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反向擊穿按機理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區內共價鍵結構，使價電子脫離共價鍵束縛，產生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區寬度較寬，不容易產生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結長久性損壞。 [5]PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。虹口區制造二極管貨源充足

穩壓管與一般二極管不一樣，它的反向擊穿是可逆的，只要不超過穩壓管電流的允許值，PN結就不會過熱損壞，當外加反向電壓去除后，穩壓管恢復原性能，所以穩壓管具有良好的重復擊穿特性。 [4]光電二極管光電二極管光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結時，可以成對地產生自由電子和空穴，使半導體中少數載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。 [4]金山區國產二極管生產企業外加反向電壓超過某一數值時，反向電流會突然增大，這種現象稱為電擊穿。

常用的紅外發光二極管有SIR系列、SIM系列、PLT系列、GL系列、HIR系列和HG系列等。紫外發光二極管基于半導體材料的紫外發光二極管(UV LED)具有節能、環保和壽命長等優點，在殺菌消毒、醫療和生化檢測等領域有重大的應用價值。近年來，半導體紫外光電材料和器件在全球引起越來越多的關注，成為研發熱點。 2018年12月9一12日，由中國科學院半導體研究所主辦的第三屆“國際紫外材料與器件研討會” (IWUMD一2018)在云南昆明召開，來自十二個國家的270余位**出席了會議。本次會議匯聚了國內外在紫外發光二極管材料和器件相關領域的多位前列**的***研發成果報告

有機發光二極管1987年，柯達公司鄧青云等成功制備了低電壓、高亮度的有機發光二極管（OLED），***次向世界展示了OLED在商業上的應用前景‘“。1995年，Kido在science雜志上發表了白光有機發光二極管（wOLED）的文章， 雖然效率不高，但揭開了OLED照明研究的序幕。經過幾十年的發展，OLED的效率和穩定性早已滿足小尺寸顯示器的要求，受到眾多**儀器儀表、手機和移動終端公司的青睞，大尺寸技術也日漸完善。 [5]OLED材料的發展是OLED產業蓬勃發展的基礎。**早的OLED發光材料是熒光材料，但熒光材料由于自旋阻禁，其理論內量子效率上限*能達到25%。1998年，Ma以及Forrest和Thompson等先后報道了磷光材料在OLED材料中的應用，從而為突破自旋統計規律、100%地利用所有激子的能量開辟了道路。但是磷光材料也存在一定的問題，由于含有貴金屬，價格很高而且藍光材料的穩定性長期停滯不前。因為PN結的單向導電性，二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。

當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流。 [5]當外加的反向電壓高到一定程度時，PN結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。PN結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。虹口區制造二極管貨源充足

在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；虹口區制造二極管貨源充足

在電子技術中常用的數碼管，發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來，這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄，其波長由所使用的基本材料而定。 [4]用來表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術指標，稱為二極管的參數。不同類型的二極管有不同的特性參數。 [4]伏安特性二極管具有單向導電性，二極管的伏安特性曲線如圖2所示 [5]。圖2 二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓，當電壓值較小時，電流極小；當電壓超過0.6V時，電流開始按指數規律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當電壓達到約0.7V時，二極管處于完全導通狀態，通常稱此電壓為二極管的導通電壓，用符號UD表示 [4]。虹口區制造二極管貨源充足

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