比較大額定值。因此，應注意電源電壓波動、電子器件電氣特性變化、電路調整過程中應力可能高于比較大額定值、環境溫度變化、...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁...

TVS二極管（ESD保護二極管）布局注意事項：ESD保護二極管位置影響ESD保護性能。ESD保護二極管靠近ESD進入點。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護二極管（包括GND）串聯的走線電感降至比較低。不要...

ESD保護二極管考慮到要保護的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調制數字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護二極管可用于高于...

ESD保護二極管是一種用于抑制靜電感應和瞬時過壓的半導體器件，在電路中起到了關鍵的保護作用。它能夠防止由于雷擊、靜電放電或電弧引起的電子元器件損壞，廣泛應用于計算機系統、通信設備以及工業控制設備等。這種器件具有體積小、重量輕、性能穩定等特點，是現...

等效電路及優點：正常工作期間ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩態下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（I(L)），降低信號質量，取決其速度（特別是USB 3....

在電子設備中，ESD保護二極管通常被放置在容易受到靜電放電沖擊的部位，如集成電路的接口處。當帶有電荷的物體（如人類）靠近或接觸這些接口時，ESD電流會釋放在PCB上，對電路造成損害。而ESD保護二極管則能將這部分電流引向地面，從而保護系統免受損害...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1...

保護二極管:保護二極管用作浪涌保護電壓鉗。這類二極管在電路施加電壓過大時導通。穩壓二極管:當小電流（I(Z)）從陰極（K）流到陽極（A）時，二極管兩端的電壓可用作恒壓源（V(Z)）。可用功率受二極管允許功耗及安裝板允許功耗的限制。TVS二極...

ESD保護二極管電容為0.12pF至100pF。浪涌保護齊納二極管具有寬結，以便吸收大量浪涌能量。這類二極管的總電容為100pF至600pF，適用于雷電感應和開關浪涌的保護。表1.2顯示ESD保護二極管和浪涌保護齊納二極管適用于不同類型過壓浪涌脈沖...

ESD保護二極管在醫療監護儀、手術器械、診斷設備等醫療設備中有廣泛應用。醫療設備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設備性能和患者安全造成影響。在這些領域，設備對可靠性和穩定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設備在極端環境下不受靜電放電的...

低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規定ESD波形時，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護二極管的波形效果。這些波形采集于受保護器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護二極管在30ns和60ns處鉗位電壓...

ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理：單向和雙向ESD保護二極管可吸收正負ESD脈沖。TVS二極管（ESD保護二極管）的選型指南，選擇正確的ESD保護二極管，請注意第3節介紹的主要電氣特性。保持被保護信號的質量 。信號線電壓 根據被保護信號...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1...

TVS二極管（ESD保護二極管）布局注意事項：ESD保護二極管位置影響ESD保護性能。ESD保護二極管靠近ESD進入點。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護二極管（包括GND）串聯的走線電感降至比較低。不要...