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Ce:YAG閃爍晶體的主要應(yīng)用在哪里?高溫閃爍晶體今后的發(fā)展趨勢(shì)主要包括以下幾個(gè)方面:1、尋求優(yōu)化的高溫閃爍晶體生長(zhǎng)方法以及工藝技術(shù)。目前,多數(shù)高溫閃爍晶體主要是通過(guò)提拉法生長(zhǎng)的,探索改進(jìn)的提拉法或其它的工程化生長(zhǎng)工藝技術(shù)對(duì)研究開(kāi)發(fā)高溫閃爍晶體具有十分重要的意義。2、開(kāi)展多摻雜以及探索新型發(fā)光離子的高溫閃爍晶體也會(huì)逐步受到人們的重視。隨著探測(cè)器件的小型化多功能化的迅猛發(fā)展,具有多種探測(cè)功能的復(fù)合閃爍探測(cè)單晶材料將會(huì)成為一個(gè)研究熱點(diǎn)。另外,探索其它發(fā)光中心離子的閃爍性能也將會(huì)逐步引起人們的關(guān)注,特別對(duì)能與現(xiàn)有的探測(cè)設(shè)備耦合匹配,容易摻雜等激發(fā)離子的研究。CeYAG晶體能與硅光二極管有效耦合,耐高溫不潮解,可在極端條件下應(yīng)用。安徽白光LED用CeYAG晶體品牌
當(dāng)光線與閃爍晶體相互作用時(shí),晶體中電子空穴對(duì)Neh的數(shù)量直接影響晶體的光輸出。假設(shè)電子空穴對(duì)轉(zhuǎn)化為閃爍光子的效率為(與從電子空穴對(duì)到發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率有關(guān)),可以得出:無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出主要與晶體成分(,Eg)、電子空穴向發(fā)光中心的能量轉(zhuǎn)移效率和發(fā)光中心的量子效率()有關(guān)。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48,000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。河北生長(zhǎng)CeYAG晶體如今無(wú)機(jī)閃爍晶體的閃爍機(jī)制不斷得到改進(jìn)和發(fā)展。
根據(jù)經(jīng)典熒光理論,參數(shù)q也可以由公式(1.15) [14]計(jì)算。公式中,Wr和Wnr分別為輻射和非輻射躍遷概率;c是猝滅常數(shù),Eq是猝滅能,kb是為玻爾茲曼常數(shù),t是完全溫度。分析表明,光輸出主要與晶體的帶隙、基體的組成和結(jié)構(gòu)、能量傳輸效率和溫度有關(guān)。當(dāng)帶隙變?yōu)榱銜r(shí),閃爍晶體將獲得比較大光輸出。但一般情況下,當(dāng)Eg小于2eV時(shí),無(wú)輻射躍遷的概率會(huì)增大,從而Q變小,光輸出變小。結(jié)果表明,摻鈰離子閃爍晶體的光輸出差異主要是由S 的差異引起的。
閃爍晶體到底是什么呢?不了解可以好小編來(lái)看看下文的介紹,新一代閃爍晶體在核醫(yī)學(xué)影像診斷、高能物理、安全檢查、地質(zhì)勘探、**裝備、無(wú)損檢測(cè)等各種射線的探測(cè)領(lǐng)域有著很多應(yīng)用。已經(jīng)向很多相關(guān)單位提供晶體與器件,與國(guó)內(nèi)外科研單位合作開(kāi)發(fā)的用于高能物理、環(huán)境射線探測(cè)和國(guó)土礦產(chǎn)調(diào)查的新型伽馬射線探測(cè)器,獲得行業(yè)的高度認(rèn)可。綜合性能優(yōu)異的閃爍晶體,可以實(shí)現(xiàn)高能粒子和射線等電離輻射的高效率探測(cè)。希望以上的一些相關(guān)的介紹能夠?qū)δ阌幸恍椭o(wú)機(jī)閃爍晶體(Ce:YAG)的閃爍機(jī)理之電子空穴對(duì)的產(chǎn)生。
如果高能射線入射,其熒光光譜向紅色移動(dòng),發(fā)射波長(zhǎng)為550納米,可以很好地與硅光二極管耦合。Ce:YAG晶體的光學(xué)吸收譜多少?當(dāng)無(wú)機(jī)閃爍體中電子(空穴)的能量小于電離閾值時(shí)((Ce:YAG屬于無(wú)機(jī)閃爍體),電子(空穴)開(kāi)始與晶格相互作用,即所謂的電子-聲子弛豫或熱化。在熱化過(guò)程中,電子和空穴分別向無(wú)機(jī)閃爍晶體導(dǎo)帶的下部和價(jià)帶的上部移動(dòng),終形成一定數(shù)量的熱化電子空穴對(duì),能量約為禁帶寬度eg。NaI:Tl閃爍晶體具有比較大光輸出(約48,000 ph/mev)。將其他無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出與NaI:Tl晶體的光輸出進(jìn)行比較得到的相對(duì)值(%NaI(Tl))稱為“相對(duì)光輸出”。相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。在行李安檢、集裝箱檢查、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域,閃爍晶體都發(fā)揮著不可替代的作用。青海國(guó)產(chǎn)CeYAG晶體品牌
相對(duì)光輸出通常用于表征無(wú)機(jī)閃爍晶體的光輸出。安徽白光LED用CeYAG晶體品牌
與其它常用閃爍晶體相比,Ce:YAP晶體還具有下列閃爍特征:光輸出的溫度特性好。Ce:YAP晶體光輸出隨溫度變化特性,在25~200oC 區(qū)間內(nèi),晶體光產(chǎn)額隨溫度增加基本保持不變。與其它晶體如NaI:Tl、BGO和CsI等相比,Ce:YAP的這種對(duì)溫度依賴小的特性可以使其在高溫環(huán)境下使用。 研究表明,Ce:YAG晶體的閃爍性能對(duì)Ce3+離子濃度有較強(qiáng)的依賴關(guān)系。YAG晶體的礦物學(xué)名稱為釔鋁石榴石,分子式為Y3Al5O12, 屬于立方晶系。Ce:YAG具有快衰減以及在550nm發(fā)射熒光,使得它可以應(yīng)用于中低能量γ射線α粒子的探測(cè)等領(lǐng)域。安徽白光LED用CeYAG晶體品牌
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