功率合成模塊，定向耦合器，功率監測模塊，保護電路，電源供電模塊，顯示和控制單元等，如圖8所示。圖8：AMETEK固態射頻功放的組成結構為了便于裝配，調試，升級，維修，AMETEK的功放在業界率先采用了模塊化的設計結構，內部模塊及各種走線的布局干凈整潔，如圖9所示。圖9：AMETEK固態射頻功放的模塊化結構AMETEK的功放產品覆蓋的頻率范圍從4KHz到45GHz，如圖10所示。圖10：AMETEK的功放產品覆蓋的頻率范圍從4KHz到45GHz不但可以滿足比如IEC61000-4-3,-4-6,ISO11452-2以及醫療等商用EMC標準，還可以滿足諸如MIL461-RS103/CS11...

這個范圍叫做“放大區”，集電極電流近似等于基極電流的N倍。雙極性晶體管是一種較為復雜的非線性器件，如果偏置電壓分配不當，將使其輸出信號失真，即使工作在特定范圍，其電流放大倍數也受到包括溫度在內的因素影響。雙極性晶體管的大集電極耗散功率是器件在一定溫度與散熱條件下能正常工作的大功率，如果實際功率大于這一數值，晶體管的溫度將超出大許可值，使器件性能下降，甚至造成物理損壞。可通過高達28伏電源供電工作，工作頻率可達幾個GHz。為了防止由于熱擊穿導致的突發性故障，晶體管的偏置電壓必須要仔細設計，因為熱擊穿一旦被觸發，整個晶體管都將被立即毀壞。因此，采用這種晶體管技術的放大器必須具有保護電路以防...

寬帶性能一致性差，諧波性能也較差。采用普通結構變壓器級聯lc匹配實現功率合成和阻抗變換的pa，采用變壓器及其輸入輸出匹配電容，輸出級聯lc匹配濾波電路。這種結構優點是諧波性能好，可以實現寬帶一致的阻抗變換；缺點是寬帶性能一致性和插損之間存在折中，高頻點插損較大。在本發明實施例中，通過增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數k值較小對阻抗變換的影響。根據初級線圈和主次級線圈的k值等參數，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級...

用于使所述可控衰減電路和所述驅動放大電路之間阻抗匹配；所述驅動放大電路，用于放大所述輸入匹配電路輸出的信號；所述反饋電路，用于調節所述射頻功率放大器電路的增益；所述級間匹配電路，用于使所述驅動放大電路和所述功率放大電路之間阻抗匹配；所述功率放大電路，用于放大所述級間匹配電路輸出的信號；所述輸出匹配電路，用于使所述射頻功率放大器電路和后級電路之間阻抗匹配。本申請實施例提供一種增益控制方法，應用于上述的射頻功率放大器電路，所述方法包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定所述射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發送模式控制信號控制所述射頻功率放大器電路進入所述工作模式；所述可...

本申請涉及射頻處理技術領域，具體涉及一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術：通話是移動終端的為基本的功能之一，射頻功率放大器(rfpa)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。在調制器產生射頻信號后，射頻已調信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率，經匹配網絡，再由天線發射出去。由于現有技術中的所支持的射頻頻段眾多，每個頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所...

驅動放大電路和功率放大電路的電路結構一樣，但二者對應的各個器件的尺寸差異很大。相比較而言，功率放大電路更加注重輸出放大信號的效率，驅動放大電路更加注重放大信號的增益控制。射頻功率放大器電路的高、中、低功率模式下，電路結構和dc偏置都需要進行切換，即，通過改變反饋電路中的開關、電壓偏置電路中的柵極電壓、電流偏置電路中的漏極電流、供電電壓vcc，以及使能可控衰減電路，協作實現以上功率模式，以及實現非負增益模式和負增益模式。圖2b是本發明實施例提供的射頻功率放大器電路的電路結構示意圖，如圖2b所示，應用于終端，包括：依次連接的可控衰減電路107、輸入匹配電路101、驅動放大電路102、級間匹...

氮化鎵集更高功率、更高效率和更寬帶寬的特性于一身，能夠實現比GaAsMESFET器件高10倍的功率密度，擊穿電壓達300伏，可工作在更高的工作電壓，簡化了設計寬帶高功率放大器的難度。目前氮化鎵（GaN）HEMT器件的成本是LDMOS的5倍左右，已經開始普遍應用在EMC領域的80MHz到6GHz的功率放大器中。4.射頻微波功率放大器的分類放大器有不同種的分類方法，習慣上基于放大器件在一個完整的信號擺動周期中工作的時間量，也就是導電角的不同進行分類，通過對放大器件配置不同的偏置條件，就可以使放大器工作在不同的狀態。在EMC領域，固態放大器中常用到的偏置方法是A類，AB類和C類。A類放大器A...

第四mos管的漏級與第五mos管的源級連接，第四mos管的源級接地，第五mos管的柵級連接第九電容的端，第九電容的第二端接地。其中，第四mos管t4和第五mos管t5的器件尺寸一樣，第二mos管t2與第四mos管t4的器件尺寸之比為2:5。在一個可能的示例中，輸出匹配電路106包括：第四電感l4、第五電感l5、第十電容c10和第十一電容c11，其中：第四電感的端和第五電感的端連接第五mos管的漏級，第四電感的第二端連接第二電壓信號，第十電容的端連接第二電壓信號，第十電容的第二端接地，第五電感的第二端連接第十一電容的端，第十一電容的第二端接地，第十一電容兩端的電壓為輸出電壓。在一個可能的...

第三子濾波電路的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三子濾波電路的第二端可以接地。在本發明實施例中，第三子濾波電路可以包括第三電容c3；第三電容c3的端可以與輔次級線圈122的第二端耦接，第三電容c3的第二端可以接地。在具體實施中，第三子濾波電路還可以包括第三電感l3，第三電感l3可以串聯在第三電容c3的第二端與地之間。參照圖3，給出了本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。與圖2相比較而言，圖3中提供的射頻功率放大器增加了第三電感l3。通過增加第三電感l3，可以進一步提高射頻功率放大器的諧波濾波性能。在具體實施中，輸出端匹配濾波電路還可以包括第四子濾波電路。在本發明實施...

nmos管mn14和nmos管mn16構成一個共源共柵放大器。在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的第二輸出端。如圖3所示，nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn06的柵極通過電阻r04連接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa；nmos管mn13的柵極通過電阻r08連接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn14的柵極通過電阻r09連接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa。如圖3所示，nmos管mn07的柵極通過電阻r05連接...

則該阻抗與rfin端的輸入阻抗zin共軛匹配，zin＝r0-jx0；加入可控衰減電路后，在輸入匹配電路101之前并聯接地的r2和sw1所在的支路中，為保證有效的功率衰減，r2一般控制得較小，故對r0影響可以忽略。sw1關斷時，r2和sw1所在的支路可以等效成寄生電抗xc，此時，可控衰減電路和輸入匹配電路的等效阻抗zeq＝(r0+jx0)//jxc+jxl，其中，“//”表示并聯，zeq的實部小于r0，為了使等效阻抗與輸入阻抗盡可能的匹配，減少影響，需要zeq的虛部im(zeq)＝x0，在r0、x0和xc的數值已知的情況下，根據等效阻抗zeq的表達式可以計算出xl，進而得到電感l1的電感...

由射頻功率放大器的配置狀態得知射頻功率放大器的配置狀態電阻值。其中，頻段與射頻功率放大器的對應情況包括兩種：一個頻段對應一個射頻功率放大器或多個頻段對應一個射頻功率放大器。移動終端在進行頻段切換前，移動終端的射頻功率放大器的狀態包括開啟狀態或關閉狀態，移動終端在進行頻段切換時，需要開啟一個或多個射頻功率放大器。射頻功率放大器的配置狀態即移動終端在進行頻段切換時，此時移動終端的射頻功率放大器的狀態。其中，由于射頻功率放大器的開啟狀態與關閉狀態所對應的電阻值不同，預設射頻功率放大器的配置狀態即預設射頻功率放大器的配置狀態電阻值。因此，射頻功率放大器的配置狀態電阻值包括開啟狀態的電阻值與關閉...

由射頻功率放大器的配置狀態得知射頻功率放大器的配置狀態電阻值。其中，頻段與射頻功率放大器的對應情況包括兩種：一個頻段對應一個射頻功率放大器或多個頻段對應一個射頻功率放大器。移動終端在進行頻段切換前，移動終端的射頻功率放大器的狀態包括開啟狀態或關閉狀態，移動終端在進行頻段切換時，需要開啟一個或多個射頻功率放大器。射頻功率放大器的配置狀態即移動終端在進行頻段切換時，此時移動終端的射頻功率放大器的狀態。其中，由于射頻功率放大器的開啟狀態與關閉狀態所對應的電阻值不同，預設射頻功率放大器的配置狀態即預設射頻功率放大器的配置狀態電阻值。因此，射頻功率放大器的配置狀態電阻值包括開啟狀態的電阻值與關閉...

LX5535+LX5530出現在AtherosAP96高功率版本參考設計中，FEM多次出現在無線網卡參考設計中。LX5518則是近年應用較多的一款高功率PA，與后文即將出現的SkyworksSE2576十分接近。毫不夸張地講，MicrosemiLX5518與SkyworksSE2576占據了。LX5518的強悍性能如下圖所示。RFaxisRFaxis是一家相對較新的射頻半導體公司，成立于2008年1月，總部設于美國加州，專業從事射頻半導體的設計和開發。憑借其獨有的技術，RFaxis公司專為數十億美元的Bluetooth、WLAN、、ZigBee、AMR/AMI和無線音頻/視頻市場設計的...

gr為基站的接收機天線增益，單位為分貝；rs為接收機靈敏度，是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio，snr)情況下，系統能探測到的小的射頻信號。rs的計算可以參見公式(3)：rs＝-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3)；其中，-174dbm/hz為熱噪聲底限；nf為全部接收機噪聲，單位為分貝；b為接收機整體帶寬，snrmin則為小信噪比。一般來說，射頻功率放大器電路存在高功率模式(非負增益)，率模式(非負增益)和低功率模式(負增益)這三種模式。由于射頻收發器的線性功率輸出范圍為-35dbm～0dbm，因此，若超出這一范圍，信號將產生非線性。當射頻...

因為這些特性，GaAs器件被應用在無線通信、衛星通訊、微波通信、雷達系統等領域，能夠在更高的頻率下工作，高達Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設計變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設計的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調制摻雜異質結場效應晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時，這里的電子遷移率...

nmos管mn14和nmos管mn16構成一個共源共柵放大器。在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的第二輸出端。如圖3所示，nmos管mn05的柵極通過電阻r03連接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn06的柵極通過電阻r04連接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa；nmos管mn13的柵極通過電阻r08連接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa，nmos管mn14的柵極通過電阻r09連接自適應動態偏置電路的輸出端vbcs_pa。如圖3所示，nmos管mn07的柵極通過電阻r05連接...

RF)領域成為全球的IC供貨商。立積電子的產品主要分為兩個產品線：一是射頻技術相關的收發器，另一個是射頻前端的相關射頻組件。Richwave的WiFiPA多見于Mediatek（Ralink）的參考設計，眾所周知，中國臺灣半導體廠商喜歡在參考設計中選用中國臺灣的半導體器件，無源器件，這是促進本土經濟技術發展的有效手段。與RFaxis類似，Richwave官方網站也同樣沒有PA的匯總數據，只能看到其全部型號列表。筆者在早期的WiFi產品設計中試用過Richwave的RTC6691，其性能指標如下圖所示。SkyworksSkyworks（于2011年收購了SiGe）同樣是一家老牌射頻半導體...

RF)領域成為全球的IC供貨商。立積電子的產品主要分為兩個產品線：一是射頻技術相關的收發器，另一個是射頻前端的相關射頻組件。Richwave的WiFiPA多見于Mediatek（Ralink）的參考設計，眾所周知，中國臺灣半導體廠商喜歡在參考設計中選用中國臺灣的半導體器件，無源器件，這是促進本土經濟技術發展的有效手段。與RFaxis類似，Richwave官方網站也同樣沒有PA的匯總數據，只能看到其全部型號列表。筆者在早期的WiFi產品設計中試用過Richwave的RTC6691，其性能指標如下圖所示。SkyworksSkyworks（于2011年收購了SiGe）同樣是一家老牌射頻半導體...

通過可控衰減電路中的電阻吸收和衰減射頻功率，使得進入后續電路的射頻功率減小，輸入信號衰減，從而實現負增益。在一個可能的示例中，可控衰減電路包括電阻r1、第二電阻r2、電感l1和開關t1，開關的柵級與電阻的端連接，電阻的第二端連接電壓信號，開關的漏級與第二電阻的端連接，開關的源級接地，電感的端連接輸入信號，電感的第二端連接第二電阻的第二端；其中，開關，用于響應微處理器發出的控制信號使自身處于關斷狀態，以使可控衰減電路處于無衰減狀態，實現射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應微處理器發出的第二控制信號使自身處于導通狀態，以使可控衰減電路處于衰減狀態，實現射頻功率放大器電路處于負增益...

RF)微波和毫米波應用，設計和開發高性能集成電路、模塊和子系統。這些應用包括蜂窩、光纖和衛星通信，以及醫學及科學成像、工業儀表、航空航天和防務電子。憑借近30年的經驗和創新實踐，Hittite在模擬、數字和混合信號半導體技術領域有著深厚的積淀，從器件級到完整子系統的設計和裝配，覆蓋面十分。HittiteMicrowave于2014年被AnalogDevices,Inc.（ADI）收購合并。但筆者還是更喜歡Hittite作為射頻微波器件的名稱，所以暫不更改稱呼^_^。筆者本人并沒用用過Hittite的WiFiPA，倒是用過其他頻段GainBlock和PA，查找其官方網站，似乎也只有一款P...

本申請實施例涉及但不限于射頻前端電路，尤其涉及一種射頻功率放大器電路及增益控制方法。背景技術：射頻前端系統中的功率放大器(poweramplifier，pa)一般要求發射功率可調，當pa之前射頻收發器的輸出動態范圍有限時，就要求功率放大器增益高低可調節。在廣域低功耗通信的應用場景中，對射頻功率放大器電路的增益可調要求變得更突出，其動態范圍要達到35～40db，并出現負增益的需求模式。相關技術中通常通過反饋電路提供的負反饋來對增益進行調節，但是反饋電路只能增加或減少增益，而不能實現負增益，無法滿足射頻功率放大器電路的負增益需求。技術實現要素：有鑒于此，本申請實施例提供一種射頻功率放大器電...

nmos管mn07的漏極和nmos管mn08的漏極分別連接第三變壓器t03的原邊。在第二主體電路率放大器中源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。如圖3所示，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極為功率放大器的輸入端，nmos管mn13的柵極、nmos管mn14的柵極與激勵放大器的輸出端連接。nmos管mn15的漏極和nmos管mn16的漏極分別連接第四變壓器t04的原邊。nmos管mn05的源極、nmos管mn06的源極接地，nmos管mn13的源極、nmos管mn14的源極接地。nmos管mn07的柵極和nmos管mn08的...

本發明實施例的技術方案具有以下有益效果：增加輔次級線圈可以在不影響初級線圈和主次級線圈的前提下增加輸入到輸出的能量耦合路徑，減小耦合系數k值較小對阻抗變換的影響。根據初級線圈和主次級線圈的k值等參數，選擇合適的輔次級線圈的大小和k值可以有效提高功率合成變壓器的阻抗變換工作頻率范圍，降低功率合成變壓器損耗。此外，將功率合成變壓器的主次級線圈和輔次級線圈以及匹配濾波電路協同設計，能夠進一步提高射頻功率放大器的寬帶阻抗變換和濾波性能。附圖說明圖1是本發明實施例中的一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖2是本發明實施例中的另一種射頻功率放大器的電路結構圖；圖3是本發明實施例中的又一種射頻功率放大器...

射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與配置狀態的電阻值相同，則表示射頻功率放大器配置完成。相應的，本發明實施例還提供一種移動終端，如圖4所示，該移動終端可以包括射頻(rf，radiofrequency)電路401、包括有一個或一個以上計算機可讀存儲介質的存儲器402、輸入單元403、顯示單元404、傳感器405、音頻電路406、無線保真(wifi，wirelessfidelity)模塊407、包括有一個或者一個以上處理的處理器408、以及電源409等部件。本領域技術人員可以理解，圖4中示出的移動終端結構并不構成對移動終端的限定，可以包括比圖示更多或更少的部件，或者組合某些部件，或者不同的部件...

LDMOS增益曲線較平滑并且允許多載波射頻信號放大且失真較小。LDMOS管有一個低且無變化的互調電平到飽和區，不像雙極型晶體管那樣互調電平高且隨著功率電平的增加而變化，這種主要特性因此允許LDMOS晶體管執行高于雙極型晶體管的功率，且線性較好。LDMOS晶體管具有較好的溫度特性溫度系數是負數，因此可以防止熱耗散的影響。由于以上這些特點，LDMOS特別適用于UHF和較低的頻率，晶體管的源極與襯底底部相連并直接接地，消除了產生負反饋和降低增益的鍵合線的電感的影響，因此是一個非常穩定的放大器。LDMOS具有的高擊穿電壓和與其它器件相比的較低的成本使得LDMOS成為在900MHz和2GHz的高...

處理器308即處理器，用于控制所述射頻功率放大器的開啟和關閉。輸入單元403可用于接收輸入的數字或字符信息，以及產生與用戶設置以及功能控制有關的鍵盤、鼠標、操作桿、光學或者軌跡球信號輸入。具體地，在一個具體的實施例中，輸入單元403可包括觸敏表面以及其他輸入設備。觸敏表面，也稱為觸摸顯示屏或者觸控板，可收集用戶在其上或附近的觸摸操作(比如用戶使用手指、觸筆等任何適合的物體或附件在觸敏表面上或在觸敏表面附近的操作)，并根據預先設定的程式驅動相應的連接裝置。可選的，觸敏表面可包括觸摸檢測裝置和觸摸控制器兩個部分。其中，觸摸檢測裝置檢測用戶的觸摸方位，并檢測觸摸操作帶來的信號，將信號傳送給觸...

其中：串聯電感l用于匹配并聯到地支路中的sw1在關閉狀態的寄生電容，減少對后級驅動放大電路的輸入匹配電路的影響。在負增益模式下，sw1處在導通狀態，電阻r主要承擔對射頻輸入功率分流后的衰減，sw1主要負責射頻輸入支路端與接地端(gnd)的導通。若系統要求的增益很低，r也可以省略，用sw1自身導通時寄生的電阻吸收和衰減射頻功率。這里的開關可以用各種半導體工藝實現，如互補金屬氧化物半導體(complementarymetaloxidesemiconductor，cmos)，絕緣體上硅(silicononinsulator，soi)cmos管，pin二極管等，其中，pin表示：在p和n半導體...

5G時代，智能手機將采用2發射4接收方案，未來有望演進為8接收方案。功率放大器（PA）是一部手機關鍵的器件之一，它直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統中除基帶外重要的部分。5G將帶動智能移動終端、基站端及IOT設備射頻PA穩健增長。功率放大器市場增長相對穩健，復合年增長率為7%，將從2017年的50億美元增長到2023年的70億美元。LTE功率放大器市場的增長，尤其是高頻和超高頻，將彌補2G/3G市場的萎縮。15G智能移動終端，射頻PA的大機遇5G推動手機射頻PA量價齊升無論是在基站端還是設備終端，5G給供應商帶來的挑戰都首先體現在射頻方面，因為這是設備“上”網...

將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網絡所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實現多頻帶載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經成為未來宏基站功率放大器的候選技術。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應用的優方案，預計未來大部分6GHz以下宏網絡單元應用都將采用GaN器件。5G網絡采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網絡建設中扮演很重要的角色。不...