第六電容的第二端連接第二開關的端，第二開關的第二端連接第五電阻的端，第五電阻的第二端連接第五電容的端，第五電容的第二端和第三電容的第二端連接第二電感的第二端；其中，第二開關，用于響應微處理器發出的第七控制信號使自身處于關斷狀態，以降低反饋深度，實現射頻功率放大器電路處于非負增益模式；還用于響應第八控制信號使自身處于導通狀態，以增加反饋深度，實現射頻功率放大器電路處于負增益模式。需要說明的是，假設射頻功率放大器電路在未加入反饋電路時的放大系數為a，反饋電路的反饋系數為f，則加入反饋電路后射頻功率放大器電路100的放大系數af＝a/(1+af)，隨著反饋電路中等效電阻阻值的降低，反饋系數f...

每個主體電路中的功率放大器包括2個共源共柵放大器；在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的第二輸出端；在主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊；在第二主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。可選的，變壓器的原邊和第二變壓器的原邊之間還連接有電容，變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵...

RF)領域成為全球的IC供貨商。立積電子的產品主要分為兩個產品線：一是射頻技術相關的收發器，另一個是射頻前端的相關射頻組件。Richwave的WiFiPA多見于Mediatek（Ralink）的參考設計，眾所周知，中國臺灣半導體廠商喜歡在參考設計中選用中國臺灣的半導體器件，無源器件，這是促進本土經濟技術發展的有效手段。與RFaxis類似，Richwave官方網站也同樣沒有PA的匯總數據，只能看到其全部型號列表。筆者在早期的WiFi產品設計中試用過Richwave的RTC6691，其性能指標如下圖所示。SkyworksSkyworks（于2011年收購了SiGe）同樣是一家老牌射頻半導體...

通過微處理器發出的第五控制信號和第六控制信號，控制電壓源檔位的切換，可切換第三mos管的柵極電壓，從而調節驅動放大電路的放大倍數。通過調節驅動放大電路的放大倍數使射頻功率放大器電路處于不同的增益模式中。第二電壓信號vcc用于給第二mos管和第三mos管的漏級供電，其中，通過微處理器控制vcc的大小。在一些實施例中，當第二mos管和第三mos管的溝道寬度為2mm時，微控制器控制vcc為，控制電流源為12ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實現非負增益模式；微控制器控制vcc為，控制電流源為2ma，控制電壓源為，使射頻功率放大器電路實現負增益模式。顯然，可以設置更多的電壓源的檔位和電流...

計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，比較所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態電阻值，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器，所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。本方案在當移動終端切換射頻頻段啟動射頻功率放大器時，能夠通過對射頻功率放大器的狀態檢測，快速設置各個射頻功率放大器從而提升射頻的頻段切換的速度。附圖說明為了更清楚地說明本申請實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施例，對于本領域技術人員來講，...

將射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與預設的配置狀態電阻值作比較，可以得知此時射頻功率放大器是否已完成配置。104、所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態電阻值不相等，開啟所述射頻功率放大器。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，此時射頻功率放大器的電阻值與配置狀態的電阻值不相同，則表示此射頻功率放大器還沒有開啟，移動終端開啟此射頻功率放大器。其中，射頻功率放大器的開啟與關閉由處理器控制。105、所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值與所述配置狀態電阻值相等，所述射頻功率放大器配置完成。例如，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，此時...

每個主體電路中的功率放大器包括2個共源共柵放大器；在每個主體電路率放大器源放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的輸出端，功率放大器柵放大器的柵極連接自適應動態偏置電路的第二輸出端；在主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第三變壓器的原邊；在第二主體電路，功率放大器源放大器的柵極與激勵放大器的輸出端連接，功率放大器柵放大器的漏極連接第四變壓器的原邊。可選的，變壓器的原邊和第二變壓器的原邊之間還連接有電容，變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵...

gr為基站的接收機天線增益，單位為分貝；rs為接收機靈敏度，是在可接受的信噪比(signaltonoiseratio，snr)情況下，系統能探測到的小的射頻信號。rs的計算可以參見公式(3)：rs＝-174dbm/hz+nf+10logb+snrmin(3)；其中，-174dbm/hz為熱噪聲底限；nf為全部接收機噪聲，單位為分貝；b為接收機整體帶寬，snrmin則為小信噪比。一般來說，射頻功率放大器電路存在高功率模式(非負增益)，率模式(非負增益)和低功率模式(負增益)這三種模式。由于射頻收發器的線性功率輸出范圍為-35dbm～0dbm，因此，若超出這一范圍，信號將產生非線性。當射頻...

是為了便于描述本申請和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本申請的限制。此外，術語“”、“第二”、“第三”用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。在本申請的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電氣連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，還可以是兩個元件內部的連通，可以是無線連接，也可以是有線連接。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本申請中的具體含...

因為這些特性，GaAs器件被應用在無線通信、衛星通訊、微波通信、雷達系統等領域，能夠在更高的頻率下工作，高達Ku波段。與LDMOS相比，擊穿電壓較低。通常由12V電源供電，由于電源電壓較低，使得器件阻抗較低，因此使得寬帶功率放大器的設計變得比較困難。GaAsMESFET是電磁兼容微波功率放大器設計的常用選擇，在80MHz到6GHz的頻率范圍內的放大器中被采用。GaAs贗晶高電子遷移率晶體管（GaAspHEMT）GaAspHEMT是對高電子遷移率晶體管（HEMT）的一種改進結構，也稱為贗調制摻雜異質結場效應晶體管（PMODFET），具有更高的電子面密度（約高2倍）；同時，這里的電子遷移率...

自適應動態偏置電路的輸入端通過匹配網絡連接射頻輸入端；自適應動態偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。可選的，在自適應動態偏置電路中，nmos管的柵極為自適應動態偏置電路的輸入端，nmos管的漏極連接pmos管的源極，nmos管的源極接地；第二nmos管的漏極與第二pmos管的漏極連接，第二nmos管的源極接地，第二pmos管的源極接電源電壓，第二nmos管的柵極與第二pmos管的柵極連接后與nmos管的漏極連接；第三nmos管的漏極與第三pmos管的漏極連接，第三nmos管的源極接地，第三pmos管的源極接電源電壓，第三nmos管的柵極與漏極連接，第三pmo...

自適應動態偏置電路的輸入端通過匹配網絡連接射頻輸入端；自適應動態偏置電路的輸出端連接功率放大器源放大器的柵極和共柵放大器的柵極。可選的，在自適應動態偏置電路中，nmos管的柵極為自適應動態偏置電路的輸入端，nmos管的漏極連接pmos管的源極，nmos管的源極接地；第二nmos管的漏極與第二pmos管的漏極連接，第二nmos管的源極接地，第二pmos管的源極接電源電壓，第二nmos管的柵極與第二pmos管的柵極連接后與nmos管的漏極連接；第三nmos管的漏極與第三pmos管的漏極連接，第三nmos管的源極接地，第三pmos管的源極接電源電壓，第三nmos管的柵極與漏極連接，第三pmo...

并對漏級供電電壓vcc進行控制，從而使偏置電路中漏級電流、柵級電壓變大，使射頻功率放大器電路的整體增益滿足要求。本發明實施例提供的技術方案具有以下優點：在信號的輸入端設計可變衰減電路，在實現射頻功率放大器電路負增益的同時，對非負增益模式下該電路性能的影響很小，并且加強了對輸入端口的靜電保護，電路結構簡單，占用芯片面積小，能有效的降低硬件成本。本發明實施例還提供了一種增益控制方法，應用于上述實施例中的的射頻功率放大器電路，包括：終端中的微控制器通過通信模組接收到控制信息后，確定射頻功率放大器電路的工作模式，并通過發送模式控制信號控制射頻功率放大器電路進入工作模式；可控衰減電路，根據終端中...

具體地，第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b，連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電...

圖3中的自適應動態偏置電路的電路結構如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設置有兩個主體電路，每個主體電路包括激勵放大器和功率放大器，激勵放大器和功率放大器通過匹配網絡連接。主體電路中的c04和c05構成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網絡；第二主體電路中的c11和c12構成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網絡。主體電路中的激勵放大器與變壓器t01的副邊連接，第二主體電路中的激勵放大器與第二變壓器t03的副邊連接。變壓器t01的原邊和第二變壓器t03的原邊連接，變壓器t01的原邊與第二變壓器t02的原邊之間還連接有電容c01。變壓器t01、第二變壓器t02和電容c01...

P/NBANDGainLinearPowerIccVccVerfAP11102685A***129431/3219/22145/215A***10583423/25300/480APEPM24263323/26335/465EPM24283424/28468/668AP30152920/23280/NA3AP3015P2915/18340/390AP3015M2917/18210/170AP5估計大部分國內的讀者沒有用過RFIC的芯片，筆者也只是看到一些國外的產品在用。沒有Datasheet，也沒有BriefIntroduction，只能從官網上了解到部分數據，其中EPM2428是**...

nmos管mn11的漏極連接電容c11，nmos管mn12的漏極連接電容c12。nmos管mn11的漏極和nmos管mn12的漏極為第二主體電路中激勵放大器的輸出端。變壓器副邊的中端和第二變壓器副邊的中端分別通過電阻連接偏置電壓，偏置電壓用于為激勵放大器中的共源放大器提供偏置電壓；激勵放大器柵放大器的柵極通過電阻接第二偏置電壓。如圖3所示，變壓器t0副邊的中端通過電阻r01接偏置電壓vbcs_da，第二變壓器t03副邊的中端通過電阻r06接偏置電壓vbcs_da，偏置電壓vbcs_da用于為nmos管mn01、nmos管nm02、nmos管mn09、nmos管mn10提供偏置電壓。nm...

圖3中的自適應動態偏置電路的電路結構如圖2所示。射頻輸入端rfin和射頻輸出端rfout之間設置有兩個主體電路，每個主體電路包括激勵放大器和功率放大器，激勵放大器和功率放大器通過匹配網絡連接。主體電路中的c04和c05構成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網絡；第二主體電路中的c11和c12構成激勵放大器和功率放大器之間的匹配網絡。主體電路中的激勵放大器與變壓器t01的副邊連接，第二主體電路中的激勵放大器與第二變壓器t03的副邊連接。變壓器t01的原邊和第二變壓器t03的原邊連接，變壓器t01的原邊與第二變壓器t02的原邊之間還連接有電容c01。變壓器t01、第二變壓器t02和電容c01...

具體地，第二pmos管mp01的源極通過電阻r13接電源電壓vdd。第二nmos管mn18的柵極與第二pmos管mp01的柵極連接后與nmos管mn17的漏極連接。第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極連接，第三nmos管mn19的源極接地，第三pmos管mp02的源極接電源電壓，第三nmos管mn19的柵極與漏極連接，第三pmos管mp02的柵極和漏極連接。第二nmos管mn18的漏極與第二pmos管mp01的漏極的公共端記為連接點a，第三nmos管mn19的漏極與第三pmos管mp02的漏極的公共端記為第二連接點b，連接點a與第二連接點b連接,第二連接點b通過電...

被公認為是很合適的通信用半導體材料。在手機無線通信應用中，目前射頻功率放大器絕大部分采用GaAs材料。在GSM通信中，國內的紫光展銳和漢天下等芯片設計企業曾憑借RFCMOS制程的高集成度和低成本的優勢，打破了采用國際廠商采用傳統的GaAs制程完全主導射頻功放的格局。但是到了4G時代，由于Si材料存在高頻損耗、噪聲大和低輸出功率密度等缺點，RFCMOS已經不能滿足要求，手機射頻功放重新回到GaAs制程完全主導的時代。與射頻功放器件依賴于GaAs材料不同，90%的射頻開關已經從傳統的GaAs工藝轉向了SOI（Silicononinsulator）工藝，射頻收發機大多數也已采用RFCMOS制程，從而...

搶占基于硅LDMOS技術的基站PA市場。對于既定功率水平，GaN具有體積小的優勢。有了更小的器件，則可以減小器件電容，從而使得較高帶寬系統的設計變得更加輕松。氮化鎵基MIMO天線功耗可降低40%。下圖展示的是鍺化硅和氮化鎵的毫米波5G基站MIMO天線方案，左側展示的是鍺化硅基MIMO天線，它有1024個元件，裸片面積是4096平方毫米，輻射功率是65dbm，與之形成鮮明對比的，是右側氮化鎵基MIMO天線，盡管價格較高，但功耗降低了40%，裸片面積減少94%。GaN適用于大規模MIMO。GaN芯片每年在功率密度和封裝方面都會取得飛躍，能比較好的適用于大規模MIMO技術。當前的基站技術涉及具有多達...

1.射頻微波功率放大器及其應用放大器是用來以更大的功率、更大的電流，更大的電壓再現信號的部件。在信號處理過程中不可或缺的放大器，既可以做成用在助聽器里的微晶片，也可以做成像多層建筑那么大以便向水下潛艇或外層空間傳輸無線電信號。功率放大器可以被認為是將直流（DC）輸入轉換成射頻和微波能量的電路。不是在電磁兼容領域需要在射頻和微波頻率上產生足夠的功率，在無線通信、雷達和雷達干擾，醫療功率發射機和高能成像系統等領域都需要，每種應用領域都有它對頻率、帶寬、負載、功率、效率和成本的獨特要求。射頻和微波功率可以利用不同的技術和不同的器件來產生。本文著重介紹在EMC應用中普遍使用的固態射頻功率放大器...

將從2019年開始為GaN器件帶來巨大的市場機遇。相比現有的硅LDMOS（橫向雙擴散金屬氧化物半導體技術）和GaAs（砷化鎵）解決方案，GaN器件能夠提供下一代高頻電信網絡所需要的功率和效能。而且，GaN的寬帶性能也是實現多頻帶載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一。GaNHEMT（高電子遷移率場效晶體管）已經成為未來宏基站功率放大器的候選技術。由于LDMOS無法再支持更高的頻率，GaAs也不再是高功率應用的優方案，預計未來大部分6GHz以下宏網絡單元應用都將采用GaN器件。5G網絡采用的頻段更高，穿透力與覆蓋范圍將比4G更差，因此小基站（smallcell）將在5G網絡建設中扮演很重要的角色。不...

射頻功率放大器的配置狀態電阻值包括開啟狀態的電阻值與關閉狀態的電阻值。根據移動終端所切換的頻段，預設該頻段對應的射頻功率放大器的配置狀態，由射頻功率放大器的配置狀態得知射頻功率放大器的配置狀態電阻值。(2)計算單元302計算單元302，用于計算所述射頻功率放大器檢測模塊的電阻值。例如，移動終端進行頻段切換時，射頻功率放大器檢測模塊的電阻值即此時射頻功率放大器的電阻值，通過計算射頻功率放大器檢測模塊的電阻值，從而獲取此時射頻功率放大器的狀態。其中，計算單元還包括計算電阻和處理器，計算電阻一端與射頻功率放大器檢測模塊連接，計算電阻另一端與電源電壓連接；處理器的引腳與計算電阻和射頻功率放大器...

下面將對具體實施方式或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本申請的一些實施方式，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。圖1是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的結構示意圖；圖2是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器中自適應動態偏置電路的電路原理圖；圖3是本申請一實施例提供的高線性射頻功率放大器的電路原理圖；圖4是本申請實施例提供的自適應動態偏置電路提供的偏置電壓與輸出功率的曲線示意圖；圖5是現有的射頻高功率放大器與本申請實施例提供的高線性射頻放大器的imd3曲線圖。具體實施方式下面將結合...

目前微波射頻領域雖然備受關注，但是由于技術水平較高，壁壘過大，因此這個領域的公司相比較電力電子領域和光電子領域并不算很多，但多數都具有較強的科研實力和市場運作能力。GaN微波射頻器件的商業化供應發展迅速。據材料深一度對Mouser數據統計分析顯示，截至2018年4月，共有4家廠商推出了150個品類的GaNHEMT，占整個射頻晶體管供應品類的，較1月增長了。Qorvo產品工作頻率范圍大，Skyworks產品工作頻率較小。Qorvo、CREE、MACOM73%的產品輸出功率集中在10W～100W之間，大功率達到1500W（工作頻率在，由Qorvo生產），采用的技術主要是GaN/SiCGaN路線。此...

第七電感l7與第五電容c5組成諧振電路。在具體實施中，射頻功率放大器還可以包括驅動電路。驅動電路的輸入端可以接收輸入信號，驅動電路的輸出端可以輸出差分信號input_p，驅動電路的第二輸出端可以輸出第二差分信號input_n。驅動電路可以起到將輸入信號進行差分的操作，并對輸入信號進行驅動，提高輸入信號的驅動能力。參照圖7，給出了本發明實施例中的又一種射頻功率放大器的電路結構圖。在圖7中，增加了驅動電路。可以理解的是，在圖1～圖6中，也可以通過驅動電路來對輸入信號進行差分處理，得到差分信號input_p以及第二差分信號input_n。在具體實施中，匹配濾波電路還可以包括功率合成變壓器對應...

本申請涉及射頻處理技術領域，具體涉及一種移動終端射頻功率放大器檢測方法及裝置。背景技術：通話是移動終端的為基本的功能之一，射頻功率放大器(rfpa)是發射系統中的主要部分，其重要性不言而喻。在發射機的前級電路中，調制振蕩電路所產生的射頻信號功率很小，需要經過一系列的放大(緩沖級、中間放大級、末級功率放大級)獲得足夠的射頻功率以后，才能饋送到天線上輻射出去。為了獲得足夠大的射頻輸出功率，必須采用射頻功率放大器。在調制器產生射頻信號后，射頻已調信號就由射頻放大器將它放大到足夠功率，經匹配網絡，再由天線發射出去。由于現有技術中的所支持的射頻頻段眾多，每個頻段所使用的射頻功率放大器配置可能有所...

射頻前端集成電路領域，具體涉及一種高線性射頻功率放大器。背景技術：射頻功率放大器的主要參數是線性和效率。線性是表示射頻功率放大器能否真實地放大信號的參數。諸如lte和，要求射頻前端模塊具有極高的線性度，射頻功率放大器作為一個發射系統中的重要組成部分，對整個系統的線性度起著至關重要的作用。目前采用cmos器件的射頻功率放大器適用于和其他通信部分電路做片上集成，但是難以嚴格地滿足線性度需求。技術實現要素：為了解決相關技術中射頻功率放大器的線性度難以滿足需求的問題，本申請提供了一種高線性射頻功率放大器。技術方案如下：一方面，本申請實施例提供了一種高線性射頻功率放大器，包括功率放大器、激勵放大...

圖1：某型號60WGaAsFET的內部結構這款晶體管放大器可以提供EMC領域的基礎標準IEC61000-4-3和IEC61000-4-6所強調的很好的線性度，如圖2所示。圖2：某晶體管的輸入輸出線性度這個晶體管可以在工作頻率范圍內提供所需的功率，它的輸出功率與頻率的關系如圖3所示。圖3：某晶體管的輸出功率與頻率的關系3.射頻微波功率晶體管采用的半導體材料的類型在用于EMC領域的功率放大器中會用到不同種類的晶體管，下面對典型的晶體管及其工作特性進行簡單介紹，由于不同種類的半導體材料具有不同的特性，功率放大器的設計者需要根據實際需求進行選擇和設計。在射頻微波功率放大器中采用的半導體材料主要...