低鉗位電壓（V(C)）和***峰值電壓：采用IEC 61000-4-2規定ESD波形時，高低鉗位電壓（V(C)）ESD保護二極管的波形效果。這些波形采集于受保護器件（DUP）輸入端。具有低V(C )的ESD保護二極管在30ns和60ns處鉗位電壓...

TVS二極管（ESD保護二極管）布局注意事項：ESD保護二極管位置影響ESD保護性能。ESD保護二極管靠近ESD進入點。在來自連接器的電路板走線分支成ESD保護二極管和DUP的兩條線路后，使與ESD 保護二極管（包括GND）串聯的走線電感降至比較低。不要...

ESD保護二極管適用于各種電子設備，包括半導體工業、集成電路、分立器件、計算機電路、通訊設備和雷達設備等。半導體工業與集成電路：在芯片生產、組裝和運輸過程中，ESD保護二極管能夠有效防止靜電對芯片的損害。通訊設備與雷達設備：在天線罩的金屬屏蔽層中使...

在發生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護二極管數據表含有動態電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向導通...

EAP配置中低電容ESD保護二極管：它由三個二極管組成：低電容二極管1和二極管2（電容分別為C(1)和C(2)）和高電容二極管3（電容為C(3)）。二極管1和二極管2的pn結面積小，反向擊穿電壓（V(BR)）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足...

工業自動化、醫療設備和汽車電子：在這些領域中，傳感器廣泛應用于各種設備和系統中，其接口暴露在外界環境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護二極管可以保護這些傳感器接口，確保傳感器能夠在惡劣環境中可靠工作。例如，在觸摸屏設備中，ESD保護二極管...

當pn結反向偏置時，耗盡層延伸穿過pn結。電場造成耗盡層內p型區價帶與n型區導帶之間的間隙減小。因此，由于量子隧穿效應，電子從p型區價帶隧穿到n型區導帶。齊納擊穿是電子隧穿耗盡區導致反向電流突然增加的現象。當pn反向偏置時，少量電子通過pn結。這...

在發生ESD沖擊時，ESD電流同時流入ESD保護二極管和受保護器件（DUP）。這種情況下，減少流入受保護器件的電流（即增加分流到ESD保護二極管的電流）是十分重要的。目前，ESD保護二極管數據表含有動態電阻（R(DYN)）。R(DYN)是反向導通...

SR18D3BL型號是一種18V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設備中。SR18D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電...

反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導規定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規定電壓下反向偏置時，反向流動的漏...

TVS二極管（ESD保護二極管）的主要電氣特性：正常工作狀態（無ESD事件）的主要特性由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（V(BR)）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容...

反向擊穿電壓是ESD保護二極管在規定條件下（通常定義為1mA，盡管因器件而異）開始傳導規定量電流時的電壓。VBR**初是為齊納二極管定義的參數。VBR定義為ESD保護二極管導通電壓。反向電流是ESD保護二極管在規定電壓下反向偏置時，反向流動的漏...

低動態電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時，漏電流增加。電壓接近VBR時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電...

低動態電阻（RDYN）低鉗位電壓（VC）和***峰值電壓ESD保護二極管吸收不同極性ESD脈沖工作原理 ，ESD保護二極管兩端電壓接近反向擊穿電壓（VBR）時，漏電流增加。電壓接近VBR時，漏電流可能使保護信號線的波形失真。反向電流（IR）隨反向電...

ESD保護二極管通常放在信號線與GND之間。因此，這些二極管在穩態下充當電容器。由于它們的電容和信號線的電阻組成低通濾波器（LPF），因此ESD保護二極管會造成插入損耗（IL），降低信號質量，取決其速度（特別是USB 3.0和USB 3.1等高...

ESD保護二極管是一種齊納二極管。當二極管反向偏置時，有很少的電流從陰極流向陽極。然而，當反向偏壓超過某一點（稱為反向擊穿電壓）時，反向電流突然增加。隨著反向偏壓增加，無論二極管流過的電流大小，二極管都會形成恒定電壓區域。利用齊納二極管擊穿電壓（...

高擊穿電壓二極管摻雜濃度低，因此形成寬耗盡層（禁帶）。相反，低擊穿電壓二極管摻雜濃度高，所以它們形成窄耗盡層（禁帶）。二極管耗盡層寬時，不太可能發生電子隧穿（齊納擊穿），主要為雪崩擊穿。高摻雜濃度二極管耗盡層窄，更容易發生齊納擊穿。隨著溫度上升，禁...

由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態：ESD保護二極管反向擊...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應速度的特點，能夠有效保護電子設備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護二極管時，需要根據具體應用場景來選擇合適的型號，以達到保...

ESD保護二極管數據表含有動態電阻（RDYN）。RDYN是反向導通模式下VF–IF曲線的斜率。如果發生ESD沖擊，給定電壓下，低動態電阻ESD保護二極管可以傳輸更大電流。從連接器端看，ESD保護二極管和受保護器件的阻抗可視為并聯阻抗。如果ESD保...

SR18D3BL型號是一種18V的ESD保護二極管，其峰值脈沖電流為5A，反向漏電流為0.1μA。該型號采用SOD-323封裝，體積小、重量輕，適合用于小型電子設備中。SR18D3BL型號的主要特點如下：工作電壓范圍廣，可適用于多種電路，高峰值脈沖電...

ESD保護二極管動態電阻與流入受保護器件的電流： 如何計算ESD保護二極管的動態電阻（R(DYN)），以及ESD電擊時浪涌電流的流向。如果ESD保護二極管阻抗（即動態電阻）低，則大部分浪涌電流可通過ESD保護二極管分流到地（GND），從而減少流...

低電容二極管1和二極管2（電容分別為C1和C2）和高電容二極管3（電容為C3）。二極管1和二極管2的pn結面積 小，反向擊穿電壓（VBR）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足夠大的反向擊穿電壓（VBR）。加到陽極的ESD電流沿正向流過二極管1...

ESD保護二極管在醫療監護儀、手術器械、診斷設備等醫療設備中有廣泛應用。醫療設備中的電子部件同樣需要保護，以防止靜電放電對設備性能和患者安全造成影響。在這些領域，設備對可靠性和穩定性的要求極高。ESD保護二極管能夠確保設備在極端環境下不受靜電放電的...

SR18D3BL、SR24D3BL、SR12D3BL三個型號的區別主要在于電壓等級的不同。同時，它們都具有低電容和快速響應速度的特點，能夠有效保護電子設備免受ESD損害。因此，在選擇ESD保護二極管時，需要根據具體應用場景來選擇合適的型號，以達到保...

由于ESD保護二極管反向連接，正常工作時，其兩端電壓低于反向擊穿電壓（VBR）。因此，ESD保護二極管正常工作時不導通。此時，pn結形成耗盡層，二極管起電容器作用。選擇ESD保護二極管時，以下三個注意事項適用于正常工作狀態：ESD保護二極管反向擊...

EAP配置中低電容ESD保護二極管：它由三個二極管組成：低電容二極管1和二極管2（電容分別為C(1)和C(2)）和高電容二極管3（電容為C(3)）。二極管1和二極管2的pn結面積小，反向擊穿電壓（V(BR)）高，而二極管3的pn結面積大，并且有足...

SR18D3BL是一款18V的ESD保護二極管，峰值脈沖電流為5A。該型號的主要特點是具有低電容和快速響應速度，能夠在瞬間將ESD電壓降至安全水平。因此，SR18D3BL適用于需要高速響應和低電容的應用場景，如USB接口、HDMI接口、以太網接口等。SR...

ESD保護二極管考慮到要保護的信號線的極性，有必要選擇單向或雙向ESD保護二極管。不同類型的二極管用于*正向擺動的未調制數字信號（例如，0V（邏輯低電平）與5V（邏輯高電平）之間），以及電壓可正可負的無偏壓模擬信號。雙向ESD保護二極管可用于高于...

工業自動化、醫療設備和汽車電子：在這些領域中，傳感器廣泛應用于各種設備和系統中，其接口暴露在外界環境中，容易受到靜電放電的影響。使用ESD保護二極管可以保護這些傳感器接口，確保傳感器能夠在惡劣環境中可靠工作。例如，在觸摸屏設備中，ESD保護二極管...