剛學單片機的學長告訴我單片機的晶振電路中就是用22pf或30pf的電容就行，聽人勸吃飽飯吧，照著焊電路一切ok，從沒想過為什么，知其所以然而不知其為什么所以然，真是悲哀，這些天狀態好像一直不太好，也難以說清楚為什么，前幾天跟著老師去別的實驗室聽課，其實也就是聽一聽老師和師傅給別的實驗室的同學講嵌入式的種種，還有就是那天師傅單獨和談了挺長時間，我從心底感謝他們，他們讓我懂得反思，調整，我對自己持有怎么的學習態度和應該如何付諸于行動有了新的理解，這遠比單純的交給我一些知識要好很多。說起這個小知識點本人還有這么個經歷和大家一塊分享一下吧。話說我曾經幫一女生做東西，其實超級簡單就是個ATMEGAL16...

2019下半年有源晶振市場供需情況發生轉變，2520及2016溫補晶振訂單增多。供給端：由于此前部分日本晶振原廠和材料供應商將生產線遷至東南亞等地，導致部分型號產品交貨周期延長，有源晶振又回到供不應求的狀態。需求端：移動通信市場5G基礎設施建設加速，汽車領域配置ADAS等設備的前端車型滲透率提升，綜合導致晶振市場回暖。5G基站、汽車電子及物聯網等高科技領域對2520（2.5mm*2.0mm）、2016（2.0mm*1.6mm）兩種尺寸的溫補晶振和熱敏晶體需求較高，該型號產品訂單增長，逐步出現量價齊升的態勢。全球石英晶振需求量逐年上升。上海晶振測量輸出波形然后要選擇輸出波形以匹配振蕩器將在系統中...

AT切型晶振缺陷：傳統機械加工難以滿足嚴格的公差要求。AT切割是目前使用量較大的石英晶體類型之一，常用于高頻晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm，加工難度大幅增加。大規模生產小型晶體時，需要將公差控制在2um以內，而傳統機械加工難以滿足嚴格的公差要求。超高頻晶振缺陷：多次倍頻導致相噪損失嚴重。晶振工作頻率通常與晶片厚度成反比，傳統機械加工適合的頻率范圍為1-40MHz（對應晶片厚度0.04mm）。以傳統方式生產百MHz晶振需要將晶片加工至超薄，從而導致出現穩定性差及易破損的缺點。因此，生產百兆赫茲高頻晶振通常采用10MHz成熟產品作為基準頻率源，并經過多次倍頻獲得所需信號。但這樣...

1、輸出頻率任何振蕩器基本的屬性都是它生成的頻率。根據定義，振蕩器是接受輸入電壓(通常為直流電壓)并在某一頻率下產生重復交流輸出的器件。所需的頻率由系統類型和如何使用該振蕩器所決定。一些應用需要kHz范圍內的低頻晶體。一個常見的例子是32.768kHz手(鐘)表晶體。但是大多數當前的應用需要更高頻率的晶體，范圍從小于10MHz到大于100MHz。2、頻率穩定性和溫度范圍所需的頻率穩定性由系統要求確定。振蕩器的穩定性可簡單地表述為：由于某些原因引起的頻率變化除以中心頻率。（即：穩定性=頻率變化÷中心頻率）振蕩器直接應用于電路中，諧振器工作時一般需要提供3.3V電壓來維持工作。甘肅24mhz晶振晶...

對于時鐘晶體、時鐘電路，可以采用屏蔽措施進行屏蔽處理。若時鐘外殼為金屬，則PCB設計時一定要在晶體下方鋪銅，并保證此部分與完整的地平面有良好的電氣連接(通過多孔接地)。5）時鐘晶體下面鋪地的好處：晶體振蕩器內部的電路會產生射頻電流，如果晶體是金屬外殼封裝的，直流電源腳是直流電壓參考和晶體內部射頻電流回路參考的依靠，通過地平面釋放外殼被射頻輻射產生的瞬態電流。總之，金屬外殼是一個單端天線，很近的映像層、地平面層有時兩層或者更多層做為射頻電流對地的輻射耦合作用是足夠的。晶體下鋪地對散熱也是有好處的。晶體通過壓電效應產生特定頻率信號。山東晶振型號移動終端：預計2022年國內手機廠商對晶振需求量達35...

晶振的更換判斷出晶振有問題如何更換？首先頻率要相同有沒有誤差呢？同電阻電容一樣也有誤差,一般用PPM，百萬分之一，舉例6Mhz+/-50PPM，頻率范圍在5999700-6000300內都是正常的，代換時如果電路對時間要求不是很嚴格，可以不用考慮這個問題。第二驅動功率有些IC驅動電壓低，換用驅動功率高的晶體不易起振，有些起振后，幅度過低不穩定，比較好換驅動功率低的，容易起振電路穩定，之前曾遇到過這樣的問題。有線線路一碰晶振，就停止振蕩，怎么辦？可以嘗試把晶振外殼接地，或換有源晶振。有人會問無源晶振兩只腳，有源晶振3只或許4只腳如何代換把有源有源晶振信號輸出腳接CPU振蕩信號輸入腳，任何事情都有...

有些時候C1，C2不焊也能起振，這個不是說沒有C1，C2，而是因為芯片引腳的分布電容引起的，因為本來這個C1，C2就不需要很大，所以這一點很重要。接下來分析這兩個電容對振蕩穩定性的影響。因為7404的電壓反饋是靠C2的，假設C2過大，反饋電壓過低，這個也是不穩定，假設C2過小，反饋電壓過高，儲存能量過少，容易受外界干擾，也會輻射影響外界。C1的作用對C2恰好相反。因為我們布板的時候，假設雙面板，比較厚的，那么分布電容的影響不是很大，假設在高密度多層板時，就需要考慮分布電容，尤其是VCO之類的振蕩電路，更應該考慮分布電容。有些用于工控的項目，建議不要用晶體的方法振蕩，二是直接接一個有源的晶振很多...

晶振的更換判斷出晶振有問題如何更換？首先頻率要相同有沒有誤差呢？同電阻電容一樣也有誤差,一般用PPM，百萬分之一，舉例6Mhz+/-50PPM，頻率范圍在5999700-6000300內都是正常的，代換時如果電路對時間要求不是很嚴格，可以不用考慮這個問題。第二驅動功率有些IC驅動電壓低，換用驅動功率高的晶體不易起振，有些起振后，幅度過低不穩定，比較好換驅動功率低的，容易起振電路穩定，之前曾遇到過這樣的問題。有線線路一碰晶振，就停止振蕩，怎么辦？可以嘗試把晶振外殼接地，或換有源晶振。有人會問無源晶振兩只腳，有源晶振3只或許4只腳如何代換把有源有源晶振信號輸出腳接CPU振蕩信號輸入腳，任何事情都有...

簡單晶體振蕩器(XO)這是很基本的類型，其穩定度完全由晶體諧振器本身的固有特性決定。在MHz范圍內的較高頻率晶體由石英棒制成，其制造方式是即使環境溫度在-55℃至+125℃(-67°F至+257°F)之間變化，也可提供相對穩定的頻率。即使在這么寬的溫度范圍內，適當切割的石英晶體也可實現±25ppm的穩定度。與諸如隨溫度變化可達1%(10,000ppm)或更高的LC振蕩電路等其它被動諧振器相較，晶體振蕩器的性能已大幅提升了。但對于某些應用來說，即使25ppm也不夠好，因此必須采用額外措施。資訊設備：電子計算機保持較高出貨量，年晶振需求量約31億顆。云南晶振的負載電容這個并聯諧振電路加到一個負反饋...

無源晶振，準確來說應叫Crystal（晶體），有源晶振則叫Oscillator（振蕩器）。無源晶振是在石英晶片的兩端鍍上電極而成，其兩管腳是無極性的。無源晶振自身無法震蕩，在工作時需要搭配外圍電路。在一定條件下，石英晶片會產生壓電效應：晶片兩端的電場與機械形變會互相轉化。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率相等時，晶體產生的振動和電場強度比較大，這稱為壓電諧振，類似與LC回路的諧振。由于晶體為無源器件，其對外圍電路的參數較為敏感，尤其為負載電容。根據晶體的手冊，我們得知測試電路中有推薦電容，此電容對晶體是否起振大有關聯石英晶體振蕩器類型特點。上海晶振的溫補根據草根調研及互聯網公開資料進行整理，...

晶振與匹配電容的經驗總結，匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣并聯起來就接近負載電容了。2、負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。3、一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應制成的一種諧振器件。遼寧晶...

電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，形成放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經試驗此電路的穩定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。晶體的Q值非常高，Q值是什么意思呢?晶體的串聯等效阻抗是Ze=Re+jXe，Re<<|jXe|，晶體一般等效于一個Q很高很高的電感，相當于電感的導線電阻很小很小。Q一般達到10^-4量級。避免信號太強打壞晶體的。電阻一般比較大，一般是幾百K。串進去的電阻是用來限制振蕩幅度的，并進去的兩顆電容根據LZ的晶振為幾十MHZ一般是在20~3...

晶振與匹配電容的經驗總結，匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣并聯起來就接近負載電容了。2、負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。3、一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。振蕩器直接應用于電路中，諧振器工作時一般需要提供3.3V電壓來維...

既然晶體兩端非常敏感，不便于接上探頭測量，那可以換一種思路，在其他地方測量該信號。某些時鐘芯片帶clockout功能，此功能是buffer晶體的信號，其管腳的輸出是有很強大的驅動能力的，因此可以直接使用探頭測量。晶體發出的時鐘輸入到處理器中，可以使用計時器對此信號作分頻處理，然后將分頻后的信號輸出到管腳。這樣我們只需測量分頻后的信號，即可計算出原有時鐘的頻率。這種間接測試的方法，只能測試晶體的頻率，不能測量晶體輸出信號的幅度。若能在設備的工況范圍都測試其頻率的準確性，那晶體電路的工作就是OK的。內部振蕩器、無源晶振、有源晶振有什么區別？黑龍江石英晶振石英鐘走時準、耗電省、經久耐用為其很大優點。...

晶振與匹配電容的經驗總結，匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣并聯起來就接近負載電容了。2、負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。3、一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。多重市場拉動晶振需求 全球大廠加速擴產應對 國內廠商迎訂單轉移機...

這個并聯諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數變化很大，這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。晶振有一個重要的參數，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。一般的晶振的負載電容為15皮或12.5皮，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22皮的電容構成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇...

TWS、IOT、5G手機設備等對于小型化和高頻晶振產品的需求提升，晶振行業發展迎來新機遇。作為半導體重要基礎原件，應用市場很廣，主要應用領域在于消費電子、移動終端、車聯網、通信設備等，任何與調頻相關的設備都需要晶振，隨著5G技術推進，設備對于藍牙、wifi、定位、導航等功能的需求提升，小型化和高頻晶振產品需求旺盛。目前，用于傳染病防控的檢測設備如紅外測溫儀、心電儀、血氧飽和儀、血糖儀、血壓計、遠程醫療設備等各類醫療器械，都需要用到晶振。傳染病之下，晶振需求急速增加，迎來一波小高峰。內部振蕩器、無源晶振、有源晶振有什么區別？甘肅晶振 負載電容中國臺灣地區廠商近年來發展迅速，產品更新速度快，201...

汽車電動化帶來元器件需求擴張，每部汽車需配置數十顆晶振。根據NDK年報披露數據，低端車型配置10-20顆晶振，經濟型汽車需要晶振30-40顆，豪華型汽車需要70-110顆。依據《智能網聯汽車技術路線圖》，2020年智能汽車新車占比達到50%；2025年智能汽車新車裝配率將達到80%。我們以每部經濟型汽車使用晶振30顆，智能汽車使用80顆晶振顆測算，預計2020年全國車用晶振達到15億顆,到2025年增長至28.7億顆。2020年5G基站建設提速，對石英晶振的需求將會增加。石英晶振是5G技術中很重要的電子零部件，其作用是提供高標準基準時鐘信號以及接收傳輸信號。5G技術在各方面都要做到非常精細，普...

電阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，形成放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效按照晶體頻率諧振，由于晶體的Q值非常高，因此電阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻率。過去，曾經試驗此電路的穩定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響脈寬比的。晶體的Q值非常高，Q值是什么意思呢?晶體的串聯等效阻抗是Ze=Re+jXe，Re<<|jXe|，晶體一般等效于一個Q很高很高的電感，相當于電感的導線電阻很小很小。Q一般達到10^-4量級。避免信號太強打壞晶體的。電阻一般比較大，一般是幾百K。串進去的電阻是用來限制振蕩幅度的，并進去的兩顆電容根據LZ的晶振為幾十MHZ一般是在20~3...

如今的電子科技時代，我們已離不開生活中的智能產品，尤其是手機，在這個移動支付的快節奏城市，也許你可以試試三天沒有手機的生活，恐怕會有諸多不便。而手機卻依賴它，一顆比米粒還要小的晶振，決定了整塊電路板的“生死”。如果它不運作，整個系統就會癱瘓，在行業中被人們堪比為電路板的心臟。晶振是各板卡的“心跳”發生器，選擇好的晶振，保障線路板的經久耐用性。然而難免會碰到晶振停振的問題。晶振的作用就是向顯卡、網卡、主板等配件的各部分提供基準頻率，它是時鐘電路中很重要的部件。晶振就像個標尺，工作頻率不穩定會造成相關設備工作頻率不穩定，自然容易出現問題。在實際應用中，遇到晶振停振，要結合實際情況和產品規格。有源晶...

國產企業光刻技術已取得突破。泰晶科技從2011年開始布局光刻工藝研發，2014年組建了國內同行業很早一家微納米晶體加工技術重點實驗室，以激光調頻和光刻技術為基礎，加強MEMS技術在晶體諧振器產品的應用。目前公司已經取得了微型晶體諧振器生產的重要技術研究成果，成功使用雙面光刻工藝，將超過3000顆的“1610”型號晶體諧振器集成至3寸的WAFER片上。微電子機械系統（MEMS）技術的有效應用為石英晶體的加工提供了技術借鑒和啟發。MEMS技術利用IC加工技術實現微納米尺度加工，在加工精度、加工手段、EDA(計算機輔助設計)等方面具有先天優勢，因此石英晶體技術與MEMS技術的結合成為必然趨勢。全球晶...

設計考慮事項：1、使晶振、外部電容器(如果有)與IC之間的信號線盡可能保持短。當非常低的電流通過IC晶振振蕩器時，如果線路太長，會使它對EMC、ESD與串擾產生非常敏感的影響。而且長線路還會給振蕩器增加寄生電容。2、盡可能將其它時鐘線路與頻繁切換的信號線路布置在遠離晶振連接的位置。3、當心晶振和地的走線4、將晶振外殼接地如果實際的負載電容配置不當，會引起線路參考頻率的誤差。另外如在發射接收電路上會使晶振的振蕩幅度下降(不在峰點)，影響混頻信號的信號強度與信噪。當波形出現削峰，畸變時，可增加負載電阻調整(幾十K到幾百K).要穩定波形是并聯一個1M左右的反饋電阻。振蕩器直接應用于電路中，諧振器工作...

汽車電動化帶來元器件需求擴張，每部汽車需配置數十顆晶振。根據NDK年報披露數據，低端車型配置10-20顆晶振，經濟型汽車需要晶振30-40顆，豪華型汽車需要70-110顆。依據《智能網聯汽車技術路線圖》，2020年智能汽車新車占比達到50%；2025年智能汽車新車裝配率將達到80%。我們以每部經濟型汽車使用晶振30顆，智能汽車使用80顆晶振顆測算，預計2020年全國車用晶振達到15億顆,到2025年增長至28.7億顆。2020年5G基站建設提速，對石英晶振的需求將會增加。石英晶振是5G技術中很重要的電子零部件，其作用是提供高標準基準時鐘信號以及接收傳輸信號。5G技術在各方面都要做到非常精細，普...

晶振是現在電器里面幾乎不可缺的部件，重要性大家知道，不必細說。利用晶體壓電效應，**常用打火機，就是利用晶體壓電效應，及煤氣爐里的點火器都是利用晶體壓電效應。壓電效應：某些電介質在沿一定方向上受到外力的作用而變形時，其內部會產生極化現象，同時在它的兩個相對表面上出現正負相反的電荷。當外力去掉后，它又會恢復到不帶電的狀態，這種現象稱為正壓電效應。當作用力的方向改變時，電荷的極性也隨之改變。相反，當在電介質的極化方向上施加電場，這些電介質也會發生變形，電場去掉后，電介質的變形隨之消失，這種現象稱為逆壓電效應。當在兩端施加一定交流電，晶體會做周期振動.當電壓達到某個頻率后,晶體振動強度達到比較大。這...

替代邏輯三：突破光刻技術，推進小型化、高精度發展（1）MEMS技術可解決傳統機械加工的局限高穩定性的晶體元器件晶體單元/晶體振蕩器按照切型主要分為三種：1）kHz級的晶體單元采用音叉型結構振動子；2）MHz級的晶體單元采用AT型結構振動子；3）百MHz超高頻晶體單元采用SAW型振動子，溫度特性曲線和音叉型振動子類似。隨著下游產品對晶振抗振性、相位噪聲等、尺寸小型化等參數要求越來越高，傳統機械加工的局限性逐漸顯露。音叉型晶振缺陷：單元尺寸壓縮后將難于取得良好的振蕩特性。當石英振動子的尺寸從1.2×1.0mm減小到1.0×0.8mm時，串聯電阻值（CI值）會升高30%左右，也就是說音叉型晶體單元尺...

低成本的熱敏晶體可在一定程度上替代溫補晶振。熱敏晶體和溫補晶振都是在特殊環境下使用的頻率元件，可以改善其頻率溫度補正。熱敏晶體的原理是在普通貼片晶振基礎上增加一顆熱敏電阻以及一顆變容二極管，利用變容二極管的容變功能與熱敏的傳感功能相結合，形成帶有溫度傳感功能的熱敏石英晶振。熱敏晶振在工作過程中受到了溫度感應時可以使晶體產品在工作過程中保持一個精細的不變的溫度，使晶振產品的精度給CPU提供信號的同時又能避免因為溫度的問題給晶振造成頻率較大的偏差。帶有溫度傳感的熱敏晶振是溫補晶振的替代品，其成本低廉、生產快捷，但精度弱于溫補晶振。例如，TCXO溫補晶振的頻率偏差在±0.5ppm 的范圍，晶振給CP...

晶振的更換判斷出晶振有問題如何更換？首先頻率要相同有沒有誤差呢？同電阻電容一樣也有誤差,一般用PPM，百萬分之一，舉例6Mhz+/-50PPM，頻率范圍在5999700-6000300內都是正常的，代換時如果電路對時間要求不是很嚴格，可以不用考慮這個問題。第二驅動功率有些IC驅動電壓低，換用驅動功率高的晶體不易起振，有些起振后，幅度過低不穩定，比較好換驅動功率低的，容易起振電路穩定，之前曾遇到過這樣的問題。有線線路一碰晶振，就停止振蕩，怎么辦？可以嘗試把晶振外殼接地，或換有源晶振。有人會問無源晶振兩只腳，有源晶振3只或許4只腳如何代換把有源有源晶振信號輸出腳接CPU振蕩信號輸入腳，任何事情都有...

3、輸入電壓和功率任何類型的晶振通常都可以被設計為利用系統中已有的DC輸入電源電壓來操作。在數字系統中，通常希望使用與振蕩器將驅動的系統中的邏輯器件所使用的電壓相匹配的電壓來驅動晶振，以便邏輯電平是直接兼容的。+3.3V或+5V是這些數字單元的典型輸入。具有較高功率輸出的其它器件可以使用較高電壓，例如+12V或+15V。另一個考慮因素是為器件供電所需的電流量。XO或TCXO可能只需要幾mA，因此在低電壓系統中，其功耗可以小于0.01W。另一方面，在上電時，一些OCXO可以需要5W或6W。日本主要晶振廠商盈利能力下降，擴產意愿不強。湖南可編程晶振當晶體頻率發生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過多...

AT切型晶振缺陷：傳統機械加工難以滿足嚴格的公差要求。AT切割是目前使用量較大的石英晶體類型之一，常用于高頻晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm，加工難度大幅增加。大規模生產小型晶體時，需要將公差控制在2um以內，而傳統機械加工難以滿足嚴格的公差要求。超高頻晶振缺陷：多次倍頻導致相噪損失嚴重。晶振工作頻率通常與晶片厚度成反比，傳統機械加工適合的頻率范圍為1-40MHz（對應晶片厚度0.04mm）。以傳統方式生產百MHz晶振需要將晶片加工至超薄，從而導致出現穩定性差及易破損的缺點。因此，生產百兆赫茲高頻晶振通常采用10MHz成熟產品作為基準頻率源，并經過多次倍頻獲得所需信號。但這樣...

在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關。當晶體不振動時，可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關，一般約幾個皮法到幾十皮法。當晶體振蕩時，機械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數值約為100歐。由于晶片的等效電感很大...