無源晶振產(chǎn)銷量在晶振市場(chǎng)中占較大份額。根據(jù)CS&A數(shù)據(jù)，2018年全球利用石英晶體制成的頻率元件產(chǎn)值為33億美元，其中無源產(chǎn)品產(chǎn)值為18億美元，占比為55.3%。石英晶體頻率元件年銷量180億顆，其中無源產(chǎn)品銷量為164.45億顆，占比為89.3%。根據(jù)壓電晶體行業(yè)協(xié)會(huì)（PCAC）的數(shù)據(jù)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)2016年石英及陶瓷等各類材料制成的無源晶振銷量達(dá)到185.7億顆，其中音叉晶體諧振器、微型SMD高頻晶體諧振器的銷量分別為85.1億只和100.6億只，銷售額分別為14.6億元和49.3億元。全球晶振市場(chǎng)集中于日本、中國(guó)臺(tái)灣、美國(guó)以及中國(guó)大陸。寧夏晶振引腳石英晶體硬度及理化性質(zhì)穩(wěn)定，頻率基本不隨溫度...

計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個(gè)寄存器與每個(gè)石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個(gè)計(jì)數(shù)器和一個(gè)保持寄存器。石英晶體的每次振蕩使計(jì)數(shù)器減1。當(dāng)計(jì)數(shù)器減為0時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)中斷，計(jì)數(shù)器從保持寄存器中重新裝入初始值。這種方法使得對(duì)一個(gè)計(jì)時(shí)器進(jìn)行編程，令其每秒產(chǎn)生60次中斷（或者以任何其它希望的頻率產(chǎn)生中斷）成為可能。每次中斷稱為一個(gè)時(shí)鐘嘀嗒。晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身...

1、輸出頻率任何振蕩器基本的屬性都是它生成的頻率。根據(jù)定義，振蕩器是接受輸入電壓(通常為直流電壓)并在某一頻率下產(chǎn)生重復(fù)交流輸出的器件。所需的頻率由系統(tǒng)類型和如何使用該振蕩器所決定。一些應(yīng)用需要kHz范圍內(nèi)的低頻晶體。一個(gè)常見的例子是32.768kHz手(鐘)表晶體。但是大多數(shù)當(dāng)前的應(yīng)用需要更高頻率的晶體，范圍從小于10MHz到大于100MHz。2、頻率穩(wěn)定性和溫度范圍所需的頻率穩(wěn)定性由系統(tǒng)要求確定。振蕩器的穩(wěn)定性可簡(jiǎn)單地表述為：由于某些原因引起的頻率變化除以中心頻率。（即：穩(wěn)定性=頻率變化÷中心頻率）TCXO 及TSX訂單增長(zhǎng)，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。山東晶振晶體晶振電路中為什么用22pf或30p...

國(guó)產(chǎn)企業(yè)光刻技術(shù)已取得突破。泰晶科技從2011年開始布局光刻工藝研發(fā)，2014年組建了國(guó)內(nèi)同行業(yè)很早一家微納米晶體加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，以激光調(diào)頻和光刻技術(shù)為基礎(chǔ)，加強(qiáng)MEMS技術(shù)在晶體諧振器產(chǎn)品的應(yīng)用。目前公司已經(jīng)取得了微型晶體諧振器生產(chǎn)的重要技術(shù)研究成果，成功使用雙面光刻工藝，將超過3000顆的“1610”型號(hào)晶體諧振器集成至3寸的WAFER片上。微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的有效應(yīng)用為石英晶體的加工提供了技術(shù)借鑒和啟發(fā)。MEMS技術(shù)利用IC加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)微納米尺度加工，在加工精度、加工手段、EDA(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))等方面具有先天優(yōu)勢(shì)，因此石英晶體技術(shù)與MEMS技術(shù)的結(jié)合成為必然趨勢(shì)。移動(dòng)終...

AT切型晶振缺陷：傳統(tǒng)機(jī)械加工難以滿足嚴(yán)格的公差要求。AT切割是目前使用量較大的石英晶體類型之一，常用于高頻晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm，加工難度大幅增加。大規(guī)模生產(chǎn)小型晶體時(shí)，需要將公差控制在2um以內(nèi)，而傳統(tǒng)機(jī)械加工難以滿足嚴(yán)格的公差要求。超高頻晶振缺陷：多次倍頻導(dǎo)致相噪損失嚴(yán)重。晶振工作頻率通常與晶片厚度成反比，傳統(tǒng)機(jī)械加工適合的頻率范圍為1-40MHz（對(duì)應(yīng)晶片厚度0.04mm）。以傳統(tǒng)方式生產(chǎn)百M(fèi)Hz晶振需要將晶片加工至超薄，從而導(dǎo)致出現(xiàn)穩(wěn)定性差及易破損的缺點(diǎn)。因此，生產(chǎn)百兆赫茲高頻晶振通常采用10MHz成熟產(chǎn)品作為基準(zhǔn)頻率源，并經(jīng)過多次倍頻獲得所需信號(hào)。但這樣...

無源晶振，準(zhǔn)確來說應(yīng)叫Crystal（晶體），有源晶振則叫Oscillator（振蕩器）。無源晶振是在石英晶片的兩端鍍上電極而成，其兩管腳是無極性的。無源晶振自身無法震蕩，在工作時(shí)需要搭配外圍電路。在一定條件下，石英晶片會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)：晶片兩端的電場(chǎng)與機(jī)械形變會(huì)互相轉(zhuǎn)化。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率相等時(shí)，晶體產(chǎn)生的振動(dòng)和電場(chǎng)強(qiáng)度比較大，這稱為壓電諧振，類似與LC回路的諧振。由于晶體為無源器件，其對(duì)外圍電路的參數(shù)較為敏感，尤其為負(fù)載電容。根據(jù)晶體的手冊(cè)，我們得知測(cè)試電路中有推薦電容，此電容對(duì)晶體是否起振大有關(guān)聯(lián)內(nèi)部振蕩器、無源晶振、有源晶振有什么區(qū)別？云南晶振的測(cè)試恒溫控制晶體振蕩器(...

計(jì)算機(jī)的計(jì)時(shí)器通常是一個(gè)精密加工過的石英晶體，石英晶體在其張力限度內(nèi)以一定的頻率振蕩，這種頻率取決于晶體本身如何切割及其受到張力的大小。有兩個(gè)寄存器與每個(gè)石英晶體相關(guān)聯(lián)，一個(gè)計(jì)數(shù)器和一個(gè)保持寄存器。石英晶體的每次振蕩使計(jì)數(shù)器減1。當(dāng)計(jì)數(shù)器減為0時(shí)，產(chǎn)生一個(gè)中斷，計(jì)數(shù)器從保持寄存器中重新裝入初始值。這種方法使得對(duì)一個(gè)計(jì)時(shí)器進(jìn)行編程，令其每秒產(chǎn)生60次中斷（或者以任何其它希望的頻率產(chǎn)生中斷）成為可能。每次中斷稱為一個(gè)時(shí)鐘嘀嗒。晶振在電氣上可以等效成一個(gè)電容和一個(gè)電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個(gè)電容的二端網(wǎng)絡(luò)，電工學(xué)上這個(gè)網(wǎng)絡(luò)有兩個(gè)諧振點(diǎn)，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身...

晶振與匹配電容的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)，匹配電容-----負(fù)載電容是指晶振要正常震蕩所需要的電容。一般外接電容，是為了使晶振兩端的等效電容等于或接近負(fù)載電容。要求高的場(chǎng)合還要考慮ic輸入端的對(duì)地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負(fù)載電容的兩倍。這樣并聯(lián)起來就接近負(fù)載電容了。2、負(fù)載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個(gè)測(cè)試條件，也是一個(gè)使用條件。應(yīng)用時(shí)一般在給出負(fù)載電容值附近調(diào)整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負(fù)載諧振頻率和等效負(fù)載諧振電阻。3、一般情況下，增大負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率下降，而減小負(fù)載電容會(huì)使振蕩頻率升高。行業(yè)觀察|晶振部分產(chǎn)品價(jià)格翻番。貴州圓柱晶振AT切型晶振缺陷：傳...

晶振兩端第地接有兩個(gè)電容，穩(wěn)定電路，又些說是負(fù)載電容。這兩個(gè)電容，在有些電路中是一樣,有些電路中是不一樣的，根據(jù)CPU振蕩電路要求而定。根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，如果對(duì)時(shí)間要求不是很高的話，這個(gè)電容20PF左都可以。圖右：仔細(xì)看比左圖多了兩個(gè)電阻，這個(gè)電阻自然有它的用途。1M的電阻是起負(fù)反饋?zhàn)饔茫拐袷庪娐房煽抗ぷ鳌Ｓ械腃PU內(nèi)部集成有這個(gè)電阻，可以不用外接。51歐電阻呢？晶振能產(chǎn)生穩(wěn)定的頻率這是的優(yōu)點(diǎn)，但是也是強(qiáng)的干擾的信號(hào)源，向外輻射電磁波，振動(dòng)越強(qiáng)，輻射越強(qiáng)。合格的產(chǎn)品一定會(huì)經(jīng)過EMC測(cè)試，輻射強(qiáng)度超過。EMC許可的范圍怎么辦呢？就要想法把信號(hào)強(qiáng)度降下來，這就要串入一個(gè)電阻降低信號(hào)強(qiáng)度,電阻大小依據(jù)電路...

因?yàn)?404的電壓反饋是靠C2的，假設(shè)C2過大，反饋電壓過低，這個(gè)也是不穩(wěn)定，假設(shè)C2過小，反饋電壓過高，儲(chǔ)存能量過少，容易受外界干擾，也會(huì)輻射影響外界。C1的作用對(duì)C2恰好相反。因?yàn)槲覀儾及宓臅r(shí)候，假設(shè)雙面板，比較厚的，那么分布電容的影響不是很大，假設(shè)在高密度多層板時(shí)，就需要考慮分布電容。有些用于工控的項(xiàng)目，建議不要用無源晶振的方法來起振，而是直接接有源晶振。也是主要由于無源晶振需要起振的原因，而工控項(xiàng)目要求穩(wěn)定性要好，所以會(huì)直接用有源晶振。在有頻率越高的頻率的晶振，穩(wěn)定度不高，所以在速度要求不高的情況下會(huì)使用頻率較低的晶振。行業(yè)觀察|晶振部分產(chǎn)品價(jià)格翻番。云南車規(guī)晶振晶振輸入輸出連接的電阻...

國(guó)產(chǎn)企業(yè)光刻技術(shù)已取得突破。泰晶科技從2011年開始布局光刻工藝研發(fā)，2014年組建了國(guó)內(nèi)同行業(yè)很早一家微納米晶體加工技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，以激光調(diào)頻和光刻技術(shù)為基礎(chǔ)，加強(qiáng)MEMS技術(shù)在晶體諧振器產(chǎn)品的應(yīng)用。目前公司已經(jīng)取得了微型晶體諧振器生產(chǎn)的重要技術(shù)研究成果，成功使用雙面光刻工藝，將超過3000顆的“1610”型號(hào)晶體諧振器集成至3寸的WAFER片上。微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）技術(shù)的有效應(yīng)用為石英晶體的加工提供了技術(shù)借鑒和啟發(fā)。MEMS技術(shù)利用IC加工技術(shù)實(shí)現(xiàn)微納米尺度加工，在加工精度、加工手段、EDA(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))等方面具有先天優(yōu)勢(shì)，因此石英晶體技術(shù)與MEMS技術(shù)的結(jié)合成為必然趨勢(shì)。石英晶...

剛學(xué)單片機(jī)的學(xué)長(zhǎng)告訴我單片機(jī)的晶振電路中就是用22pf或30pf的電容就行，聽人勸吃飽飯吧，照著焊電路一切ok，從沒想過為什么，知其所以然而不知其為什么所以然，真是悲哀，這些天狀態(tài)好像一直不太好，也難以說清楚為什么，前幾天跟著老師去別的實(shí)驗(yàn)室聽課，其實(shí)也就是聽一聽老師和師傅給別的實(shí)驗(yàn)室的同學(xué)講嵌入式的種種，還有就是那天師傅單獨(dú)和談了挺長(zhǎng)時(shí)間，我從心底感謝他們，他們讓我懂得反思，調(diào)整，我對(duì)自己持有怎么的學(xué)習(xí)態(tài)度和應(yīng)該如何付諸于行動(dòng)有了新的理解，這遠(yuǎn)比單純的交給我一些知識(shí)要好很多。說起這個(gè)小知識(shí)點(diǎn)本人還有這么個(gè)經(jīng)歷和大家一塊分享一下吧。話說我曾經(jīng)幫一女生做東西，其實(shí)超級(jí)簡(jiǎn)單就是個(gè)ATMEGAL16...

下游應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，晶振市場(chǎng)回暖物聯(lián)網(wǎng)經(jīng)過多年的醞釀，隨著5G技術(shù)商業(yè)化的臨近，物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品的大規(guī)模應(yīng)用也近在眼前。有市場(chǎng)便會(huì)有需求，隨著物聯(lián)網(wǎng)范圍的不斷擴(kuò)大，伴隨著物聯(lián)網(wǎng)而生的NB-IoT技術(shù)自然受到眾廠商的矚目，更何況該技術(shù)還準(zhǔn)備，預(yù)防可能出現(xiàn)的風(fēng)險(xiǎn)。1.全球石英晶振需求量逐年上升目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)的國(guó)際地位不斷穩(wěn)固和提高。《中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)統(tǒng)計(jì)年鑒》數(shù)據(jù)顯示，2018年我國(guó)電子信息行業(yè)銷售收入為169027億元，其中電子制造業(yè)收入規(guī)模達(dá)到105966億元，出口金額為58931億元，進(jìn)口金額為41898億元，市場(chǎng)規(guī)模（收入+進(jìn)口-出口）為88933億元。盡管2018年全球貿(mào)易局勢(shì)錯(cuò)綜復(fù)雜，消費(fèi)...

在一般情況下，晶片機(jī)械振動(dòng)的振幅和交變電場(chǎng)的振幅非常微小，但當(dāng)外加交變電壓的頻率為某一特定值時(shí)，振幅明顯加大，比其他頻率下的振幅大得多，這種現(xiàn)象稱為壓電諧振，它與LC回路的諧振現(xiàn)象十分相似。它的諧振頻率與晶片的切割方式、幾何形狀、尺寸等有關(guān)。當(dāng)晶體不振動(dòng)時(shí)，可把它看成一個(gè)平板電容器稱為靜電電容C，它的大小與晶片的幾何尺寸、電極面積有關(guān)，一般約幾個(gè)皮法到幾十皮法。當(dāng)晶體振蕩時(shí)，機(jī)械振動(dòng)的慣性可用電感L來等效。一般L的值為幾十豪亨到幾百豪亨。晶片的彈性可用電容C來等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振動(dòng)時(shí)因摩擦而造成的損耗用R來等效，它的數(shù)值約為100歐。由于晶片的等效電感很大...

剛學(xué)單片機(jī)的學(xué)長(zhǎng)告訴我單片機(jī)的晶振電路中就是用22pf或30pf的電容就行，聽人勸吃飽飯吧，照著焊電路一切ok，從沒想過為什么，知其所以然而不知其為什么所以然，真是悲哀，這些天狀態(tài)好像一直不太好，也難以說清楚為什么，前幾天跟著老師去別的實(shí)驗(yàn)室聽課，其實(shí)也就是聽一聽老師和師傅給別的實(shí)驗(yàn)室的同學(xué)講嵌入式的種種，還有就是那天師傅單獨(dú)和談了挺長(zhǎng)時(shí)間，我從心底感謝他們，他們讓我懂得反思，調(diào)整，我對(duì)自己持有怎么的學(xué)習(xí)態(tài)度和應(yīng)該如何付諸于行動(dòng)有了新的理解，這遠(yuǎn)比單純的交給我一些知識(shí)要好很多。說起這個(gè)小知識(shí)點(diǎn)本人還有這么個(gè)經(jīng)歷和大家一塊分享一下吧。話說我曾經(jīng)幫一女生做東西，其實(shí)超級(jí)簡(jiǎn)單就是個(gè)ATMEGAL16...

時(shí)鐘線一定要走在多層PCB板的內(nèi)層。并且一定要走帶狀線；如果要走在外層，只能走微帶線。2）走在內(nèi)層能保證完整的映像平面，它可以提供一個(gè)低阻抗射頻傳輸路徑，并產(chǎn)生磁通量，以抵消它們的源傳輸線的磁通量，源和返回路徑的距離越近，則消磁就越好。由于增強(qiáng)了消磁能力，高密PCB板的每個(gè)完整平面映像層可提供6-8dB的抑制。3）時(shí)鐘布多層板的好處：有一層或者多層可以專門用于完整的電源和地平面，可以設(shè)計(jì)成好的去藕系統(tǒng)，減小地環(huán)路的面積，降低了差模輻射，減小了EMI，減小了信號(hào)和電源返回路徑的阻抗水平，可以保持全程走線阻抗的一致性，減小了鄰近走線間的串?dāng)_等。你知道晶振ppm代表什么意思嗎？江西恒溫晶振低成本的熱...

替代邏輯三：突破光刻技術(shù)，推進(jìn)小型化、高精度發(fā)展（1）MEMS技術(shù)可解決傳統(tǒng)機(jī)械加工的局限高穩(wěn)定性的晶體元器件晶體單元/晶體振蕩器按照切型主要分為三種：1）kHz級(jí)的晶體單元采用音叉型結(jié)構(gòu)振動(dòng)子；2）MHz級(jí)的晶體單元采用AT型結(jié)構(gòu)振動(dòng)子；3）百M(fèi)Hz超高頻晶體單元采用SAW型振動(dòng)子，溫度特性曲線和音叉型振動(dòng)子類似。隨著下游產(chǎn)品對(duì)晶振抗振性、相位噪聲等、尺寸小型化等參數(shù)要求越來越高，傳統(tǒng)機(jī)械加工的局限性逐漸顯露。音叉型晶振缺陷：?jiǎn)卧叽鐗嚎s后將難于取得良好的振蕩特性。當(dāng)石英振動(dòng)子的尺寸從1.2×1.0mm減小到1.0×0.8mm時(shí)，串聯(lián)電阻值（CI值）會(huì)升高30%左右，也就是說音叉型晶體單元尺...

對(duì)于時(shí)鐘晶體、時(shí)鐘電路，可以采用屏蔽措施進(jìn)行屏蔽處理。若時(shí)鐘外殼為金屬，則PCB設(shè)計(jì)時(shí)一定要在晶體下方鋪銅，并保證此部分與完整的地平面有良好的電氣連接(通過多孔接地)。5）時(shí)鐘晶體下面鋪地的好處：晶體振蕩器內(nèi)部的電路會(huì)產(chǎn)生射頻電流，如果晶體是金屬外殼封裝的，直流電源腳是直流電壓參考和晶體內(nèi)部射頻電流回路參考的依靠，通過地平面釋放外殼被射頻輻射產(chǎn)生的瞬態(tài)電流。總之，金屬外殼是一個(gè)單端天線，很近的映像層、地平面層有時(shí)兩層或者更多層做為射頻電流對(duì)地的輻射耦合作用是足夠的。晶體下鋪地對(duì)散熱也是有好處的。汽車、TWS 和 IoT需求旺 晶振景氣度持續(xù)向好。吉林osc晶振根據(jù)草根調(diào)研及互聯(lián)網(wǎng)公開資料進(jìn)行整...

負(fù)載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和，可看作晶振片在電路中串接電容。負(fù)載頻率不同決定振蕩器的振蕩頻率不同。標(biāo)稱頻率相同的晶振，負(fù)載電容不一定相同。因?yàn)槭⒕w振蕩器有兩個(gè)諧振頻率，一個(gè)是串聯(lián)揩振晶振的低負(fù)載電容晶振：另一個(gè)為并聯(lián)揩振晶振的高負(fù)載電容晶振。所以，標(biāo)稱頻率相同的晶振互換時(shí)還必須要求負(fù)載電容一至，不能冒然互換，否則會(huì)造成電器工作不正常。晶振旁的電阻(并聯(lián)與串聯(lián))一份電路在其輸出端串接了一個(gè)22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個(gè)10M的電阻，這是由于連接晶振的芯片端內(nèi)部是一個(gè)線性運(yùn)算放大器，將輸入進(jìn)行反向180度輸出，晶振處的負(fù)載電容電阻組成的網(wǎng)絡(luò)提供另...

當(dāng)晶體頻率發(fā)生頻率漂移，且超出晶體頻率偏差范圍過多時(shí)，以至于捕捉不到晶體的中心頻率，從而導(dǎo)致芯片不起振。由于芯片本身的厚度很薄，當(dāng)激勵(lì)功率過大時(shí)，會(huì)使內(nèi)部石英芯片破損，導(dǎo)致停振。在檢漏工序中，就是在酒精加壓的環(huán)境下，晶體容易產(chǎn)生碰殼現(xiàn)象，即振動(dòng)時(shí)芯片跟外殼容易相碰，從而晶體容易發(fā)生時(shí)振時(shí)不振或停振。在壓封時(shí)，晶體內(nèi)部要求抽真空充氮?dú)猓绻l(fā)生壓封不良，即晶體的密封性不好時(shí)，在酒精加壓的條件下，其表現(xiàn)為漏氣，稱之為雙漏，也會(huì)導(dǎo)致停振。國(guó)產(chǎn)企業(yè)突破光刻技術(shù)，推進(jìn)晶振產(chǎn)品向小型化、高精度趨勢(shì)發(fā)展。陜西晶振表有些時(shí)候C1，C2不焊也能起振，這個(gè)不是說沒有C1，C2，而是因?yàn)樾酒_的分布電容引起的，因...

晶振的更換判斷出晶振有問題如何更換？首先頻率要相同有沒有誤差呢？同電阻電容一樣也有誤差,一般用PPM，百萬分之一，舉例6Mhz+/-50PPM，頻率范圍在5999700-6000300內(nèi)都是正常的，代換時(shí)如果電路對(duì)時(shí)間要求不是很嚴(yán)格，可以不用考慮這個(gè)問題。第二驅(qū)動(dòng)功率有些IC驅(qū)動(dòng)電壓低，換用驅(qū)動(dòng)功率高的晶體不易起振，有些起振后，幅度過低不穩(wěn)定，比較好換驅(qū)動(dòng)功率低的，容易起振電路穩(wěn)定，之前曾遇到過這樣的問題。有線線路一碰晶振，就停止振蕩，怎么辦？可以嘗試把晶振外殼接地，或換有源晶振。有人會(huì)問無源晶振兩只腳，有源晶振3只或許4只腳如何代換把有源有源晶振信號(hào)輸出腳接CPU振蕩信號(hào)輸入腳，任何事情都有...

TWS、IOT、5G手機(jī)設(shè)備等對(duì)于小型化和高頻晶振產(chǎn)品的需求提升，晶振行業(yè)發(fā)展迎來新機(jī)遇。作為半導(dǎo)體重要基礎(chǔ)原件，應(yīng)用市場(chǎng)很廣，主要應(yīng)用領(lǐng)域在于消費(fèi)電子、移動(dòng)終端、車聯(lián)網(wǎng)、通信設(shè)備等，任何與調(diào)頻相關(guān)的設(shè)備都需要晶振，隨著5G技術(shù)推進(jìn)，設(shè)備對(duì)于藍(lán)牙、wifi、定位、導(dǎo)航等功能的需求提升，小型化和高頻晶振產(chǎn)品需求旺盛。目前，用于傳染病防控的檢測(cè)設(shè)備如紅外測(cè)溫儀、心電儀、血氧飽和儀、血糖儀、血壓計(jì)、遠(yuǎn)程醫(yī)療設(shè)備等各類醫(yī)療器械，都需要用到晶振。傳染病之下，晶振需求急速增加，迎來一波小高峰。無源晶振的輸出頻率如何用示波器測(cè)量？山西外部晶振各種邏輯芯片的晶振引腳可以等效為電容三點(diǎn)式振蕩器。晶振引腳的內(nèi)部通...

晶振輸入輸出連接的電阻作用是產(chǎn)生負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，一般在M歐級(jí)，輸出端的電阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時(shí)起到限流的作用，防止反向器輸出對(duì)晶振過驅(qū)動(dòng)，損壞晶振。和晶振串聯(lián)的電阻常用來預(yù)防晶振被過分驅(qū)動(dòng)。晶振過分驅(qū)動(dòng)的后果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，并導(dǎo)致晶振的早期失效，又可以講drivelevel調(diào)整用。用來調(diào)整drivelevel和發(fā)振余裕度。Xin和Xout的內(nèi)部一般是一個(gè)施密特反相器，反相器是不能驅(qū)動(dòng)晶體震蕩的.因此，在反相器的兩端并聯(lián)一個(gè)電阻，由電阻完成將輸出的信號(hào)反向180度反饋到輸入端形成負(fù)反饋，構(gòu)成負(fù)反饋放大電路.晶體并在...

電子制造行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模巨大，部分電子產(chǎn)品新老更迭迅速，對(duì)晶振需求較大。根據(jù)CS&A預(yù)測(cè)，2019全球頻率元件產(chǎn)值為32-34億美元，頻率元件年銷量190-210億顆。晶振主要用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、消費(fèi)類電子、移動(dòng)終端、智慧生活、小型電子、資訊設(shè)備、汽車電子等領(lǐng)域，且不同應(yīng)用領(lǐng)域所需要的晶振數(shù)量不同。比如，大型基站所需的晶振數(shù)量超過10顆，而小型基站需要1顆溫補(bǔ)晶振。消費(fèi)類電子產(chǎn)品所需的晶振數(shù)量大約4-5顆，而工業(yè)設(shè)備、汽車對(duì)晶振的需求則為數(shù)十顆。晶振市場(chǎng)格局：日本在先，中國(guó)追趕。江蘇貼片無源晶振設(shè)計(jì)考慮事項(xiàng)：1、使晶振、外部電容器(如果有)與IC之間的信號(hào)線盡可能保持短。當(dāng)非常低的電流通過IC晶振振蕩器...

為什么晶振的頻率是32.768kHz？振蕩電路用于實(shí)時(shí)時(shí)鐘RTC，對(duì)于這種振蕩電路只能用32.768KHZ的晶體，晶體被連接在OSC3與OSC4之間而且為了獲得穩(wěn)定的頻率必須外加兩個(gè)帶外部電阻的電容以構(gòu)成振蕩電路。32.768KHZ的時(shí)鐘晶振產(chǎn)生的振蕩信號(hào)經(jīng)過石英鐘內(nèi)部分頻器進(jìn)行15次分頻后得到1HZ秒信號(hào)，即秒針每秒鐘走一下，石英鐘內(nèi)部分頻器只能進(jìn)行15次分頻，要是換成別的頻率的晶振，15次分頻后就不是1HZ的秒信號(hào)，時(shí)鐘就不準(zhǔn)了。32.768K=32768=2的15次方，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換比較方便、精確。絕大多數(shù)的MCU愛好者對(duì)MCU晶體兩邊要接一個(gè)22pF附近的電容不理解，因?yàn)檫@個(gè)電容有些時(shí)候是可...

TWS、IOT、5G手機(jī)設(shè)備等對(duì)于小型化和高頻晶振產(chǎn)品的需求提升，晶振行業(yè)發(fā)展迎來新機(jī)遇。作為半導(dǎo)體重要基礎(chǔ)原件，應(yīng)用市場(chǎng)很廣，主要應(yīng)用領(lǐng)域在于消費(fèi)電子、移動(dòng)終端、車聯(lián)網(wǎng)、通信設(shè)備等，任何與調(diào)頻相關(guān)的設(shè)備都需要晶振，隨著5G技術(shù)推進(jìn)，設(shè)備對(duì)于藍(lán)牙、wifi、定位、導(dǎo)航等功能的需求提升，小型化和高頻晶振產(chǎn)品需求旺盛。目前，用于傳染病防控的檢測(cè)設(shè)備如紅外測(cè)溫儀、心電儀、血氧飽和儀、血糖儀、血壓計(jì)、遠(yuǎn)程醫(yī)療設(shè)備等各類醫(yī)療器械，都需要用到晶振。傳染病之下，晶振需求急速增加，迎來一波小高峰。光刻工藝是生產(chǎn)高基頻晶振的關(guān)鍵。廣東晶振的負(fù)載電容石英鐘走時(shí)準(zhǔn)、耗電省、經(jīng)久耐用為其很大優(yōu)點(diǎn)。不論是老式石英鐘或是...

封裝尺寸和外形基于振蕩器類型和規(guī)格，對(duì)晶振封裝的要求將大相徑庭。簡(jiǎn)單的時(shí)鐘振蕩器和一些TCXO可以裝在小到1.2×2.5mm2的封裝中；而一些OCXO可以大到50×50mm2，對(duì)某些特定設(shè)計(jì)，甚至可更大。雖然一些通孔封裝如雙列直插式4或14引腳類型仍然用于較大的部件(如OCXO或特定用TCXO)，但大多數(shù)當(dāng)前設(shè)計(jì)使用表貼封裝。這些表貼配置可以是密封的陶瓷封裝，或基于FR-4的、具有用于I/O的建構(gòu)的組件。6、總結(jié)器件選型時(shí)一般都要留出一些余量，以保證產(chǎn)品的可靠性。選用較前端的器件可以進(jìn)一步降低失效概率，帶來潛在的效益，這一點(diǎn)在比較產(chǎn)品價(jià)格的時(shí)候也要考慮到。要使振蕩器的“整體性能”趨于平衡、合理...

移動(dòng)終端：預(yù)計(jì)2022年國(guó)內(nèi)手機(jī)廠商對(duì)晶振需求量達(dá)35.2億顆5G帶動(dòng)新一波換機(jī)需求。IDC預(yù)測(cè)，2019年全球手機(jī)出貨量為13.7億部（2019年出貨預(yù)計(jì)同比減少2.2%），而國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)占據(jù)約30%的份額。根據(jù)中國(guó)信通院數(shù)據(jù)顯示，2019年國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)總體出貨量為3.89億部，同比下降6.2%。雖然目前國(guó)內(nèi)手機(jī)行業(yè)已呈現(xiàn)飽和狀態(tài)，但2020年5G商用將帶動(dòng)新一波換機(jī)需求，國(guó)內(nèi)智能手機(jī)市場(chǎng)有望回暖。個(gè)手機(jī)配置的晶振數(shù)量及價(jià)值不斷提升。（1）按鍵手機(jī)中石英晶振需2-3顆，分別為32.768KHZ圓柱直插晶振、49S晶振和一款5032（5.0*3.2mm）貼片晶振；（2）4G智能手機(jī)則需配置約5...

AT切型晶振缺陷：傳統(tǒng)機(jī)械加工難以滿足嚴(yán)格的公差要求。AT切割是目前使用量較大的石英晶體類型之一，常用于高頻晶振。典型的超小型胚料尺寸小于3.5*0.63mm，加工難度大幅增加。大規(guī)模生產(chǎn)小型晶體時(shí)，需要將公差控制在2um以內(nèi)，而傳統(tǒng)機(jī)械加工難以滿足嚴(yán)格的公差要求。超高頻晶振缺陷：多次倍頻導(dǎo)致相噪損失嚴(yán)重。晶振工作頻率通常與晶片厚度成反比，傳統(tǒng)機(jī)械加工適合的頻率范圍為1-40MHz（對(duì)應(yīng)晶片厚度0.04mm）。以傳統(tǒng)方式生產(chǎn)百M(fèi)Hz晶振需要將晶片加工至超薄，從而導(dǎo)致出現(xiàn)穩(wěn)定性差及易破損的缺點(diǎn)。因此，生產(chǎn)百兆赫茲高頻晶振通常采用10MHz成熟產(chǎn)品作為基準(zhǔn)頻率源，并經(jīng)過多次倍頻獲得所需信號(hào)。但這樣...

時(shí)鐘線一定要走在多層PCB板的內(nèi)層。并且一定要走帶狀線；如果要走在外層，只能走微帶線。2）走在內(nèi)層能保證完整的映像平面，它可以提供一個(gè)低阻抗射頻傳輸路徑，并產(chǎn)生磁通量，以抵消它們的源傳輸線的磁通量，源和返回路徑的距離越近，則消磁就越好。由于增強(qiáng)了消磁能力，高密PCB板的每個(gè)完整平面映像層可提供6-8dB的抑制。3）時(shí)鐘布多層板的好處：有一層或者多層可以專門用于完整的電源和地平面，可以設(shè)計(jì)成好的去藕系統(tǒng)，減小地環(huán)路的面積，降低了差模輻射，減小了EMI，減小了信號(hào)和電源返回路徑的阻抗水平，可以保持全程走線阻抗的一致性，減小了鄰近走線間的串?dāng)_等。內(nèi)部振蕩器、無源晶振、有源晶振有什么區(qū)別？江蘇晶振并聯(lián)...