ESD保護二極管適用于各種電子設備，包括半導體工業、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設備和雷達設備等。半導體工業與集成電路：在芯片生產、組裝和運輸過程中，ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設備與雷達設備：在天線罩的金屬屏蔽層中使...

在發生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護二極管數據表含有動態電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向導通...

EAP配置中低電容ESD保護二極管：它由三個二極管組成：低電容二極管1和二極管2（電容分別為C(1)和C(2)）和高電容二極管3（電容為C(3)）。二極管1和二極管2的pn結面積小，反向擊穿電壓（V(BR)）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足...

工業自動化、醫療設備和汽車電子：在這些領域中，傳感器廣泛應用于各種設備和系統中，其接口暴露在外界環境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護二極管可以保護這些傳感器接口，確保傳感器能夠在惡劣環境中可靠工作。例如，在觸摸屏設備中，ESD保護二極管...

當pn結反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應，電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。當pn反向偏置時，少量電子通過pn結。這...

在發生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護二極管數據表含有動態電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向導通...

SR18D3BL型號是一種18V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設備中。SR18D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電...

反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導規定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規定電壓下反向偏置時，反向流動的漏...

TVS二極管（ESD保護二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容...

反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導規定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規定電壓下反向偏置時，反向流動的漏...

ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩態下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高...

由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態：ESD保護二極管反向擊...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應速度的特點，能夠有效保護電子設備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護二極管時，需要根據具體應用場景來選擇合適的型號，以達到保...

ESD保護二極管數據表含有動態電阻（RDYN）。RDYN是反向導通模式下VF–IF曲線的斜率。如果發生ESD沖擊，給定電壓下，低動態電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯阻抗。如果ESD保...

SR18D3BL型號是一種18V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設備中。SR18D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電...

ESD保護二極管動態電阻與流入受保護器件的電流： 如何計算ESD保護二極管的動態電阻（R(DYN)），以及ESD電擊時浪涌電流的流向。如果ESD保護二極管阻抗（即動態電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1...

ESD保護二極管在醫療監護儀、手術器械、診斷設備等醫療設備中有廣泛應用。醫療設備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設備性能和患者安全造成影響。在這些領域，設備對可靠性和穩定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設備在極端環境下不受靜電放電的...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應速度的特點，能夠有效保護電子設備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護二極管時，需要根據具體應用場景來選擇合適的型號，以達到保...

由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態：ESD保護二極管反向擊...

EAP配置中低電容ESD保護二極管：它由三個二極管組成：低電容二極管1和二極管2（電容分別為C(1)和C(2)）和高電容二極管3（電容為C(3)）。二極管1和二極管2的pn結面積小，反向擊穿電壓（V(BR)）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足...

SR18D3BL是一款18V的ESD保護二極管，峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此，SR18D3BL適用于需要高速響應和低電容的應用場景，如USB接口、HDMI接口、以太網接口等。SR...

ESD保護二極管考慮到要保護的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調制數字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護二極管可用于高于...

工業自動化、醫療設備和汽車電子：在這些領域中，傳感器廣泛應用于各種設備和系統中，其接口暴露在外界環境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護二極管可以保護這些傳感器接口，確保傳感器能夠在惡劣環境中可靠工作。例如，在觸摸屏設備中，ESD保護二極管...

隨著電子技術的不斷發展，對ESD保護二極管的要求也越來越高。未來的ESD保護二極管將朝著更高性能、更小體積、更低寄生電容的方向發展。同時，隨著新材料和新工藝的應用，ESD保護二極管的性能將得到進一步提升，為電子設備的安全運行提供更加可靠的保障。E...

鉗位電壓是ESD保護二極管的一個重要參數，它表示在承受ESD沖擊時，系統將會受到的沖擊電壓值。在選擇ESD保護二極管時，需要關注其鉗位電壓的大小，以確保在ESD沖擊發生時，系統能夠承受住相應的電壓沖擊。雖然ESD保護二極管在保護電路方面起到了重要...

SR08D3BL型號和SR12D3BL型號的優勢也有所不同。SR08D3BL型號的優勢在于其響應速度快，可以在納秒級別內響應ESD事件，有效保護電路。此外，SR08D3BL型號的封裝體積小，適合在空間受限的電路中使用。而SR12D3BL型號的優勢在于其電壓容忍...

指接觸放電ESD容限，即通過與受保護器件直接接觸放電。ESD容限是根據國際電工委員會（IEC）IEC 61000-4-2標準規定的方法和ESD波形測量的。規定的VESD值是測試波形的峰值。指空氣放電ESD容限，即被測器件（EUT）與放電槍之間通過...

ESD保護二極管適用于各種電子設備，包括半導體工業、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設備和雷達設備等。半導體工業與集成電路：在芯片生產、組裝和運輸過程中，ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設備與雷達設備：在天線罩的金屬屏蔽層中使...

低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規定ESD波形時，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護二極管的波形效果。這些波形采集于受保護器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護二極管在30ns和60ns處鉗位電壓...