穩壓管，英文名：Zener diode，又叫齊納二極管，是一種用特殊工藝制造而成的面結型硅半導體二極管，它的外形、內部結構與普通二極管相似。穩壓管伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但...

MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜...

各種常見的MOSFET技術：雙柵極MOSFET：雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數用來做...

ESD保護器件具有什么特點？ESD靜電保護器件特點特性：低電容，至低可達到零點幾皮法；快速響應時間：通常小于1.0PS；體積小，小型化器件，節約PCB空間；工作電壓可以根據IC的工作電壓設計，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等；靈活度高，可以根...

截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區與N漂移區之間形成的PN結J1反偏，漏源極之間無電流流過。導電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極電流流過。但柵極的正電壓會將其下面P區中的空穴推開，而將P區中的少子—電子吸引到柵極下面的P區...

開關型防雷器件和限壓型防雷器件的區別：開關型防雷器件為間隙放電型器件，其雷電能量瀉放能力大，在線路上使用的主要作用是泄放雷電能量；限壓型防雷器件為氧化鋅壓敏電阻器件，其雷電能量瀉放能力小，但其過電壓抑制能力好，在線路上使用的主要作用是限制過電壓。因此，一般在建...

理解MOSFET的幾個常用參數VDS，即漏源電壓，這是MOSFET的一個極限參數，表示MOSFET漏極與源極之間能夠承受的較大電壓值。需要注意的是，這個參數是跟結溫相關的，通常結溫越高，該值較大。RDS(on)，漏源導通電阻，它表示MOSFET在某一條件下導通...

常見的MOSFET技術：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數用來做增益...

常用于MOSFET的電路符號有很多種變化，較常見的設計是以一條直線表明通道，兩條和通道垂直的線表明源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線表明柵極，如下圖所示。有時也會將表明通道的直線以破折線代替，以區分增強型MOSFET（enhancement mode MO...

如何區分MOSFET是N溝道還是P溝道？場效應晶體管是金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的簡稱，它是現代電子產品的基本組成部分。MOSFET由諸如硅的半導體材料制成，半導體在導體和絕緣體之間具有導電性。為了使半導體成為良好的導體，會在純晶體中引入兩種...

穩壓管的主要參數如下： (1)穩定電壓Uz就是PN結的擊穿電壓，它隨工作電流和溫度的不同而略有變化。對于同一型號的穩壓管來說，穩壓值有一定的離散性。(2)穩定電流Iz穩壓管工作時的參考電流值。它通常有一定的范圍，即Izmin——Izmax。(3)動態電阻rz它...

常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等，因其具有雪崩擊穿、雪崩與注入等特性，能夠瞬間進入低阻態，故具有良好的電流泄放能力，可以作為ESD防護器件。在ESD設計中，Diode是一種常見的器件。在VDD相對于VSS發...

防雷器件就是用于在雷擊浪涌的過電壓過電流的情況下為電路以及各類電力電氣設備提供防護。防雷器件正常工作時，防雷器件是斷開的；當雷擊浪涌來的時候，防雷器件導通，將浪涌電流泄放到大地，從而保護了電子設備免受浪涌沖擊損壞。市場中常見的防雷器件有以下幾種：半導體放電管、...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管的選用方法：陶瓷氣體放電管的加入不能影響線路的正常工作，這就要保證陶瓷氣體放電管的直流擊穿電壓的下限值必須高于線路的較大正常工作電壓。據此確定所需陶瓷氣體放電管的標稱直流擊穿電壓值。例如：在電話線的過電壓防護中，常態時，電話線兩線間...

ESD保護器件的使用需要注意什么？ESD保護器件是經常見到的，為 USB 4? 選擇 ESD 保護器件：新的 USB 4? 規范引入了一些更改，會影響 ESD 保護器件的選擇。顯然，ESD 保護需要在為系統增加低插入損耗（信號衰減）和低回波損耗（信號反射）的同...

雙重MOSFET（CMOS）開關：為了改善單一MOSFET開關造成信號失真的缺點，于是使用一個PMOS加上一個NMOS的CMOS開關成為普遍的做法。CMOS開關將PMOS與NMOS的源極與漏極分別連接在一起，而基極的接法則和NMOS與PMOS的傳統接法相同。當...

雙柵極MOSFET雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數用來做增益、混頻器或是頻率轉換的控制...

要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。如圖2所示。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結處于反向...

開關型防雷器件和限壓型防雷器件的區別：開關型防雷器件為間隙放電型器件，其雷電能量瀉放能力大，在線路上使用的主要作用是泄放雷電能量；限壓型防雷器件為氧化鋅壓敏電阻器件，其雷電能量瀉放能力小，但其過電壓抑制能力好，在線路上使用的主要作用是限制過電壓。因此，一般在建...

防雷器件是日常生活中不可缺少的一款器件，尤其是在雷雨天氣，具有不可替代的作用。防雷器件主要分為開關元件和限壓元件兩種，在使用方法上會有一些細微的差別，防雷元器件的使用方法及其注意事項：防雷元器件的使用方法因為類別不同而在使用方法上也有所不同，主要非為開關元件和...

穩壓管有一定的電阻，通常稱為動態電阻RZ（zener resistance）或動態阻抗ZZ（zener impedance），它是指穩壓管兩端電壓變化與電流變化的比值，動態電阻RZ隨穩壓管的工作電流IZ不同而不同，通常工作電IZ流越大（即分母越大），則動態電阻...

降低高壓MOSFET導通電阻的原因：不同耐壓的MOSFET，其導通電阻中各部分電阻比例分布也不同。如耐壓30V的MOSFET，其外延層電阻至少為 總導通電阻的29%，耐壓600V的MOSFET的外延層電阻則是總導通電阻的96.5%。由此可以推斷耐壓800V的M...

ESD保護器件的主要性能參數有哪些？電容(Capacitance)，在給定電壓、頻率條件下測得的值，此值越小，對保護電路的信號傳輸影響越小。比如硅半導體TVS管的結電容(pF級)，壓敏電阻的寄生電容(nF級)。響應時間(ResponseTime)指ESD器件對...

防雷元器件中的陶瓷氣體放電管參數：(一)DC Spark-over Voltage直流火花放電電壓（直流擊穿電壓），GDT的直流放電電壓是指施加緩慢升高的直流電壓時，GDT火花放電時的電壓，也稱直流擊穿電壓。在上升陡度低于100V/s的電壓作用下測量，GDT應...

ESD保護器件的歸類：ESD脈沖、電源瞬變、浪涌等現象是損壞芯片的主要原因。ESD保護器件能抑制靜電荷的積累和靜電壓的產生；安全、迅速、有效的消除已產生的靜電荷。ESD保護器件一般包括三種：TVS二極管、壓敏電阻和聚合物靜電抑制器。TVS二極管：瞬態抑制二極管...

防雷壓敏電阻器，顧名思義，其主要工作就是在雷暴天氣中對用電器進行保護。這種壓敏電阻器的工作原理是和用電器并聯在電路中，在用電器正常工作時由于其本身的電阻很大，因此基本不起作用。而當電路中有大電流流過時，防雷壓敏電阻瞬間導通，并使得電路中的電流全部流過防雷壓敏電...

ESD保護器件在操作原理和原材料方面各自不同，以實現必要的功能。EDS保護器件大致分為陶瓷基類型和使用硅或聚合物作為原料的半導體基類型。陶瓷基類型則分為兩種，即采用電壓依賴型可變電阻器的壓敏電阻型，和電極間放電的抑制型，半導體基類型則包括齊納(恒定電壓)二極管...

防雷器件在使用的時候，有什么注意事項嗎？防雷元件因為其安全性能比較重要，所以在使用的時候要非常謹慎，防雷元器件使用注意事項如下：1、開關元件不能單獨跨接在有源電路中作差模保護，為避免電源短路，必須串接限壓元件。2、流過防雷元器件的浪涌電流必須小于其脈沖峰值電流...

若穩壓管的穩壓值高于15V，則應將穩壓電源調至20V以上。也可用低于1000V的兆歐表為穩壓管提供測試電源。其方法是：將兆歐表正端與穩壓管的負極相接，兆歐表的負端與穩壓管的正極相接后，按規定勻速搖動兆歐表手柄，同時用萬用表監測穩壓管兩端電壓值(萬用表的電壓檔應...

MOSFET常常用在頻率較高的場合。開關損耗在頻率提高時愈來愈占主要位置。降低柵電荷，可有效降低開關損耗。為了降低柵電荷，從減小電容的角度很容易理解在制造上應采取的措施。為減小電容，增加絕緣層厚度（在這兒是增加氧化層厚度）當然是措施之一。減低電容板一側的所需電...