虹口區質量驅動電路設計

來源: 發布時間:2025-05-13

根據圖2中,RC充放電電路的輸出經過增益電路后可得電流參考為:式中k為增益,VC為RC充放電電路的輸入電壓,τ為RC的時間系數,θ為可控硅的導通角。則在**小導通角對應的輸出為零,即電路輸出的**大值對應電流參考的**大值:從式(1)和式(2)可得輸出電流表達式如式(3)所示。在斬波角為θ時,電路對應的輸入功率為:式中Vp為輸入電壓峰值,Rin為等效輸入阻抗。假設電路的變換效率為η,且電路的輸出功率為PO=IO·UO,則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數如式(6)所示。保護措施:設計過流、過壓、過熱等保護電路,以確保系統的安全性和可靠性。虹口區質量驅動電路設計

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Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣,一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數據手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷:如果IGBT數據表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)松江區好的驅動電路生產企業心理或情感意義:可以指推動一個人采取行動的內在動力或外部激勵。

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引言近年來,高亮度LED照明以高光效、長壽命、高可靠性和無污染等優點正在逐步取代白熾燈、熒光燈等傳統光源。在一些應用中,希望在某些情況下可調節燈光的亮度,以便進一步節能和提供舒適的照明。常見的調光有雙向可控硅調光、后沿調光、ON/OFF調光、遙控調光等??煽毓枵{光器在傳統的白熾燈等調光照明應用已久,且不用改變接線,裝置成本較低,各品牌可控硅調光器的性能和規格相差不大,但是其直接應用在LED驅動場合還存在著一系列問題。

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間,由于電路中其他部分的工作,會在柵極電路中產生一些高頻振蕩信號,這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態,增加管子的功耗。重則將使調壓電路處于短路直通狀態。因此,比較好給處于截止狀態的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現開關噪聲時仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,保護柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,驅動信號超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅動電路應與整個控制電路在電位上嚴格隔離,一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。根據具體的應用場景和需求,還有推挽驅動、隔離驅動、加速關斷驅動等多種設計方案。

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IGBT柵極驅動功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅動輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數手冊。例如,常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設 F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應選取2W電阻,或2個1W電阻并聯。三、設置柵極電阻的其他注意事項1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:IGBT柵極驅動功率 P=FUQ,其中:F 為工作頻率;U 為驅動輸出電壓的峰峰值;Q 為柵極電荷,可參考IGBT模塊參數手冊。例如,常見IGBT驅動器(如TX-KA101)輸出正電壓15V,負電壓-9V,則U=24V,假設 F=10KHz,Q=2.8uC可計算出 P=0.67w ,柵極電阻應選取2W電阻,或2個1W電阻并聯。三、設置柵極電阻的其他注意事項1、盡量減小柵極回路的電感阻抗,具體的措施有:它是電子設備和系統中至關重要的組成部分,廣泛應用于計算機、通信設備、電視、汽車、機器人等領域。虹口區質量驅動電路設計

BJT驅動電路:使用雙極型晶體管(BJT)來驅動負載,適合低頻應用。虹口區質量驅動電路設計

由于門極的測量電壓太低(VGE=0V )而不是門極的門檻電壓,在實際開關中存在的米勒效應(Miller 效應)在測量中也沒有被包括在內,在實際使用中的門極電容Cin值要比IGBT 數據手冊中給出的電容Cies 值大很多。因此,在IGBT數據手冊中給出的電容Cies值在實際應用中**只能作為一個參考值使用。確定IGBT 的門極電荷對于設計一個驅動器來說,**重要的參數是門極電荷QG(門極電壓差時的IGBT 門極總電荷),如果在IGBT 數據手冊中能夠找到這個參數,那么我們就可以運用公式計算出:門極驅動能量 E = QG · UGE = QG · [ VG(on) - VG(off) ]虹口區質量驅動電路設計

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