1、輸出頻率任何振蕩器基本的屬性都是它生成的頻率。根據(jù)定義，振蕩器是接受輸入電壓(通常為直流電壓)并在某一頻率下產(chǎn)生重復(fù)交流輸出的器件。所需的頻率由系統(tǒng)類型和如何使用該振蕩器所決定。一些應(yīng)用需要kHz范圍內(nèi)的低頻晶體。一個常見的例子是32.768kHz手(鐘)表晶體。但是大多數(shù)當(dāng)前的應(yīng)用需要更高頻率的晶體，范圍從小于10MHz到大于100MHz。2、頻率穩(wěn)定性和溫度范圍所需的頻率穩(wěn)定性由系統(tǒng)要求確定。振蕩器的穩(wěn)定性可簡單地表述為：由于某些原因引起的頻率變化除以中心頻率。（即：穩(wěn)定性=頻率變化÷中心頻率）全球晶振市場中諧振器銷售額相當(dāng)高，MHz諧振器出貨量相當(dāng)高。天津有源晶振因為5404的電壓反...

有一些電子設(shè)備需要頻率高度穩(wěn)定的交流信號，而LC振蕩器穩(wěn)定性較差，頻率容易漂移（即產(chǎn)生的交流信號頻率容易變化）。在振蕩器中采用一個特殊的元件——石英晶體，可以產(chǎn)生高度穩(wěn)定的信號，這種采用石英晶體的振蕩器稱為晶體振蕩器。電子元器件的小型化趨勢，有力促進了當(dāng)下社會的發(fā)展進步，電子元器件越小，為主板節(jié)約的空間越大，因此，有人異想天開，如果能將晶振電路封裝到IC芯片(如時鐘芯片)內(nèi)部將是多么wan美，就如同有源晶振在無源晶振的基礎(chǔ)內(nèi)置振動芯片，就無需外部的電容電阻等元器件了。但實際出于各種原因，晶振并沒有內(nèi)置到IC芯片中。這究竟是為什么呢？原因1、早些年，芯片的生產(chǎn)制作工藝也許還不能夠?qū)⒕д褡鲞M芯片內(nèi)...

簡單晶體振蕩器(XO)這是很基本的類型，其穩(wěn)定度完全由晶體諧振器本身的固有特性決定。在MHz范圍內(nèi)的較高頻率晶體由石英棒制成，其制造方式是即使環(huán)境溫度在-55℃至+125℃(-67°F至+257°F)之間變化，也可提供相對穩(wěn)定的頻率。即使在這么寬的溫度范圍內(nèi)，適當(dāng)切割的石英晶體也可實現(xiàn)±25ppm的穩(wěn)定度。與諸如隨溫度變化可達1%(10,000ppm)或更高的LC振蕩電路等其它被動諧振器相較，晶體振蕩器的性能已大幅提升了。但對于某些應(yīng)用來說，即使25ppm也不夠好，因此必須采用額外措施。晶體通過壓電效應(yīng)產(chǎn)生特定頻率信號。福建晶振頻率中國臺灣地區(qū)廠商近年來發(fā)展迅速，產(chǎn)品更新速度快，2017年已經(jīng)...

晶振市場格局：日本領(lǐng)航，中國追趕全球石英晶體元器件廠家主要在日本、美國、中國臺灣地區(qū)及中國大陸。美國廠商主要針對美國國內(nèi)及部分專項市場，供求渠道較為穩(wěn)定，產(chǎn)品單位價值較高。日本是國際石英晶體諧振器傳統(tǒng)制造強國。隨著電子信息行業(yè)的飛速發(fā)展和智能應(yīng)用領(lǐng)域的多元化，日本廠商進一步加大了技術(shù)及設(shè)備的升級速度，在中高應(yīng)用領(lǐng)域?qū)嵭辛伺潘缘南鄬夹g(shù)壟斷，具備較強的規(guī)模效應(yīng)和技術(shù)優(yōu)勢。2013年以后，日本廠商受到原材料和人力資源成本上升，以及全球范圍內(nèi)其他區(qū)域如中國臺灣、中國大陸等廠商產(chǎn)能擴張等因素的影響，市場份額出現(xiàn)較大幅度下滑。日本廠商將中低端業(yè)務(wù)逐步轉(zhuǎn)移至中國，市場份額占比已經(jīng)由2011年的59.3%...

AT切型晶振缺陷：傳統(tǒng)機械加工難以滿足嚴(yán)格的公差要求。AT切割是目前使用量較大的石英晶體類型之一，常用于高頻晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm，加工難度大幅增加。大規(guī)模生產(chǎn)小型晶體時，需要將公差控制在2um以內(nèi)，而傳統(tǒng)機械加工難以滿足嚴(yán)格的公差要求。超高頻晶振缺陷：多次倍頻導(dǎo)致相噪損失嚴(yán)重。晶振工作頻率通常與晶片厚度成反比，傳統(tǒng)機械加工適合的頻率范圍為1-40MHz（對應(yīng)晶片厚度0.04mm）。以傳統(tǒng)方式生產(chǎn)百MHz晶振需要將晶片加工至超薄，從而導(dǎo)致出現(xiàn)穩(wěn)定性差及易破損的缺點。因此，生產(chǎn)百兆赫茲高頻晶振通常采用10MHz成熟產(chǎn)品作為基準(zhǔn)頻率源，并經(jīng)過多次倍頻獲得所需信號。但這樣...

負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。晶振旁的電阻(并聯(lián)與串聯(lián))一份電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網(wǎng)絡(luò)提供另...

晶體，相當(dāng)于三點式里面的電感，C1和C2就是電容，5404和R1實現(xiàn)一個NPN的三極管，大家可以對照高頻書里的三點式電容振蕩電路。接下來分析一下這個電路。5404必需要一個電阻，不然它處于飽和截止區(qū)，而不是放大區(qū)，R1相當(dāng)于三極管的偏置作用，讓5404處于放大區(qū)域，那么5404就是一個反相器，這個就實現(xiàn)了NPN三極管的作用，NPN三極管在共發(fā)射極接法時也是一個反相器。接下來用通俗的方法講解一下這個三點式振蕩電路的工作原理，大家也可以直接看書。大家知道一個正弦振蕩電路要振蕩的條件是，系統(tǒng)放大倍數(shù)大于1，這個容易實現(xiàn)，相位滿足360°，接下來主要講解這個相位問題：5404因為是反相器，也就是說實現(xiàn)...

負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。晶振旁的電阻(并聯(lián)與串聯(lián))一份電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網(wǎng)絡(luò)提供另...

根據(jù)草根調(diào)研及互聯(lián)網(wǎng)公開資料進行整理，我們以單部低端3G手機的晶振需求為3顆、4G智能機晶振需求為6顆、5G手機晶振需求為8顆計算，得出2022年國內(nèi)手機廠商晶振總需求為35.2億顆，市場規(guī)模約23.85億元。國內(nèi)微型計算機市場產(chǎn)能旺盛，支撐著上游晶體諧振器產(chǎn)業(yè)發(fā)展。根據(jù)國家統(tǒng)計局?jǐn)?shù)據(jù)，2018年我國電子計算機產(chǎn)量為3.52億臺，微型計算機產(chǎn)量為3.07億臺。電子計算機繼續(xù)保持較高的出貨量，對頻率元件需求旺盛。根據(jù)公開資料及市場調(diào)研得知，電腦主板中包含頻率為14.318MHz的時鐘晶振和頻率為32.768KHz的實時晶振,另外顯示器、攝像頭、藍牙、無線WIFI、聲卡、硬盤、鍵盤各連接一顆高頻晶...

如今的電子科技時代，我們已離不開生活中的智能產(chǎn)品，尤其是手機，在這個移動支付的快節(jié)奏城市，也許你可以試試三天沒有手機的生活，恐怕會有諸多不便。而手機卻依賴它，一顆比米粒還要小的晶振，決定了整塊電路板的“生死”。如果它不運作，整個系統(tǒng)就會癱瘓，在行業(yè)中被人們堪比為電路板的心臟。晶振是各板卡的“心跳”發(fā)生器，選擇好的晶振，保障線路板的經(jīng)久耐用性。然而難免會碰到晶振停振的問題。晶振的作用就是向顯卡、網(wǎng)卡、主板等配件的各部分提供基準(zhǔn)頻率，它是時鐘電路中很重要的部件。晶振就像個標(biāo)尺，工作頻率不穩(wěn)定會造成相關(guān)設(shè)備工作頻率不穩(wěn)定，自然容易出現(xiàn)問題。在實際應(yīng)用中，遇到晶振停振，要結(jié)合實際情況和產(chǎn)品規(guī)格。全球晶...

溫度補償晶體振蕩器(TCXO)如果固有頻率與石英晶體的溫度穩(wěn)定度無法滿足應(yīng)用要求，就可以采用溫度補償單元。TCXO使用溫度感測元件以及產(chǎn)生電壓曲線的電路，在整個溫度范圍內(nèi)，該電壓曲線與晶體的頻率變化趨勢完全相反，所以可理想地抵消晶體的漂移。根據(jù)TCXO的類型和溫度范圍，TCXO的典型穩(wěn)定度規(guī)范范圍為小于±0.5ppm至±5ppm。壓控晶體振蕩器(VCXO)在一些應(yīng)用中，期望能夠調(diào)諧或調(diào)整振蕩器的頻率，以便將其鎖相到鎖相環(huán)(PLL)中的參考，或可能用于調(diào)節(jié)波形。VCXO透過電子頻率控制(EFC)電壓輸入，提供了這項功能。對于某些特定元件，VCXO的調(diào)諧范圍規(guī)格可能在±10ppm到±100ppm(...

晶振與匹配電容的經(jīng)驗總結(jié)，匹配電容-----負載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負載電容了。2、負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件，也是一個使用條件。應(yīng)用時一般在給出負載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。3、一般情況下，增大負載電容會使振蕩頻率下降，而減小負載電容會使振蕩頻率升高。晶振旁的電阻(并聯(lián)與串聯(lián))。湖北晶振的測量電子制造行業(yè)市場規(guī)模巨...

移動終端：預(yù)計2022年國內(nèi)手機廠商對晶振需求量達35.2億顆5G帶動新一波換機需求。IDC預(yù)測，2019年全球手機出貨量為13.7億部（2019年出貨預(yù)計同比減少2.2%），而國內(nèi)手機市場占據(jù)約30%的份額。根據(jù)中國信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年國內(nèi)手機市場總體出貨量為3.89億部，同比下降6.2%。雖然目前國內(nèi)手機行業(yè)已呈現(xiàn)飽和狀態(tài)，但2020年5G商用將帶動新一波換機需求，國內(nèi)智能手機市場有望回暖。個手機配置的晶振數(shù)量及價值不斷提升。（1）按鍵手機中石英晶振需2-3顆，分別為32.768KHZ圓柱直插晶振、49S晶振和一款5032（5.0*3.2mm）貼片晶振；（2）4G智能手機則需配置約5...

如今的電子科技時代，我們已離不開生活中的智能產(chǎn)品，尤其是手機，在這個移動支付的快節(jié)奏城市，也許你可以試試三天沒有手機的生活，恐怕會有諸多不便。而手機卻依賴它，一顆比米粒還要小的晶振，決定了整塊電路板的“生死”。如果它不運作，整個系統(tǒng)就會癱瘓，在行業(yè)中被人們堪比為電路板的心臟。晶振是各板卡的“心跳”發(fā)生器，選擇好的晶振，保障線路板的經(jīng)久耐用性。然而難免會碰到晶振停振的問題。晶振的作用就是向顯卡、網(wǎng)卡、主板等配件的各部分提供基準(zhǔn)頻率，它是時鐘電路中很重要的部件。晶振就像個標(biāo)尺，工作頻率不穩(wěn)定會造成相關(guān)設(shè)備工作頻率不穩(wěn)定，自然容易出現(xiàn)問題。在實際應(yīng)用中，遇到晶振停振，要結(jié)合實際情況和產(chǎn)品規(guī)格。國產(chǎn)高...

既然晶體兩端非常敏感，不便于接上探頭測量，那可以換一種思路，在其他地方測量該信號。某些時鐘芯片帶clockout功能，此功能是buffer晶體的信號，其管腳的輸出是有很強大的驅(qū)動能力的，因此可以直接使用探頭測量。晶體發(fā)出的時鐘輸入到處理器中，可以使用計時器對此信號作分頻處理，然后將分頻后的信號輸出到管腳。這樣我們只需測量分頻后的信號，即可計算出原有時鐘的頻率。這種間接測試的方法，只能測試晶體的頻率，不能測量晶體輸出信號的幅度。若能在設(shè)備的工況范圍都測試其頻率的準(zhǔn)確性，那晶體電路的工作就是OK的。高基頻晶振價格較普通晶振大幅增長，有望迎來量價齊升。江西內(nèi)部晶振若徹底損壞，可將其拆下，與正常同型號...

設(shè)計考慮事項：1、使晶振、外部電容器(如果有)與IC之間的信號線盡可能保持短。當(dāng)非常低的電流通過IC晶振振蕩器時，如果線路太長，會使它對EMC、ESD與串?dāng)_產(chǎn)生非常敏感的影響。而且長線路還會給振蕩器增加寄生電容。2、盡可能將其它時鐘線路與頻繁切換的信號線路布置在遠離晶振連接的位置。3、當(dāng)心晶振和地的走線4、將晶振外殼接地如果實際的負載電容配置不當(dāng)，會引起線路參考頻率的誤差。另外如在發(fā)射接收電路上會使晶振的振蕩幅度下降(不在峰點)，影響混頻信號的信號強度與信噪。當(dāng)波形出現(xiàn)削峰，畸變時，可增加負載電阻調(diào)整(幾十K到幾百K).要穩(wěn)定波形是并聯(lián)一個1M左右的反饋電阻。5G建設(shè)推動晶振高頻化趨勢。福建音...

在一般情況下，晶片機械振動的振幅和交變電場的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當(dāng)晶體不振動時，可把它看成一個平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時，機械振動的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動時因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數(shù)值約為100歐。由于晶片的等效電感很大...

為什么晶振的頻率是32.768kHz？振蕩電路用于實時時鐘RTC，對于這種振蕩電路只能用32.768KHZ的晶體，晶體被連接在OSC3與OSC4之間而且為了獲得穩(wěn)定的頻率必須外加兩個帶外部電阻的電容以構(gòu)成振蕩電路。32.768KHZ的時鐘晶振產(chǎn)生的振蕩信號經(jīng)過石英鐘內(nèi)部分頻器進行15次分頻后得到1HZ秒信號，即秒針每秒鐘走一下，石英鐘內(nèi)部分頻器只能進行15次分頻，要是換成別的頻率的晶振，15次分頻后就不是1HZ的秒信號，時鐘就不準(zhǔn)了。32.768K=32768=2的15次方，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換比較方便、精確。絕大多數(shù)的MCU愛好者對MCU晶體兩邊要接一個22pF附近的電容不理解，因為這個電容有些時候是可...

計算機的計時器通常是一個精密加工過的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個寄存器與每個石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個計數(shù)器和一個保持寄存器。石英晶體的每次振蕩使計數(shù)器減1。當(dāng)計數(shù)器減為0時，產(chǎn)生一個中斷，計數(shù)器從保持寄存器中重新裝入初始值。這種方法使得對一個計時器進行編程，令其每秒產(chǎn)生60次中斷（或者以任何其它希望的頻率產(chǎn)生中斷）成為可能。每次中斷稱為一個時鐘嘀嗒。晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個網(wǎng)絡(luò)有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身...

因為5404的電壓反饋是靠C2的，假設(shè)C2過大，反饋電壓過低，這個也是不穩(wěn)定，假設(shè)C2過小，反饋電壓過高，儲存能量過少，容易受外界干擾，也會輻射影響外界。C1的作用對C2恰好相反。因為我們布板的時候，假設(shè)雙面板，比較厚的，那么分布電容的影響不是很大，假設(shè)在高密度多層板時，就需要考慮分布電容。有些用于工控的項目，建議不要用無源晶振的方法來起振，而是直接接有源晶振。也是主要由于無源晶振需要起振的原因，而工控項目要求穩(wěn)定性要好，所以會直接用有源晶振。在有頻率越高的頻率的晶振，穩(wěn)定度不高，所以在速度要求不高的情況下會使用頻率較低的晶振。全球石英晶振需求量逐年上升。安徽音叉晶振時鐘電路和晶體下鋪地將提供...

簡單晶體振蕩器(XO)這是很基本的類型，其穩(wěn)定度完全由晶體諧振器本身的固有特性決定。在MHz范圍內(nèi)的較高頻率晶體由石英棒制成，其制造方式是即使環(huán)境溫度在-55℃至+125℃(-67°F至+257°F)之間變化，也可提供相對穩(wěn)定的頻率。即使在這么寬的溫度范圍內(nèi)，適當(dāng)切割的石英晶體也可實現(xiàn)±25ppm的穩(wěn)定度。與諸如隨溫度變化可達1%(10,000ppm)或更高的LC振蕩電路等其它被動諧振器相較，晶體振蕩器的性能已大幅提升了。但對于某些應(yīng)用來說，即使25ppm也不夠好，因此必須采用額外措施。振蕩器直接應(yīng)用于電路中，諧振器工作時一般需要提供3.3V電壓來維持工作。吉林晶振12m計算機的計時器通常是一...

有些時候C1，C2不焊也能起振，這個不是說沒有C1，C2，而是因為芯片引腳的分布電容引起的，因為本來這個C1，C2就不需要很大，所以這一點很重要。接下來分析這兩個電容對振蕩穩(wěn)定性的影響。因為7404的電壓反饋是靠C2的，假設(shè)C2過大，反饋電壓過低，這個也是不穩(wěn)定，假設(shè)C2過小，反饋電壓過高，儲存能量過少，容易受外界干擾，也會輻射影響外界。C1的作用對C2恰好相反。因為我們布板的時候，假設(shè)雙面板，比較厚的，那么分布電容的影響不是很大，假設(shè)在高密度多層板時，就需要考慮分布電容，尤其是VCO之類的振蕩電路，更應(yīng)該考慮分布電容。有些用于工控的項目，建議不要用晶體的方法振蕩，二是直接接一個有源的晶振很多...

石英鐘走時準(zhǔn)、耗電省、經(jīng)久耐用為其很大優(yōu)點。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為重要電路，其頻率精度決定了電子鐘表的走時精度。從石英晶體振蕩器原理的示意圖中，其中V1和V2構(gòu)成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調(diào)電容C2構(gòu)成振蕩系統(tǒng)，這里石英晶體相當(dāng)于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩(wěn)定電阻，它們都集成在電路內(nèi)部。故無法通過改變C1或C2的數(shù)值來調(diào)整走時精度。但此時我們?nèi)钥捎眉咏右恢浑娙軨有方法，來改變振蕩系統(tǒng)參數(shù)，以調(diào)整走時精度。根據(jù)電子鐘表走時的快慢，調(diào)整電容有兩種接法：若走時偏快，則可在石...

封裝尺寸和外形基于振蕩器類型和規(guī)格，對晶振封裝的要求將大相徑庭。簡單的時鐘振蕩器和一些TCXO可以裝在小到1.2×2.5mm2的封裝中；而一些OCXO可以大到50×50mm2，對某些特定設(shè)計，甚至可更大。雖然一些通孔封裝如雙列直插式4或14引腳類型仍然用于較大的部件(如OCXO或特定用TCXO)，但大多數(shù)當(dāng)前設(shè)計使用表貼封裝。這些表貼配置可以是密封的陶瓷封裝，或基于FR-4的、具有用于I/O的建構(gòu)的組件。6、總結(jié)器件選型時一般都要留出一些余量，以保證產(chǎn)品的可靠性。選用較前端的器件可以進一步降低失效概率，帶來潛在的效益，這一點在比較產(chǎn)品價格的時候也要考慮到。要使振蕩器的“整體性能”趨于平衡、合理...

石英鐘走時準(zhǔn)、耗電省、經(jīng)久耐用為其很大優(yōu)點。不論是老式石英鐘或是新式多功能石英鐘都是以石英晶體振蕩器為重要電路，其頻率精度決定了電子鐘表的走時精度。從石英晶體振蕩器原理的示意圖中，其中V1和V2構(gòu)成CMOS反相器石英晶體Q與振蕩電容C1及微調(diào)電容C2構(gòu)成振蕩系統(tǒng)，這里石英晶體相當(dāng)于電感。振蕩系統(tǒng)的元件參數(shù)確定了振頻率。一般Q、C1及C2均為外接元件。另外R1為反饋電阻，R2為振蕩的穩(wěn)定電阻，它們都集成在電路內(nèi)部。故無法通過改變C1或C2的數(shù)值來調(diào)整走時精度。但此時我們?nèi)钥捎眉咏右恢浑娙軨有方法，來改變振蕩系統(tǒng)參數(shù)，以調(diào)整走時精度。根據(jù)電子鐘表走時的快慢，調(diào)整電容有兩種接法：若走時偏快，則可在石...

MEMS技術(shù)用于超小型音叉晶體，使體積壓縮至原有產(chǎn)品1/10音叉諧振器包括底部和從底部延伸的兩個振動臂，在兩個振動臂上鍍有激勵電極（紅色部分）。該常規(guī)結(jié)構(gòu)的晶片微型化后，激勵電極面積將隨之減小，不利于起振。MEMS技術(shù)通過對振動片進行三維立體加工形成H型槽的構(gòu)造，既確保了電極的面積，又提高了電解效率。MEMS技術(shù)有效推動晶體諧振器小型化發(fā)展，光刻加工下的晶振體積縮小至18.8mm3小型音叉型晶體器件，體積為原有產(chǎn)品1/10以下（3）MEMS技術(shù)用于AT型晶體/AT振蕩器，將尺寸公差保持在1um以內(nèi)利用MEMS技術(shù)的光刻加工可以提升石英晶體芯片的一致性與穩(wěn)定性，光蝕刻工藝能夠?qū)⒊叽绻畋３衷?u...

晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，一般在M歐級，輸出端的電阻與負載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅(qū)動，損壞晶振。和晶振串聯(lián)的電阻常用來預(yù)防晶振被過分驅(qū)動。晶振過分驅(qū)動的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導(dǎo)致晶振的早期失效，又可以講drivelevel調(diào)整用。用來調(diào)整drivelevel和發(fā)振余裕度。Xin和Xout的內(nèi)部一般是一個施密特反相器，反相器是不能驅(qū)動晶體震蕩的.因此，在反相器的兩端并聯(lián)一個電阻，由電阻完成將輸出的信號反向180度反饋到輸入端形成負反饋，構(gòu)成負反饋放大電路.晶體并在...

封裝尺寸和外形基于振蕩器類型和規(guī)格，對晶振封裝的要求將大相徑庭。簡單的時鐘振蕩器和一些TCXO可以裝在小到1.2×2.5mm2的封裝中；而一些OCXO可以大到50×50mm2，對某些特定設(shè)計，甚至可更大。雖然一些通孔封裝如雙列直插式4或14引腳類型仍然用于較大的部件(如OCXO或特定用TCXO)，但大多數(shù)當(dāng)前設(shè)計使用表貼封裝。這些表貼配置可以是密封的陶瓷封裝，或基于FR-4的、具有用于I/O的建構(gòu)的組件。6、總結(jié)器件選型時一般都要留出一些余量，以保證產(chǎn)品的可靠性。選用較前端的器件可以進一步降低失效概率，帶來潛在的效益，這一點在比較產(chǎn)品價格的時候也要考慮到。要使振蕩器的“整體性能”趨于平衡、合理...

既然晶體兩端非常敏感，不便于接上探頭測量，那可以換一種思路，在其他地方測量該信號。某些時鐘芯片帶clockout功能，此功能是buffer晶體的信號，其管腳的輸出是有很強大的驅(qū)動能力的，因此可以直接使用探頭測量。晶體發(fā)出的時鐘輸入到處理器中，可以使用計時器對此信號作分頻處理，然后將分頻后的信號輸出到管腳。這樣我們只需測量分頻后的信號，即可計算出原有時鐘的頻率。這種間接測試的方法，只能測試晶體的頻率，不能測量晶體輸出信號的幅度。若能在設(shè)備的工況范圍都測試其頻率的準(zhǔn)確性，那晶體電路的工作就是OK的。國產(chǎn)廠商以中低端晶振為主，***晶振國產(chǎn)替代需求強烈。江蘇32晶振替代邏輯三：突破光刻技術(shù)，推進小型化...

負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負載電容不一定相同。因為石英晶體振蕩器有兩個諧振頻率，一個是串聯(lián)揩振晶振的低負載電容晶振：另一個為并聯(lián)揩振晶振的高負載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時還必須要求負載電容一至，不能冒然互換，否則會造成電器工作不正常。晶振旁的電阻(并聯(lián)與串聯(lián))一份電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網(wǎng)絡(luò)提供另...