防雷器件中應用較普遍的是陶瓷燃氣放電管，因此陶瓷燃氣放電管是應用較普遍的防雷器件，無論是直流電源的防雷還是各種信號的防雷，陶瓷燃氣放電管都能起到很好的防護作用。其較大的特點是通流量大，級間電容量小，絕緣電阻高，破壞電壓的可選范圍大。玻璃放電管(放電管)是20世...

防雷器件的選購要找正規的公司，比較常用的開關型防雷器件是半導體放電管。 半導體放電管廣泛應用在 網絡通訊及消費類電子產品、高速數據傳輸設備（T1/E1、XDSL、ISDN、HDSL、 CATV、SLIC 等）上。在選擇半導體放電管時主要應考慮兩點：VRM 截止...

穩壓管，英文名：Zener diode，又叫齊納二極管，是一種用特殊工藝制造而成的面結型硅半導體二極管，它的外形、內部結構與普通二極管相似。穩壓管伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時，反向電阻很大，反向漏電流極小。但...

要使增強型N溝道MOSFET工作，要在G、S之間加正電壓VGS及在D、S之間加正電壓VDS，則產生正向工作電流ID。改變VGS的電壓可控制工作電流ID。如圖2所示。若先不接VGS（即VGS=0），在D與S極之間加一正電壓VDS，漏極D與襯底之間的PN結處于反向...

防雷過壓器件玻璃氣體放電管的使用方法：①玻璃放電管既可以用作電源電路的保護，也可以用作信號電路的保護；既可以用作共模保護，也可以用作差模保護。但只能用在浪涌電流不大于3kA的地方。②直流擊穿電壓VS的選擇：直流擊穿電壓VS的較小值應大于可能出現的較高電源峰值電...

在防雷擊浪涌保護方案中，一般采用多級防護的原則，第1級選用吸收能量大且響應速度慢的保護器件，第二級選用選吸收能量大且響應速度一般的保護器件，第三級選用吸收能量小且響應速度較快的保護器件。防雷擊浪涌防護中常用到的保護器件有：開關型防雷限壓保護器件（陶瓷氣體放電管...

常見的MOSFET技術：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數用來做增益...

MOSFET在生活中是比較常見的，MOSFET的相關介紹說明：MOSFET在國內的命名法，第1種命名方法是使用“中國半導體器件型號命名法”的第3、第4和第5部分來命名，其中的第3部分用字母CS表示場效應管，第4部分用阿拉伯數字表示器件序號，第5部分用漢語拼音字...

一般，ESD 保護一般通過兩種途徑來實現，第一種方法是避免ESD 的發生；第二種方法則是通過片內或片外集成內部保護電路或專門用的ESD 保護器件，從而避免ESD 發生后將被保護器件損壞。避免ESD 的發生：避免ESD 發生的方法多出現于產品交付客戶以前，即研發...

多晶硅導電性不如金屬，限制了信號傳遞的速度。雖然可以利用摻雜的方式改善其導電性，但成效仍然有限。有些融點比較高的金屬材料如：鎢（Tungsten）、鈦（Titanium）、鈷（Cobalt）或是鎳（Nickel）被用來和多晶硅制成合金。這類混合材料通常稱為金屬...

MOSFET在概念上屬于“絕緣柵極場效晶體管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的柵極絕緣層有可能是其他物質而非MOSFET使用的氧化層。有些人在提到擁有多晶硅柵極的場效晶體管元件時比較喜...

MOSFET應用優勢：場效應晶體管是電壓控制元件，而雙極結型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用雙極晶體管。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比...

MOSFET里的氧化層位于其通道上方，依照其操作電壓的不同，這層氧化物的厚度單有數十至數百埃（Å）不等，通常材料是二氧化硅（silicon dioxide,SiO2），不過有些新的進階制程已經可以使用如氮氧化硅（silicon oxynitride...

功率MOSFET的基本特性：漏極電流ID和柵源間電壓UGS的關系稱為MOSFET的轉移特性，ID較大時，ID與UGS的關系近似線性，曲線的斜率定義為跨導Gfs。MOSFET的漏極伏安特性（輸出特性）：截止區（對應于GTR的截止區）；飽和區（對應于GTR的放大區...

MOSFET的相關知識介紹：Power MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。主要優點：熱穩定性好、安全工作區大。缺點：擊穿電壓低，工作電流小。IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結...

如何選擇用于熱插拔的MOSFET？當電源與其負載突然斷開時，電路寄生電感元件上的大電流擺動會產生巨大的尖峰電壓，對電路上的電子元件造成十分不利的影響。與電池保護應用類似，此處MOSFET可以將輸入電源與其他電路隔離開來。但此時，FET的作用并不是立即斷開輸入與...

整合MOSFET與BJT各自優點的制程技術：BiCMOS（Bipolar-CMOS）也越來越受歡迎。BJT元件在驅動大電流的能力上仍然比一般的CMOS優異，在可靠度方面也有一些優勢，例如不容易被“靜電放電”（ESD）破壞。所以很多同時需要復噪聲號處理以及強大電...

內建橫向電場MOSFET的主要特性：（1）導通電阻的降低：INFINEON的內建橫向電場的MOSFET，耐壓600V和800V，與常規MOSFET器件相比，相同的管芯面積，導通電阻分別下 降到常規MOSFET的1/5， 1/10；相同的額定電流，導通電阻分別下...

內建橫向電場MOSFET的主要特性：（1）導通電阻的降低：INFINEON的內建橫向電場的MOSFET，耐壓600V和800V，與常規MOSFET器件相比，相同的管芯面積，導通電阻分別下 降到常規MOSFET的1/5， 1/10；相同的額定電流，導通電阻分別下...

隨半導體制造技術的進步，對于整合更多功能至單一芯片的需求也跟著大幅提升，此時用MOSFET設計模擬電路的一個優點也隨之浮現。為了減少在印刷電路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成電路數量、減少封裝成本與縮小系統的體積，很多原本單...

常見的MOSFET技術：雙柵極MOSFET，雙柵極（dual-gate）MOSFET通常用在射頻（Radio Frequency,RF）集成電路中，這種MOSFET的兩個柵極都可以控制電流大小。在射頻電路的應用上，雙柵極MOSFET的第二個柵極大多數用來做增益...

柵極氧化層隨著MOSFET尺寸變小而越來越薄，主流的半導體制程中，甚至已經做出厚度 有1.2納米的柵極氧化層，大約等于5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規范的世界內，例如電子的穿隧效應（tunneling effect）。因...

MOS電容的特性決定了MOSFET的操作特性，但是一個完整的MOSFET結構還需要一個提供多數載流子（majority carrier）的源極以及接受這些多數載流子的漏極。當一個電壓施加在MOS電容的兩端時，半導體的電荷分布也會跟著改變。考慮一個P型的半導體（...

功率MOSFET的設計過程中采取措施使其中的寄生晶體管盡量不起作用。在不同代功率MOSFET中其措施各有不同，但總的原則是使漏極下的橫向電阻RB 盡量小。因為只有在漏極N區下的橫向電阻流過足夠電流為這個N區建立正偏的條件時，寄生的雙極性晶閘管才開始發難。然而在...

穩壓管分低壓、高壓兩種。低壓穩壓管的Vz值一般在40V以下，高壓穩壓管較高可達200V。過去國產穩壓管均采用金屬殼封裝，不單體積大，而且價格高。近年來來全系列玻封存穩壓管大量問世，其優點是規格齊全（Vz=2.4～200V）、穩壓特性好、體積小巧（采用DO-35...

防雷元器件的一般使用方法及使用注意事項：防雷元器件的一般使用方法：1.開關元件主要應用于共模保護，也常在無源電路中作差模保護。2.限壓元件主要應用于差模保護，也常用在共模電路中和開關元件串聯，防止開關元件導通后使線路與地發生短路；或者作為開關元件的限流元件以阻...

ESD保護器件種類包括Zener二極管、壓敏電阻(varistors），SCR(可控硅整流器）和TVS(瞬時電壓抑制器）等。其中，TVS應用較廣，因為它具有很強的電容和快速開啟速度，保護內部電路的能力。資料顯示，預計從2020年至2024年，全球ESD保護器件...

穩壓管的選用：穩壓管一般用在穩壓電源中作為基準電壓源或用在過電壓保護電路中作為保護二極管。選用的穩壓管，應滿足應用電路中主要參數的要求。穩壓管的穩定電壓值應與應用電路的基準電壓值相同，穩壓管的較大穩定電流應高于應用電路的較大負載電流50%左右。穩壓管損壞后，應...

防雷過壓器件玻璃氣體放電管的使用方法：①玻璃放電管既可以用作電源電路的保護，也可以用作信號電路的保護；既可以用作共模保護，也可以用作差模保護。但只能用在浪涌電流不大于3kA的地方。②直流擊穿電壓VS的選擇：直流擊穿電壓VS的較小值應大于可能出現的較高電源峰值電...

穩壓管是利用PN結反向擊穿狀態時，電流在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象，制成的起穩壓作用的二極管。穩壓管的伏安特性與普通二極管相類似，正向特性為指數曲線，當外加反向電壓的數值大于一定程度時則擊穿，擊穿區的曲線很陡，幾乎平行于縱軸，表現其穩壓特性。只要控制反...