ESD 保護器件選型要注意：鉗位電壓 VC：應小于被保護電路至大可承受的瞬態安全電壓，VC 與 ESD的擊穿電壓及 IPP 都成正比。漏電流 IR：在通信線路及低功耗電路中，要特別關注 IR這個參數，IR越小ESD性能越好。結電容 C j：ESD 一般用于各類...

穩壓管是面接觸型特殊的硅晶體二極管，其伏安特性與普通二極管基本相似，但它是工作在二極管伏安特性的反向擊穿區，且它的反向伏安特性曲線比普通二極管要陡。穩壓管的選用：穩壓管一般用在穩壓電源中作為基準電源，工作在反向擊穿狀態下，使用時注意正負極性的接法，管子正極與電...

ESD對IC的損傷主要有兩類，即大電流產生局部熱量、高電場損傷絕緣層，都會導致電路或者器件功能性能的異常。ESD保護的基本原理就是并聯保護器件，以此泄放大電流和鉗位高電壓，避免對內部電路造成損傷。保護的原理已經非常清楚，那么在具體實施過程中，一種方式是減少靜電...

穩壓管分低壓、高壓兩種。低壓穩壓管的Vz值一般在40V以下，高壓穩壓管較高可達200V。過去國產穩壓管均采用金屬殼封裝，不單體積大，而且價格高。近年來來全系列玻封存穩壓管大量問世，其優點是規格齊全（Vz=2.4～200V）、穩壓特性好、體積小巧（采用DO-35...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管的選用原則：作為瞬變干擾抑制保護器件，氣體放電管選型同樣要保證接入電路可以對浪涌電壓進行箝位，又要保證不能影響電路正常工作過程。綜合來講有幾個點：1）受保護電子設備的正常工作電壓要保證低于氣體放電管的直流擊穿電壓較小值，且有一定余量...

防雷元器件可以分為開關元件類、限壓元件類和防過流和過熱保護元件類三大類，具體選用哪種應當根據具體的應用進行分析，合理選擇。市場中常見的防雷器件有以下幾種：半導體放電管、陶瓷氣體放電管和玻璃放電管（放電管）。在防雷設計中， 合理選擇防雷元器件是不可或缺的一環，防...

穩壓管選型原則：1）穩壓管的穩壓值離散性很大，即使同一廠家同一型號產品，其穩定電壓值也不完全一樣，這一點在選用時應加以注意。對要求較高的電路，選用前應對穩壓值進行檢測。2）對于過電壓保護的穩壓管，其穩定電壓的選定要依據保護電壓的大小選用，其穩定電壓值不能選的過...

常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，較常見的設計是以一條直線表明通道，兩條和通道垂直的線表明源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線表明柵極，如下圖所示。有時也會將表明通道的直線以破折線代替，以區分增強型MOSFET（enhancement mode MO...

對這個NMOS而言，真正用來作為通道、讓載流子通過的只有MOS電容正下方半導體的表面區域。當一個正電壓施加在柵極上，帶負電的電子就會被吸引至表面，形成通道，讓N型半導體的多數載流子—電子可以從源極流向漏極。如果這個電壓被移除，或是放上一個負電壓，那么通道就無法...

穩壓管的動態電阻是隨工作電流變化的，工作電流越大。動態電阻越小。因此，為使穩壓效果好，工作電流要選得合。工作電流選得大些，可以減小動態電阻，但不能超過管子的較大允許電流(或較大耗散功率)。各種型號管子的工作電流和較大允許電流，穩壓管的穩定性能受溫度影響，當溫度...

電子設備通常工作在低壓電網中，低壓電網中過電壓有四類：雷電引起的過電壓、靜電放電、操作過電壓以及工頻過電壓。過電壓通常以共模(過電壓在帶電導體或中性線和大地之間產生)和差模(過電壓在帶電導體之間產生)兩種干擾方式干擾低壓電網，其中雷電過電壓破壞性較大。防雷器件...

穩壓管分低壓、高壓兩種。低壓穩壓管的Vz值一般在40V以下，高壓穩壓管較高可達200V。過去國產穩壓管均采用金屬殼封裝，不單體積大，而且價格高。近年來來全系列玻封存穩壓管大量問世，其優點是規格齊全（Vz=2.4～200V）、穩壓特性好、體積小巧（采用DO-35...

多晶硅導電性不如金屬，限制了信號傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導電性，但成效仍然有限。有些融點比較高的金屬材料如：鎢（Tungsten）、鈦（Titanium）、鈷（Cobalt）或是鎳（Nickel）被用來和多晶硅制成合金。這類混合材料通常稱為金屬...

MOSFET：隨半導體制造技術的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，...

穩壓管在被反向擊穿后，盡管流過穩壓管的反向擊穿電流變化很大，但兩端的電壓卻幾乎不變。我們也常常用它這一特性來進行穩壓，以獲得基準電壓和用作電平轉移。穩壓管具有穩壓作用，普遍應用于在穩壓電源、電子點火器、直流電平平移、限幅電路、過壓保護電路、補償電路等當中。在很...

防雷器件就是用于在雷擊浪涌的過電壓過電流的情況下為電路以及各類電力電氣設備提供防護。防雷器件正常工作時，防雷器件是斷開的；當雷擊浪涌來的時候，防雷器件導通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護了電子設備免受浪涌沖擊損壞。市場中常見的防雷器件有以下幾種：半導體放電管、...

常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進入低阻態，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護器件。在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。在VDD相對于VSS發...

ESD保護器件的作用有哪些？ESD保護器件的作用：ESD保護器件在出廠時都需要通過測試，其測試規范包含在標準IEC61000-4-2之中。在測試時會在電路中包括150pF電容器和330Ω的內部電阻，并且通過以2kV、4kV、6kV和8kV的順序放電四個ESD電...

MOSFET在生活中是很常見的，MOSFET的柵極材料：MOSFET的臨界電壓（threshold voltage）主要由柵極與通道材料的功函數（work function）之間的差異來決定，而因為多晶硅本質上是半導體，所以可以藉由摻雜不同極性的雜質來改變其功...

MOSFET應用優勢：場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比...

穩壓管的穩壓原理：穩壓管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當把穩壓管接入電路以后，若由于電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。故障特點：穩壓管的故障主要表現在開路、短路和穩壓值不穩定。在這3種故障中...

防雷元件中開關元件與限壓元件的區別有哪些？防雷元件一般分為：開關元件類、限壓元件類、防過流和過熱保護元件類三種。首先，從二者的工作原理上來說.正常工作時，開關元件是斷開的；當雷擊浪涌來的時候，開關元件導通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護了電子設備免受浪涌沖擊損...

上海光宇睿芯微電子有限公司座落于上海浦東張江高科技園區內，是專業從事半導體過電壓保護器件、功率MOSFET器件、集成電路的設計與銷售的****，是國內掌握半導體過壓保護器件和集成電路設計技術的供應商之一。公司產品品種多，覆蓋范圍廣，已廣泛應用于...

穩壓管的檢測：正、負電極的判別：從外形上看，金屬封裝穩壓管管體的正極一端為平面形，負極一端為半圓面形。塑封穩壓管管體上印有彩色標記的一端為負極，另一端為正極。對標志不清楚的穩壓管，也可以用萬用表判別其極性，測量的方法與普通二極管相同，即用萬用表R×1k檔，將兩...

ESD 保護器件對結構設計和工藝要求更高，結構更加復雜，一般設計成多路PN 結集成結構，采用多次外延、雙面擴結或溝槽設計。ESD 保護器件能夠確保小型化的集成電路芯片得到有效保護，表示著當前TVS 的技術水平和發展方向。TVS/ESD 保護器件的應用領域普遍，...

MOSFET有什么應用優勢？1、場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。2、有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正...

功率MOSFET的驅動通常要求：觸發脈沖要具有足夠快的上升和下降速度；②開通時以低電阻力柵極電容充電，關斷時為柵極提供低 電阻放電回路，以提高功率MOSFET的開關速度；③為了使功率MOSFET可靠觸發導通，觸發脈沖電壓應高于管子的開啟電壓，為了防止誤導通，在...

與常規MOSFET結構不同，內建橫向電場的MOSFET嵌入垂直P區將垂直導電區域的N區夾在中間，使MOSFET關斷時，垂直的P與N之間建立橫向電場，并且垂直導電區域的N摻雜濃度高于其外延區N-的摻雜濃度。 當VGS＜VTH時，由于被電場反型而產生的N型導電溝道...

MOSFET的 ：金屬—氧化層—半導體電容金屬—氧化層—半導體結構MOSFET在結構上以一個金屬—氧化層—半導體的電容為 （如前所述， 的MOSFET多半以多晶硅取代金屬作為其柵極材料），氧化層的材料多半是二氧化硅，其下是作為基極的硅，而其上則是作為柵極的多晶...

MOSFET的相關知識介紹：Power MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結...